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Productos de semiconductoros discretos (885)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Edb104 | 0.5400 |  | 1109 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) | Estándar | DB-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-edb104 | EAR99 | 8541.10.0080 | 15,000 | 1.05 v @ 1 a | 5 µA @ 200 V | 1 A | Fase única | 200 V | |||||||||||||||||||||||||
 | FM4002-W | 0.0350 | | 5512 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-FM4002-WTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 V @ 1 A | 500 na @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | MP251W | 1.8500 | | 7267 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, MP-25W | Estándar | MP-25W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-MP251W | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 100 V | 25 A | Fase única | 100 V | |||||||||||||||||||||||||
 | 1N4004G-T | 0.0280 | | 2955 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-1N4004G-TTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1 V @ 1 A | 200 na @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | DRS204K | 0.4200 | | 9767 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | Estándar | D3K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-DRS204K | EAR99 | 8541.10.0080 | 9,000 | 1.1 v @ 2 a | 1 µA @ 400 V | 2 A | Fase única | 400 V | |||||||||||||||||||||||||
 | FM4003W-W | 0.0350 | | 1875 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | Smx | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-FM4003W-WTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | RBU806M | 0.7900 | | 4655 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-sip, RBU | Estándar | RBU | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RBU806M | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1 v @ 8 a | 500 na @ 800 V | 8 A | Fase única | 800 V | |||||||||||||||||||||||||
 | HVM16 | 2.1000 | | 7709 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Axial | Estándar | HVM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-HVM16 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 16000 V | 14 V @ 350 Ma | 5 µA @ 16000 V | -20 ° C ~ 150 ° C | 350 mm | - | ||||||||||||||||||||||||
 | RM130N200T2 | 3.8400 | | 4306 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM130N200T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 200 V | 132a (TC) | 10V | 11mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 20V | 4970 pf @ 100 V | - | 429W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | RM100N30DF | 0.3600 | | 1653 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM100N30DFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 5000 pf @ 15 V | - | 65W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | RM50N60IP | 0.2200 | | 1701 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM50N60IP | 8541.10.0080 | 4.000 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 20mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 900 pf @ 25 V | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||||||
| RM30N250DF | 1.2100 | | 4091 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM30N250DFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | N-canal | 250 V | 29a (TC) | 10V | 64mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 20V | 1584 pf @ 100 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | R8KH | 1.2600 | | 8374 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Axial | Estándar | Axial | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-R8KH | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 8700 V | 14 V @ 350 Ma | 150 ns | 5 µA @ 8700 V | 130 ° C | 380 Ma | - | |||||||||||||||||||||||
 | RM2304 | 0.0450 | | 4923 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM2304TR | 8541.10.0080 | 30,000 | N-canal | 30 V | 3.6a (TA) | 4.5V, 10V | 58mohm @ 3.6a, 10V | 2.2V @ 250 µA | ± 20V | 230 pf @ 15 V | - | 1.7w (TA) | |||||||||||||||||||||
 | R2000 | 0.0490 | | 7573 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-R2000TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2000 V | 1.3 V @ 1 A | 5 µA @ 2000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||
 | FR605-T | 0.1950 | | 5673 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | R-6, axial | Estándar | R-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-FR605-TTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 6 A | 250 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 150pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
 | RM42P30DN | 0.1550 | | 4027 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN-EP (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM42P30DNTR | 8541.10.0080 | 25,000 | Canal P | 30 V | 42a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 2215 pf @ 15 V | - | 37W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | Fmd2s | 0.3300 | | 1897 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Estándar | MD-S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-FMD2STR | EAR99 | 8541.10.0080 | 24,000 | 1.3 V @ 400 Ma | 10 µA @ 100 V | 500 mA | Fase única | 100 V | |||||||||||||||||||||||||
 | RMA7P20ED1 | 0.0290 | | 7509 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | Mosfet (Óxido de metal) | DFN1006-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RMA7P20ED1TR | 8541.10.0080 | 40,000 | Canal P | 20 V | 700 mA (TC) | 2.5V, 4.5V | 420mohm @ 500 mA, 4.5V | 1V @ 250 µA | ± 8V | 52 pf @ 4 V | - | 900MW (TA) | |||||||||||||||||||||
 | HER305-T | 0.1100 | | 5847 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-HER305-TTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 3 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | 150 ° C | 3A | 70pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
 | R3000F | 0.1800 | | 2433 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Estándar | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-R3000FTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 3000 V | 5 V @ 200 Ma | 500 ns | 5 µA @ 3000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
 | RM13P40S8 | 0.2700 | | 7991 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM13P40S8TR | 8541.10.0080 | 40,000 | Canal P | 40 V | 13a (TA) | 10V | 15mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 2800 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||
| RM25P30S8 | 0.3500 | | 8986 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM25P30S8TR | 8541.10.0080 | 40,000 | Canal P | 30 V | 25A (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 3960 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA) | |||||||||||||||||||||
| HVM12 | 1.3500 | | 5239 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Axial | Estándar | HVM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-HVM12 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 12000 V | 14 V @ 350 Ma | 5 µA @ 12000 V | -20 ° C ~ 150 ° C | 350 mm | - | ||||||||||||||||||||||||
 | DB1012S | 0.3200 | | 3629 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Estándar | DB-S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-DB1012STR | EAR99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 1200 V | 1 A | Fase única | 1.2 kV | |||||||||||||||||||||||||
 | RM8N650TI | 0.5200 | | 1596 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM8N650TI | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 650 V | 8a (TJ) | 10V | 450mohm @ 4a, 10v | 3.5V @ 250 µA | ± 30V | 680 pf @ 50 V | - | 31.7W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | 1N4005 | 0.0350 | | 2273 | 0.00000000 | RECTRON USA | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2516-1N4005TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1 V @ 1 A | 200 na @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
 | RM12N100LD | 0.1600 | | 6776 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM12N100LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | N-canal | 100 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 112mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 1535 pf @ 15 V | - | 34.7W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | CMBT2907A-T | 0.0240 | | 2763 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-CMBT2907A-TTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 10mA, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||
 | 10a6-t | 0.1700 | | 9569 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | R-6, axial | Estándar | R-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-10A6-TTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1.1 v @ 10 a | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 135pf @ 4V, 1MHz |
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