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Productos de semiconductoros discretos (885)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
RM3075S8(N) Rectron USA RM3075S8 (N) 0.1700
RFQ
 ECAD 1414 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) RM3075 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM3075S8 (N) TR 8541.10.0080 40,000 Vecino del canal 30V 6.8a (TA), 4.6a (TA) 27mohm @ 6.8a, 10V 2.3V @ 10 µA 14nc @ 10V, 16nc @ 10V 383pf @ 15V -
RM3401Y Rectron USA RM3401Y 0.0460
RFQ
 ECAD 5047 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-rm3401ytr 8541.10.0080 30,000 Canal P 30 V 4.2a (TA) 2.5V, 10V 55mohm @ 4.2a, 10V 1.3V @ 250 µA ± 12V 880 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
RM130N200HD Rectron USA RM130N200HD 3.8400
RFQ
 ECAD 4700 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM130N200HDTR 8541.10.0080 8,000 N-canal 200 V 132a (TC) 10V 10.7mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 4970 pf @ 100 V - 429W (TC)
RM20N650HD Rectron USA RM20N650HD 1.0400
RFQ
 ECAD 5912 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM20N650HDTR 8541.10.0080 8,000 N-canal 650 V 20A (TC) 10V 210mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA ± 30V 2600 pf @ 50 V - 180W (TC)
HVM16 Rectron USA HVM16 2.1000
RFQ
 ECAD 7709 0.00000000 RECTRON USA - Una granela Activo A Través del Aguetero Axial Estándar HVM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-HVM16 EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 16000 V 14 V @ 350 Ma 5 µA @ 16000 V -20 ° C ~ 150 ° C 350 mm -
RM2305 Rectron USA RM2305 0.0490
RFQ
 ECAD 2178 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2305TR 8541.10.0080 30,000 Canal P 20 V 3A (TA), 4.1A (TC) 2.5V, 4.5V 52mohm @ 4.1a, 4.5V 1V @ 250 µA ± 12V 740 pf @ 4 V - 1.7w (TA)
1N4005 Rectron USA 1N4005 0.0350
RFQ
 ECAD 2273 0.00000000 RECTRON USA Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2516-1N4005TR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 V @ 1 A 200 na @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
FM2500W Rectron USA FM2500W 0.0540
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar Smx descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-FM2500WTR EAR99 8541.10.0080 7,500 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2500 V 2 V @ 150 Ma 5 µA @ 2500 V -55 ° C ~ 150 ° C 150 Ma 35pf @ 4V, 1MHz
RM2A8N60S4 Rectron USA RM2A8N60S4 0.1100
RFQ
 ECAD 9497 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2A8N60S4TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 60 V 2.8a (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 2.5a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 715 pf @ 15 V - 1.5W (TA)
RM80N30DN Rectron USA RM80N30DN 0.2900
RFQ
 ECAD 6630 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-Papak (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM80N30DNTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 24a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 3190 pf @ 25 V - 66W (TC)
RM8N650TI Rectron USA RM8N650TI 0.5200
RFQ
 ECAD 1596 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM8N650TI 8541.10.0080 5,000 N-canal 650 V 8a (TJ) 10V 450mohm @ 4a, 10v 3.5V @ 250 µA ± 30V 680 pf @ 50 V - 31.7W (TC)
RS807M Rectron USA Rs807m 0.9100
RFQ
 ECAD 9826 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-8M Estándar Rs-8m descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS807M EAR99 8541.10.0080 2.400 1.05 v @ 8 a 500 na @ 1000 V 8 A Fase única 1 kV
RM11N800TI Rectron USA RM11N800TI 1.4400
RFQ
 ECAD 3242 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM11N800TI 8541.10.0080 5,000 N-canal 800 V 11a (TJ) 10V 420mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA ± 30V 2600 pf @ 50 V - 33.8W (TC)
R2000F-T Rectron USA R2000F-T 0.0550
RFQ
 ECAD 9459 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-R2000F-TTR EAR99 8541.10.0080 5,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 4 V @ 200 Ma 500 ns 5 µA @ 2000 V -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA -
BZX84C6V8 Rectron USA BZX84C6V8 0.0800
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C6 350 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2516-BZX84C6V8TR EAR99 8541.10.0080 6,000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 4 V 6.8 V 15 ohmios
RM45P20D3 Rectron USA RM45P20D3 0.2500
RFQ
 ECAD 9074 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN-EP (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM45P20D3TR 8541.10.0080 25,000 Canal P 19 V 45a (TC) 1.8V, 4.5V 7mohm @ 20a, 4.5V 1V @ 250 µA ± 12V 3500 pf @ 10 V - 80W (TC)
RM60N75LD Rectron USA RM60N75LD 0.4100
RFQ
 ECAD 3866 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM60N75LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 75 V 60A (TC) 10V 8.5mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 4400 pf @ 25 V - 140W (TC)
RM100N60T7 Rectron USA RM100N60T7 0.6800
RFQ
 ECAD 4789 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM100N60T7 8541.10.0080 1.800 N-canal 60 V 100A (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 4800 pf @ 30 V - 170W (TC)
RBU2507M Rectron USA RBU2507M 0.7900
RFQ
 ECAD 9076 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-sip, RBU Estándar RBU descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RBU2507M EAR99 8541.10.0080 2,000 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 1000 V 25 A Fase única 1 kV
DB152S Rectron USA Db152s 0.3900
RFQ
 ECAD 4784 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar DB-S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-dB152str EAR99 8541.10.0080 8,000 1 V @ 1.5 A 1 µA @ 100 V 1.5 A Fase única 100 V
DRS206K Rectron USA DRS206K 0.4200
RFQ
 ECAD 7771 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-ESIP Estándar D3K descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-DRS206K EAR99 8541.10.0080 9,000 1.1 v @ 2 a 1 µA @ 800 V 2 A Fase única 800 V
RM9926 Rectron USA RM9926 0.0840
RFQ
 ECAD 7144 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) RM99 Mosfet (Óxido de metal) 1.25W (TA) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM9926TR 8541.10.0080 40,000 2 Canal N (Dual) 20V 6a (TA) 28mohm @ 6a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 10NC @ 4.5V 640pf @ 10V -
DTC123JKA Rectron USA Dtc123jka 0.0410
RFQ
 ECAD 8984 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-dtc123jkatr EAR99 8541.10.0080 30,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 46.2 kohms
RM11N800T2 Rectron USA RM11N800T2 1.4400
RFQ
 ECAD 7116 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM11N800T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 800 V 11a (TC) 10V 420mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA ± 30V 2600 pf @ 50 V - 188W (TC)
RM50N60T2 Rectron USA RM50N60T2 0.2400
RFQ
 ECAD 2291 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM50N60T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 60 V 50A (TC) 10V 20mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 2050 pf @ 30 V - 85W (TC)
RS107M Rectron USA Rs107m 0.4700
RFQ
 ECAD 3106 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-1M Estándar RS-1M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS107M EAR99 8541.10.0080 3,400 1.1 v @ 1 a 2 µA @ 1000 V 1 A Fase única 1 kV
MP151W Rectron USA MP151W 1.8500
RFQ
 ECAD 5457 0.00000000 RECTRON USA - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 4 Cuadrado, MP-15 Estándar MP-15 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-MP151W EAR99 8541.10.0080 1,000 1.05 V @ 7.5 A 500 na @ 100 V 15 A Fase única 100 V
RS2003M Rectron USA Rs2003m 1.1600
RFQ
 ECAD 3884 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, Rs-20m Estándar Rs-20m descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS2003M EAR99 8541.10.0080 1.200 1.1 v @ 10 a 5 µA @ 200 V 20 A Fase única 200 V
RBU602M Rectron USA RBU602M 0.7900
RFQ
 ECAD 4871 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-sip, RBU Estándar RBU descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RBU602M EAR99 8541.10.0080 2,000 1 v @ 6 a 1 µA @ 100 V 6 A Fase única 100 V
SLDB103S Rectron USA Sldb103s 0.3500
RFQ
 ECAD 7069 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar Sldbs descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-sldb103str EAR99 8541.10.0080 40,000 1 V @ 1 A 1 µA @ 200 V 1 A Fase única 200 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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