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Productos de semiconductoros discretos (885)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Real - Promedio Rectificado (IO) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
RM3010 Rectron USA RM3010 0.1300
RFQ
 ECAD 6757 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM3010TR 8541.10.0080 40,000 N-canal 30 V 10a (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA ± 20V 1550 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
RM20N150LD Rectron USA RM20N150LD 0.2600
RFQ
 ECAD 1142 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM20N150LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 150 V 20A (TA) 10V 65mohm @ 10a, 10v 4.5V @ 250 µA ± 20V 600 pf @ 75 V - 68W (TA)
RM4N650LD Rectron USA RM4N650LD 0.3300
RFQ
 ECAD 3330 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM4N650LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 650 V 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250 µA ± 30V 280 pf @ 50 V - 46W (TC)
RM80N20DN Rectron USA RM80N20DN 0.2600
RFQ
 ECAD 3119 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-Papak (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM80N20DNTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 20 V 80a (TC) 1.8V, 4.5V 3.5mohm @ 15a, 4.5V 1V @ 250 µA ± 12V 5500 pf @ 10 V - 66W (TC)
RM35N30DN Rectron USA RM35N30DN 0.2500
RFQ
 ECAD 1173 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN-EP (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM35N30DNTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 30 V 35A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA ± 20V 1265 pf @ 15 V - 35W (TC)
RM830 Rectron USA RM830 0.2400
RFQ
 ECAD 2168 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM830 8541.10.0080 5,000 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 µA ± 30V 900 pf @ 25 V - 87.5W (TC)
2N7002KD1 Rectron USA 2N7002KD1 0.0300
RFQ
 ECAD 1143 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-101, SOT-883 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) DFN1006-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-2N7002KD1TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 60 V 350MA (TA) 5V, 10V 2.8ohm @ 200 MMA, 10V 1.9V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 350MW (TA)
RM50N60T2 Rectron USA RM50N60T2 0.2400
RFQ
 ECAD 2291 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM50N60T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 60 V 50A (TC) 10V 20mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 2050 pf @ 30 V - 85W (TC)
RM40P07 Rectron USA RM40P07 0.1450
RFQ
 ECAD 3800 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM40P07TR 8541.10.0080 40,000 Canal P 40 V 6.2a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 1750 pf @ 20 V - 2.5W (TA)
RM13P40S8 Rectron USA RM13P40S8 0.2700
RFQ
 ECAD 7991 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM13P40S8TR 8541.10.0080 40,000 Canal P 40 V 13a (TA) 10V 15mohm @ 12a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 2800 pf @ 20 V - 2.5W (TA)
RM5N800TI Rectron USA RM5N800TI 0.6700
RFQ
 ECAD 6037 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM5N800TI 8541.10.0080 5,000 N-canal 800 V 5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2a, 10v 4.5V @ 250 µA ± 30V 1320 pf @ 50 V - 32.4W (TC)
RMD0A8P20ES9 Rectron USA Rmd0a8p20es9 0.0600
RFQ
 ECAD 7140 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RMD0A8 Mosfet (Óxido de metal) 800MW (TA) Sot-363-6l descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RMD0A8P20ES9TR 8541.10.0080 30,000 2 Canal P (Dual) 20V 800 mA (TA) 1.2ohm @ 500 mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.0018C @ 4.5V 87pf @ 10V -
RM4P30S6 Rectron USA RM4P30S6 0.0520
RFQ
 ECAD 2091 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM4P30S6TR 8541.10.0080 30,000 Canal P 30 V 4.2a (TA) 2.5V, 10V 55mohm @ 4.2a, 10V 1.3V @ 250 µA ± 12V 880 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
RM120N40T2 Rectron USA RM120N40T2 0.5100
RFQ
 ECAD 6176 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM120N40T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 40 V 120a (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 5400 pf @ 20 V - 130W (TC)
RM10N30D2 Rectron USA RM10N30D2 0.0720
RFQ
 ECAD 9869 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn Mosfet (Óxido de metal) 6-PQFN (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM10N30D2TR 8541.10.0080 25,000 N-canal 30 V 10a (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 11a, 10v 2V @ 250 µA ± 20V 1415 pf @ 15 V - 730MW (TA)
RM6602 Rectron USA RM6602 0.1300
RFQ
 ECAD 9658 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 RM660 Mosfet (Óxido de metal) 1.2W (TA) TSOT-23-6L descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM6602TR 8541.10.0080 30,000 Vecino del canal 30V 3.5a (TA), 2.7a (TA) 58mohm @ 3.5a, 10v, 100mohm @ 2.7a, 10v 2.2V @ 250 µA, 2.5V @ 250 µA 5NC @ 10V 210pf @ 15V, 199pf @ 15V -
RM3401 Rectron USA RM3401 0.0440
RFQ
 ECAD 3553 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM3401TR 8541.10.0080 30,000 Canal P 30 V 4.2a (TA) 2.5V, 10V 55mohm @ 4.2a, 10V 1.3V @ 250 µA ± 12V 880 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
RM2303 Rectron USA RM2303 0.0450
RFQ
 ECAD 2195 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2303TR 8541.10.0080 30,000 Canal P 30 V 2a (TA) 4.5V, 10V 130mohm @ 2a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 226 pf @ 15 V - 1W (TA)
RM9926 Rectron USA RM9926 0.0840
RFQ
 ECAD 7144 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) RM99 Mosfet (Óxido de metal) 1.25W (TA) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM9926TR 8541.10.0080 40,000 2 Canal N (Dual) 20V 6a (TA) 28mohm @ 6a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 10NC @ 4.5V 640pf @ 10V -
RM5N700LD Rectron USA RM5N700LD 0.4700
RFQ
 ECAD 4418 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM5N700LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 700 V 5A (TC) 10V 950mohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250 µA ± 30V 460 pf @ 50 V - 49W (TC)
RM150N100T2 Rectron USA RM150N100T2 0.8400
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM150N100T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 100 V 150A (TC) 10V 4.2mohm @ 70a, 10v 4V @ 250 µA +20V, -12V 6680 pf @ 50 V - 275W (TC)
RM24N200TI Rectron USA RM24N200TI 0.4400
RFQ
 ECAD 3535 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM24N200TI 8541.10.0080 5,000 N-canal 220 V 24a (TA) 10V 80mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 4200 pf @ 25 V - 45W (TA)
RM3404 Rectron USA RM3404 0.0480
RFQ
 ECAD 3718 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM3404TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 30 V 5.8a (TA) 4.5V, 10V 31mohm @ 5a, 10v 2.4V @ 250 µA ± 20V 255 pf @ 15 V - 1.4W (TA)
RM180N100T2 Rectron USA RM180N100T2 1.5100
RFQ
 ECAD 5783 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM180N100T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 100 V 180A (TC) 10V 3mohm @ 100a, 10v 4.5V @ 250 µA ± 20V 1150 pf @ 50 V - 300W (TC)
RM002N30DF Rectron USA RM002N30DF 0.3200
RFQ
 ECAD 9560 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN (5x6) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM002N30DFTR 8541.10.0080 40,000 N-canal 30 V 85A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250 µA ± 20V 4345 pf @ 15 V - 187W (TC)
RM2P60S2 Rectron USA RM2P60S2 0.0390
RFQ
 ECAD 2132 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2P60S2TR 8541.10.0080 30,000 Canal P 60 V 1.9a (TA) 4.5V, 10V 215mohm @ 1.8a, 10v 3V @ 250 µA ± 20V 358 pf @ 30 V - 1.4W (TA)
DB201 Rectron USA DB201 0.3900
RFQ
 ECAD 1410 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) Estándar DB-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-DB201 EAR99 8541.10.0080 15,000 1.1 v @ 2 a 5 µA @ 50 V 2 A Fase única 50 V
RS204M Rectron USA Rs204m 0.5500
RFQ
 ECAD 8672 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-2M Estándar RS-2M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS204M EAR99 8541.10.0080 2.700 1.05 v @ 2 a 200 na @ 400 V 2 A Fase única 400 V
KBL406 Rectron USA KBL406 0.5500
RFQ
 ECAD 5006 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBL Estándar KBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-KBL406 EAR99 8541.10.0080 4.600 1.1 v @ 4 a 10 µA @ 600 V 4 A Fase única 600 V
KBL403 Rectron USA KBL403 0.5500
RFQ
 ECAD 7519 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBL Estándar KBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-KBL403 EAR99 8541.10.0080 4.600 1.1 v @ 4 a 10 µA @ 200 V 4 A Fase única 200 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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