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Productos de semiconductoros discretos (885)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
RBU403M Rectron USA RBU403M 0.7900
RFQ
 ECAD 6496 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-sip, RBU Estándar RBU descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RBU403M EAR99 8541.10.0080 2,000 1 v @ 4 a 1 µA @ 200 V 4 A Fase única 200 V
KSLDB3200S Rectron USA KSLDB3200S 0.4500
RFQ
 ECAD 1432 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Schottky Sldbs descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-kksldb3200str EAR99 8541.10.0080 40,000 900 MV @ 3 A 2 µA @ 200 V 3 A Fase única 200 V
RM20N650HD Rectron USA RM20N650HD 1.0400
RFQ
 ECAD 5912 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM20N650HDTR 8541.10.0080 8,000 N-canal 650 V 20A (TC) 10V 210mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA ± 30V 2600 pf @ 50 V - 180W (TC)
RM12P30S8 Rectron USA RM12P30S8 0.1650
RFQ
 ECAD 7635 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM12P30S8TR 8541.10.0080 40,000 Canal P 30 V 12a (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA ± 20V 1750 pf @ 15 V - 3W (TA)
RM4N650T2 Rectron USA RM4N650T2 0.4500
RFQ
 ECAD 6988 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM4N650T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 650 V 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250 µA ± 30V 280 pf @ 50 V - 46W (TC)
RM2A3P60S4 Rectron USA RM2A3P60S4 0.1000
RFQ
 ECAD 2753 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2A3P60S4TR 8541.10.0080 30,000 Canal P 60 V 2.3a (TA) 4.5V, 10V 180mohm @ 2a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 600 pf @ 15 V - 1.5W (TA)
RS1506MLS Rectron USA Rs1506mls 1.0200
RFQ
 ECAD 2272 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-15 MLS Estándar Rs-15mls descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS1506 MLS EAR99 8541.10.0080 2,000 1.1 V @ 7.5 A 200 na @ 800 V 15 A Fase única 800 V
MP352 Rectron USA Mp32 2.2000
RFQ
 ECAD 4301 0.00000000 RECTRON USA - Banda Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis 4 Cuadrado, MP-35 Estándar MP-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-MP352 EAR99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 17.5 A 500 na @ 200 V 35 A Fase única 200 V
MP354W Rectron USA MP354W 2.2000
RFQ
 ECAD 2351 0.00000000 RECTRON USA - Banda Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, MP-25W Estándar MP-25W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-MP354W EAR99 8541.10.0080 1,000 1.05 V @ 17.5 A 500 na @ 400 V 35 A Fase única 400 V
RM5N700LD Rectron USA RM5N700LD 0.4700
RFQ
 ECAD 4418 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM5N700LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 700 V 5A (TC) 10V 950mohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250 µA ± 30V 460 pf @ 50 V - 49W (TC)
RS1004M Rectron USA Rs1004m 0.9800
RFQ
 ECAD 8070 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-10M Estándar Rs-10m descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS1004M EAR99 8541.10.0080 1.800 1.1 v @ 5 a 5 µA @ 400 V 10 A Fase única 400 V
RS2004MLS Rectron USA Rs2004mls 1.2000
RFQ
 ECAD 5024 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-20MLS Estándar Rs-20 mls descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-rs2004mls EAR99 8541.10.0080 2,000 1 V @ 10 A 5 µA @ 400 V 20 A Fase única 400 V
RS402L Rectron USA Rs402l 0.7800
RFQ
 ECAD 6889 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-4L Estándar RS-4L descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS402L EAR99 8541.10.0080 1.500 1.05 v @ 4 a 2 µA @ 100 V 4 A Fase única 100 V
MDA206G Rectron USA Mda206g 0.5500
RFQ
 ECAD 4290 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-1 Estándar RS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-MDA206G EAR99 8541.10.0080 4.800 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 600 V 2 A Fase única 600 V
MD4S Rectron USA MD4S 0.1200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar MD-S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-md4str EAR99 8541.10.0080 12,000 1 V @ 400 Ma 1 µA @ 400 V 800 Ma Fase única 400 V
RBU2507M Rectron USA RBU2507M 0.7900
RFQ
 ECAD 9076 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-sip, RBU Estándar RBU descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RBU2507M EAR99 8541.10.0080 2,000 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 1000 V 25 A Fase única 1 kV
MD4F Rectron USA MD4F 0.3300
RFQ
 ECAD 6626 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar MD-S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-MD4FTR EAR99 8541.10.0080 24,000 1 V @ 500 Ma 1 µA @ 400 V 1 A Fase única 400 V
RS102M Rectron USA Rs102m 0.4700
RFQ
 ECAD 4392 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-1M Estándar RS-1M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS102M EAR99 8541.10.0080 3,400 1.1 v @ 1 a 2 µA @ 100 V 1 A Fase única 100 V
BR1010 Rectron USA BR1010 0.9800
RFQ
 ECAD 2815 0.00000000 RECTRON USA - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 4 Cuadrados, BR-8 Estándar BR-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-Br1010 EAR99 8541.10.0080 1.600 1.1 v @ 5 a 5 µA @ 1000 V 6 A Fase única 1 kV
SLDB104S Rectron USA Sldb104s 0.3500
RFQ
 ECAD 6089 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar Sldbs descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-SLDB104STR EAR99 8541.10.0080 40,000 1 V @ 1 A 1 µA @ 400 V 1 A Fase única 400 V
RS606M Rectron USA Rs606m 0.9800
RFQ
 ECAD 5985 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-sip, Rs-6m Estándar Rs-6m descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS606M EAR99 8541.10.0080 2.400 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 800 V 6 A Fase única 800 V
RS202L Rectron USA RS202L 0.4800
RFQ
 ECAD 3245 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-2L Estándar RS-2L descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS202L EAR99 8541.10.0080 3.600 1.1 v @ 2 a 2 µA @ 100 V 2 A Fase única 100 V
RS401L Rectron USA Rs401l 0.7800
RFQ
 ECAD 7278 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-4L Estándar RS-4L descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS401L EAR99 8541.10.0080 1.500 1.05 v @ 4 a 2 µA @ 50 V 4 A Fase única 50 V
RS1002M Rectron USA Rs1002m 0.9800
RFQ
 ECAD 3087 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-10M Estándar Rs-10m descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS1002M EAR99 8541.10.0080 1.800 1.1 v @ 5 a 5 µA @ 100 V 10 A Fase única 100 V
HDB108LS Rectron USA HDB108LS 0.3300
RFQ
 ECAD 2142 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-HDB108LSTR EAR99 8541.10.0080 8,000 1.7 V @ 1 A 50 µA @ 1000 V 1 A Fase única 1 kV
DB101S Rectron USA DB101s 0.3200
RFQ
 ECAD 5467 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar DB-S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-DB101STR EAR99 8541.10.0080 8,000 1 V @ 1 A 1 µA @ 50 V 1 A Fase única 50 V
MB10F Rectron USA MB10F 0.3000
RFQ
 ECAD 7192 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar MB-F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-MB10FTR EAR99 8541.10.0080 40,000 1.1 V @ 800 Ma 1 µA @ 1000 V 800 Ma Fase única 1 kV
1N5404G-T Rectron USA 1N5404G-T 0.1100
RFQ
 ECAD 2945 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-1N5404G-TTR EAR99 8541.10.0080 1.200 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 980 MV @ 3 A 500 na @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
RM5A1P30S6 Rectron USA RM5A1P30S6 0.0760
RFQ
 ECAD 4647 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM5A1P30S6TR 8541.10.0080 30,000 Canal P 30 V 5.1a (TA) 4.5V, 10V 32mohm @ 4a, 10v 2.2V @ 250 µA ± 20V 1280 pf @ 15 V - 1.56W (TA)
R1200 Rectron USA R1200 0.0310
RFQ
 ECAD 7095 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-R1200TR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 1200 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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