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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia - RDS (ON) Drenaje real (ID) - Max
FSBB20CH60CL onsemi FSBB20CH60CL -
RFQ
 ECAD 8200 0.00000000 onde MOVIMIENTO SPM® 3 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) IGBT FSBB20 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 60 3 fase 20 A 600 V 2500 VRMS
SBT100-16JS onsemi SBT100-16JS -
RFQ
 ECAD 1071 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero SBT100 Schottky A 220 ml descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 160 V 10A 880 MV @ 5 A 200 µA @ 160 V -55 ° C ~ 150 ° C
SBR160-10J onsemi SBR160-10J -
RFQ
 ECAD 3779 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero SBR160 Schottky A 220 ml descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 16A 850 MV @ 8 A 200 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
ATP106-TL-H onsemi ATP106-TL-H -
RFQ
 ECAD 6253 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie ATPAK (2 cables+Pestaña) ATP106 Mosfet (Óxido de metal) Atpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 40 V 30A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 15a, 10v - 29 NC @ 10 V ± 20V 1380 pf @ 20 V - 40W (TC)
ATP108-TL-H onsemi ATP108-TL-H -
RFQ
 ECAD 9100 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie ATPAK (2 cables+Pestaña) ATP108 Mosfet (Óxido de metal) Atpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 40 V 70A (TA) 4.5V, 10V 10.4mohm @ 35a, 10v - 79.5 NC @ 10 V ± 20V 3850 pf @ 20 V - 60W (TC)
2SK3666-3-TB-E onsemi 2SK3666-3-TB-E -
RFQ
 ECAD 2574 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SK3666 200 MW SMCP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 4pf @ 10V 1.2 Ma @ 10 V 180 MV @ 1 µA 200 ohmios 10 Ma
2SK771-5-TB-E onsemi 2SK771-5-TB-E -
RFQ
 ECAD 7003 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SK771 200 MW 3-CP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 40 V 9PF @ 10V 5 Ma @ 10 V 20 Ma
SBE805-TL-E onsemi SBE805-TL-E -
RFQ
 ECAD 4411 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 SBE805 Schottky 5-cph descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 30 V 500mA 550 MV @ 500 Ma 10 ns 30 µA @ 15 V -55 ° C ~ 125 ° C
TF252TH-5-TL-H onsemi TF252th-5-TL-H -
RFQ
 ECAD 7589 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, Plano Plano TF252 100 MW 3-VTFP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 N-canal 3.1pf @ 2v 210 µA @ 2 V 1 V @ 1 µA 1 MA
NSR0240P2T5G onsemi NSR0240P2T5G 0.4100
RFQ
 ECAD 107 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sod-923 NSR0240 Schottky Sod-923 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 8,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 600 MV @ 200 Ma 5 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 7pf @ 1v, 1 MHz
NZ9F11VT5G onsemi NZ9F11VT5G 0.4100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sod-923 NZ9F11 250 MW Sod-923 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 11 V 30 ohmios
NZ9F16VT5G onsemi NZ9F16VT5G 0.4100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sod-923 NZ9F16 250 MW Sod-923 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 12 V 16 V 50 ohmios
NZ9F3V0T5G onsemi NZ9F3V0T5G -
RFQ
 ECAD 5699 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sod-923 NZ9F 250 MW Sod-923 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 10 µA @ 1 V 3 V 100 ohmios
NZ9F4V3ST5G onsemi NZ9F4V3ST5G -
RFQ
 ECAD 5307 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sod-923 NZ9F 250 MW Sod-923 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 4.3 V 100 ohmios
NZ9F4V3T5G onsemi NZ9F4V3T5G -
RFQ
 ECAD 7621 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sod-923 NZ9F 250 MW Sod-923 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 4.3 V 100 ohmios
NZ9F4V7ST5G onsemi NZ9F4V7ST5G 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sod-923 NZ9F4 250 MW Sod-923 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 1 V 4.65 V 100 ohmios
NZ9F6V8T5G onsemi NZ9F6V8T5G 0.3200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sod-923 NZ9F6 250 MW Sod-923 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 500 na @ 3.5 V 6.8 V 40 ohmios
NZ9F8V2ST5G onsemi NZ9F8V2ST5G -
RFQ
 ECAD 8615 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sod-923 NZ9F 250 MW Sod-923 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 500 na @ 5 V 8.2 V 30 ohmios
SBRB2545CTG onsemi SBRB2545CTG 1.8000
RFQ
 ECAD 142 0.00000000 onde Switchmode ™ Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SBRB2545 Schottky D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 620 MV @ 15 A 200 µA @ 45 V -65 ° C ~ 175 ° C
FDD3510H onsemi FDD3510H -
RFQ
 ECAD 4068 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-5, DPAK (4 cables + Pestaña), TO-252Ad FDD3510 Mosfet (Óxido de metal) 1.3w TO-252 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N Y Canal P, Drenaje Común 80V 4.3a, 2.8a 80mohm @ 4.3a, 10V 4V @ 250 µA 18NC @ 10V 800pf @ 40V Puerta de Nivel Lógico
1N5231CTR onsemi 1N5231CTR 0.2400
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5231 500 MW Do-35 - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 2 V 5.1 V 17 ohmios
FQA28N15_F109 onsemi FQA28N15_F109 -
RFQ
 ECAD 6268 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA2 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 150 V 33A (TC) 10V 90mohm @ 16.5a, 10v 4V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 25V 1600 pf @ 25 V - 227W (TC)
FQD3N50CTM onsemi Fqd3n50ctm -
RFQ
 ECAD 7612 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fqd3 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 2.5A (TC) 10V 2.5ohm @ 1.25a, 10V 4V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 365 pf @ 25 V - 35W (TC)
FQN1N60CBU onsemi Fqn1n60cbu -
RFQ
 ECAD 7756 0.00000000 onde QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Fqn1 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 300 mA (TC) 10V 11.5ohm @ 150mA, 10V 4V @ 250 µA 6.2 NC @ 10 V ± 30V 170 pf @ 25 V - 1W (TA), 3W (TC)
FQP11N50CF onsemi FQP11N50CF -
RFQ
 ECAD 5919 0.00000000 onde FRFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FQP1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 11a (TC) 10V 550mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA 55 NC @ 10 V ± 30V 2055 pf @ 25 V - 195W (TC)
FQP47P06_SW82049 onsemi FQP47P06_SW82049 -
RFQ
 ECAD 9735 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Fqp4 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 60 V 47a (TC) 10V 26mohm @ 23.5a, 10V 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 25V 3600 pf @ 25 V - 160W (TC)
FQPF12P20YDTU onsemi Fqpf12p20ydtu -
RFQ
 ECAD 6586 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 200 V 7.3a (TC) 10V 470mohm @ 3.65a, 10V 5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1200 pf @ 25 V - 50W (TC)
FQPF13N50CT onsemi FQPF13N50CT -
RFQ
 ECAD 5106 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 13a (TC) 10V 480mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 30V 2055 pf @ 25 V - 48W (TC)
FQU13N06LTU-WS onsemi FQU13N06LTU-WS 1.0700
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FQU13N06 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 60 V 11a (TC) 5V, 10V 115mohm @ 5.5a, 10V 2.5V @ 250 µA 6.4 NC @ 5 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 28W (TC)
FQU6N40CTU_NBEA001 onsemi FQU6N40CTU_NBEA001 -
RFQ
 ECAD 2951 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FQU6 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 400 V 4.5A (TC) 10V 1ohm @ 2.25a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 48W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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