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Productos de semiconductoros discretos (885)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RM8810 | 0.0900 |  | 4687 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | RM88 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.5W (TA) | Sot-23-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM8810TR | 8541.10.0080 | 30,000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 7a (TA) | 20mohm @ 6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 14NC @ 4.5V | 1295pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||
 | R3000F | 0.1800 | | 2433 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Estándar | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-R3000FTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 3000 V | 5 V @ 200 Ma | 500 ns | 5 µA @ 3000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | RM35N30DN | 0.2500 | | 1173 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN-EP (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM35N30DNTR | 8541.10.0080 | 25,000 | N-canal | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 12a, 10v | 3V @ 250 µA | ± 20V | 1265 pf @ 15 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | 4RS203M | 0.5200 | | 7452 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RS-2M | Estándar | RS-2M | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-4RS203M | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.600 | 1.1 v @ 4 a | 2 µA @ 200 V | 4 A | Fase única | 200 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | RM150N40DF | 0.5600 | | 3261 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM150N40DFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | N-canal | 40 V | 150A (TC) | 4.5V, 10V | 1.8mohm @ 75a, 10v | 2.2V @ 250 µA | ± 20V | 7150 pf @ 20 V | - | 88W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | RM4N650LD | 0.3300 | | 3330 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM4N650LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | N-canal | 650 V | 4A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.5a, 10V | 3.5V @ 250 µA | ± 30V | 280 pf @ 50 V | - | 46W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | RM2P60S2 | 0.0390 | | 2132 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM2P60S2TR | 8541.10.0080 | 30,000 | Canal P | 60 V | 1.9a (TA) | 4.5V, 10V | 215mohm @ 1.8a, 10v | 3V @ 250 µA | ± 20V | 358 pf @ 30 V | - | 1.4W (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | Rs1005mls | 0.7800 | | 1593 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, Rs-10mls | Estándar | Rs-10mls | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RS1005 MLS | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1.1 v @ 5 a | 200 na @ 600 V | 10 A | Fase única | 600 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | FFM104W-W | 0.0400 | | 240 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | Smx | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-FFM104W-WTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | Rs101m | 0.4700 | | 3581 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RS-1M | Estándar | RS-1M | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RS101M | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,400 | 1.1 v @ 1 a | 2 µA @ 50 V | 1 A | Fase única | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | RM25P30S8 | 0.3500 | | 8986 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM25P30S8TR | 8541.10.0080 | 40,000 | Canal P | 30 V | 25A (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 3960 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||
| RM80N20DN | 0.2600 | | 3119 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Papak (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM80N20DNTR | 8541.10.0080 | 25,000 | N-canal | 20 V | 80a (TC) | 1.8V, 4.5V | 3.5mohm @ 15a, 4.5V | 1V @ 250 µA | ± 12V | 5500 pf @ 10 V | - | 66W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| RM40P07 | 0.1450 | | 3800 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM40P07TR | 8541.10.0080 | 40,000 | Canal P | 40 V | 6.2a (TA) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 1750 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | RBU205M | 0.7200 | | 6125 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-sip, RBU | Estándar | RBU | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-rbu205m | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1.05 v @ 2 a | 300 na @ 600 V | 2 A | Fase única | 600 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | RM15N650T2 | 0.9200 | | 4091 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM15N650T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 650 V | 15A (TC) | 10V | 260mohm @ 8a, 10v | 3.5V @ 250 µA | ± 30V | 1360 pf @ 50 V | - | 145W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | RM4P30S6 | 0.0520 | | 2091 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM4P30S6TR | 8541.10.0080 | 30,000 | Canal P | 30 V | 4.2a (TA) | 2.5V, 10V | 55mohm @ 4.2a, 10V | 1.3V @ 250 µA | ± 12V | 880 pf @ 15 V | - | 1.2W (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | RM6N800IP | 0.7000 | | 8536 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM6N800IP | 8541.10.0080 | 4.000 | N-canal | 800 V | 6a (TC) | 10V | 900mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 30V | 1290 pf @ 50 V | - | 98W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | RM3N700S4 | 0.2900 | | 2302 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Un 261-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM3N700S4TR | 8541.10.0080 | 30,000 | N-canal | 700 V | 3A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 20V | 225 pf @ 100 V | - | 6.2W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | HER305-T | 0.1100 | | 5847 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-HER305-TTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 3 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | 150 ° C | 3A | 70pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
| RM830 | 0.2400 | | 2168 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM830 | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250 µA | ± 30V | 900 pf @ 25 V | - | 87.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| RBU2005M | 0.8900 | | 2116 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-sip, RBU | Estándar | RBU | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RBU2005M | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1.1 v @ 10 a | 5 µA @ 600 V | 20 A | Fase única | 600 V | |||||||||||||||||||||||||||
| Rs1505mls | 1.0200 | | 9914 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RS-15 MLS | Estándar | Rs-15mls | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RS1505 MLS | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1.1 V @ 7.5 A | 200 na @ 600 V | 15 A | Fase única | 600 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | RM5N800TI | 0.6700 | | 6037 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM5N800TI | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 800 V | 5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2a, 10v | 4.5V @ 250 µA | ± 30V | 1320 pf @ 50 V | - | 32.4W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | CMBT2222A-T | 0.0240 | | 198 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-CMBT222222A-TTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 12,000 | 40 V | 600 mA | 10NA | NPN | 300mv @ 15 mA, 150 mA | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||
| R4000 | 0.1200 | | 9761 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Estándar | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-R4000TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 4000 V | 5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 4000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| Rmd0a8p20es9 | 0.0600 | | 7140 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | RMD0A8 | Mosfet (Óxido de metal) | 800MW (TA) | Sot-363-6l | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RMD0A8P20ES9TR | 8541.10.0080 | 30,000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 800 mA (TA) | 1.2ohm @ 500 mA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 0.0018C @ 4.5V | 87pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||
 | Rs402l | 0.7800 | | 6889 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RS-4L | Estándar | RS-4L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RS402L | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.05 v @ 4 a | 2 µA @ 100 V | 4 A | Fase única | 100 V | |||||||||||||||||||||||||||
| RM2303 | 0.0450 | | 2195 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM2303TR | 8541.10.0080 | 30,000 | Canal P | 30 V | 2a (TA) | 4.5V, 10V | 130mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 226 pf @ 15 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | HVM14 | 1.3500 | | 3376 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Axial | Estándar | HVM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-HVM14 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 14000 V | 14 V @ 350 Ma | 5 µA @ 14000 V | -20 ° C ~ 150 ° C | 350 mm | - | ||||||||||||||||||||||||||
| RM21N700T2 | 1.3300 | | 4395 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM21N700T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 700 V | 21a (TC) | 10V | 190mohm @ 10.5a, 10v | 3.5V @ 250 µA | ± 30V | 1950 pf @ 50 V | - | 200W (TC) |
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