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Productos de semiconductoros discretos (885)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
RBU403M Rectron USA RBU403M 0.7900
RFQ
 ECAD 6496 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-sip, RBU Estándar RBU descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RBU403M EAR99 8541.10.0080 2,000 1 v @ 4 a 1 µA @ 200 V 4 A Fase única 200 V
4RS205M Rectron USA 4RS205M 0.5200
RFQ
 ECAD 9939 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-2M Estándar RS-2M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-4RS205M EAR99 8541.10.0080 3.600 1.1 v @ 4 a 2 µA @ 600 V 4 A Fase única 600 V
KSLDB3200S Rectron USA KSLDB3200S 0.4500
RFQ
 ECAD 1432 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Schottky Sldbs descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-kksldb3200str EAR99 8541.10.0080 40,000 900 MV @ 3 A 2 µA @ 200 V 3 A Fase única 200 V
RM12N100LD Rectron USA RM12N100LD 0.1600
RFQ
 ECAD 6776 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM12N100LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 100 V 12a (TC) 4.5V, 10V 112mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 1535 pf @ 15 V - 34.7W (TC)
DB101S Rectron USA DB101s 0.3200
RFQ
 ECAD 5467 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar DB-S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-DB101STR EAR99 8541.10.0080 8,000 1 V @ 1 A 1 µA @ 50 V 1 A Fase única 50 V
1N4004G-T Rectron USA 1N4004G-T 0.0280
RFQ
 ECAD 2955 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-1N4004G-TTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 V @ 1 A 200 na @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
RS1002M Rectron USA Rs1002m 0.9800
RFQ
 ECAD 3087 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-10M Estándar Rs-10m descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS1002M EAR99 8541.10.0080 1.800 1.1 v @ 5 a 5 µA @ 100 V 10 A Fase única 100 V
RM50N200T2 Rectron USA RM50N200T2 1.2200
RFQ
 ECAD 3702 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM50N200T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 200 V 51a (TC) 10V 32mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 1598 pf @ 100 V - 214W (TC)
1N5404G-T Rectron USA 1N5404G-T 0.1100
RFQ
 ECAD 2945 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-1N5404G-TTR EAR99 8541.10.0080 1.200 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 980 MV @ 3 A 500 na @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
RM3401Y Rectron USA RM3401Y 0.0460
RFQ
 ECAD 5047 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-rm3401ytr 8541.10.0080 30,000 Canal P 30 V 4.2a (TA) 2.5V, 10V 55mohm @ 4.2a, 10V 1.3V @ 250 µA ± 12V 880 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
RM20N650HD Rectron USA RM20N650HD 1.0400
RFQ
 ECAD 5912 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM20N650HDTR 8541.10.0080 8,000 N-canal 650 V 20A (TC) 10V 210mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA ± 30V 2600 pf @ 50 V - 180W (TC)
RM12P30S8 Rectron USA RM12P30S8 0.1650
RFQ
 ECAD 7635 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM12P30S8TR 8541.10.0080 40,000 Canal P 30 V 12a (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA ± 20V 1750 pf @ 15 V - 3W (TA)
RM50N60IP Rectron USA RM50N60IP 0.2200
RFQ
 ECAD 1701 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM50N60IP 8541.10.0080 4.000 N-canal 60 V 50A (TC) 10V 20mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 900 pf @ 25 V - 80W (TC)
RM4N700S4 Rectron USA RM4N700S4 0.3200
RFQ
 ECAD 2116 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Un 261-3 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM4N700S4TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 700 V 4A (TC) 10V 1.3ohm @ 2a, 10v 4V @ 250 µA ± 30V 304 pf @ 50 V - 5.2W (TC)
RM60N75LD Rectron USA RM60N75LD 0.4100
RFQ
 ECAD 3866 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM60N75LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 75 V 60A (TC) 10V 8.5mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 4400 pf @ 25 V - 140W (TC)
RM2305B Rectron USA RM2305B 0.0390
RFQ
 ECAD 9804 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2305BTR 8541.10.0080 30,000 Canal P 20 V 3A (TA), 4.1A (TC) 1.8V, 4.5V 52mohm @ 4.1a, 4.5V 1V @ 250 µA ± 12V 740 pf @ 4 V - 1.7w (TA)
RM12N650IP Rectron USA RM12N650IP 0.5400
RFQ
 ECAD 5130 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM12N650IP 8541.10.0080 40,000 N-canal 650 V 11.5A (TC) 10V 360mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA ± 30V 870 pf @ 50 V - 101W (TC)
RM4N650T2 Rectron USA RM4N650T2 0.4500
RFQ
 ECAD 6988 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM4N650T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 650 V 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250 µA ± 30V 280 pf @ 50 V - 46W (TC)
RM2308 Rectron USA RM2308 0.0690
RFQ
 ECAD 1219 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2308TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 60 V 3a (TA) 4.5V, 10V 105mohm @ 3a, 10v 1.9V @ 250 µA ± 20V 247 pf @ 30 V - 1.7w (TA)
RM45P20D3 Rectron USA RM45P20D3 0.2500
RFQ
 ECAD 9074 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN-EP (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM45P20D3TR 8541.10.0080 25,000 Canal P 19 V 45a (TC) 1.8V, 4.5V 7mohm @ 20a, 4.5V 1V @ 250 µA ± 12V 3500 pf @ 10 V - 80W (TC)
RM100N60T7 Rectron USA RM100N60T7 0.6800
RFQ
 ECAD 4789 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM100N60T7 8541.10.0080 1.800 N-canal 60 V 100A (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 4800 pf @ 30 V - 170W (TC)
DTC123JKA Rectron USA Dtc123jka 0.0410
RFQ
 ECAD 8984 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-dtc123jkatr EAR99 8541.10.0080 30,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 46.2 kohms
RM8N650TI Rectron USA RM8N650TI 0.5200
RFQ
 ECAD 1596 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM8N650TI 8541.10.0080 5,000 N-canal 650 V 8a (TJ) 10V 450mohm @ 4a, 10v 3.5V @ 250 µA ± 30V 680 pf @ 50 V - 31.7W (TC)
RM110N82T2 Rectron USA RM110N82T2 0.4400
RFQ
 ECAD 9356 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM110N82T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 82 V 110A (TC) 10V 7mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 6400 pf @ 40 V - 200W (TC)
RM2A3P60S4 Rectron USA RM2A3P60S4 0.1000
RFQ
 ECAD 2753 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2A3P60S4TR 8541.10.0080 30,000 Canal P 60 V 2.3a (TA) 4.5V, 10V 180mohm @ 2a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 600 pf @ 15 V - 1.5W (TA)
RS1506MLS Rectron USA Rs1506mls 1.0200
RFQ
 ECAD 2272 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-15 MLS Estándar Rs-15mls descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS1506 MLS EAR99 8541.10.0080 2,000 1.1 V @ 7.5 A 200 na @ 800 V 15 A Fase única 800 V
RM11N800TI Rectron USA RM11N800TI 1.4400
RFQ
 ECAD 3242 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM11N800TI 8541.10.0080 5,000 N-canal 800 V 11a (TJ) 10V 420mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA ± 30V 2600 pf @ 50 V - 33.8W (TC)
RM27P30LDV Rectron USA RM27P30LDV 0.1600
RFQ
 ECAD 2318 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM27P30LDVTR 8541.10.0080 25,000 Canal P 30 V 27a (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 12a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 930 pf @ 15 V - 40W (TC)
RM2306E Rectron USA RM2306E 0.0550
RFQ
 ECAD 7571 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2306 8541.10.0080 30,000 N-canal 30 V 5.3a (TA) 4.5V, 10V 31mohm @ 6.7a, 10v 3V @ 250 µA ± 20V 370 pf @ 15 V - 1.39W (TA)
RM5A1P30S6 Rectron USA RM5A1P30S6 0.0760
RFQ
 ECAD 4647 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM5A1P30S6TR 8541.10.0080 30,000 Canal P 30 V 5.1a (TA) 4.5V, 10V 32mohm @ 4a, 10v 2.2V @ 250 µA ± 20V 1280 pf @ 15 V - 1.56W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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