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Productos de semiconductoros discretos (885)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
RM21N650T7 Rectron USA RM21N650T7 1.6000
RFQ
 ECAD 1597 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM21N650T7 8541.10.0080 1.800 N-canal 650 V 21a (TC) 10V 180mohm @ 10.5a, 10v 3.5V @ 250 µA ± 30V 1950 pf @ 50 V - 200W (TC)
RM12N650IP Rectron USA RM12N650IP 0.5400
RFQ
 ECAD 5130 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM12N650IP 8541.10.0080 40,000 N-canal 650 V 11.5A (TC) 10V 360mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA ± 30V 870 pf @ 50 V - 101W (TC)
R4000 Rectron USA R4000 0.1200
RFQ
 ECAD 9761 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar Do-15 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-R4000TR EAR99 8541.10.0080 20,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 4000 V 5 V @ 200 Ma 5 µA @ 4000 V -55 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 30pf @ 4V, 1 MHz
1N4007 Rectron USA 1N4007 0.0300
RFQ
 ECAD 219 0.00000000 RECTRON USA Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2516-1N4007TR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 V @ 1 A 200 na @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
RM2P60S2 Rectron USA RM2P60S2 0.0390
RFQ
 ECAD 2132 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2P60S2TR 8541.10.0080 30,000 Canal P 60 V 1.9a (TA) 4.5V, 10V 215mohm @ 1.8a, 10v 3V @ 250 µA ± 20V 358 pf @ 30 V - 1.4W (TA)
RM80N30DN Rectron USA RM80N30DN 0.2900
RFQ
 ECAD 6630 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-Papak (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM80N30DNTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 24a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 3190 pf @ 25 V - 66W (TC)
RM24N200TI Rectron USA RM24N200TI 0.4400
RFQ
 ECAD 3535 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM24N200TI 8541.10.0080 5,000 N-canal 220 V 24a (TA) 10V 80mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 4200 pf @ 25 V - 45W (TA)
RM4N700S4 Rectron USA RM4N700S4 0.3200
RFQ
 ECAD 2116 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Un 261-3 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM4N700S4TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 700 V 4A (TC) 10V 1.3ohm @ 2a, 10v 4V @ 250 µA ± 30V 304 pf @ 50 V - 5.2W (TC)
RM5A1P30S6 Rectron USA RM5A1P30S6 0.0760
RFQ
 ECAD 4647 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM5A1P30S6TR 8541.10.0080 30,000 Canal P 30 V 5.1a (TA) 4.5V, 10V 32mohm @ 4a, 10v 2.2V @ 250 µA ± 20V 1280 pf @ 15 V - 1.56W (TA)
RM100N60T7 Rectron USA RM100N60T7 0.6800
RFQ
 ECAD 4789 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM100N60T7 8541.10.0080 1.800 N-canal 60 V 100A (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 4800 pf @ 30 V - 170W (TC)
RM60P60HD Rectron USA RM60P60HD 0.5400
RFQ
 ECAD 1158 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM60P60HDTR 8541.10.0080 8,000 Canal P 60 V 61a (TA) 6V, 10V 22mohm @ 15a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 3200 pf @ 25 V - 171W (TA)
HVM14 Rectron USA HVM14 1.3500
RFQ
 ECAD 3376 0.00000000 RECTRON USA - Una granela Activo A Través del Aguetero Axial Estándar HVM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-HVM14 EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 14000 V 14 V @ 350 Ma 5 µA @ 14000 V -20 ° C ~ 150 ° C 350 mm -
RMD0A8P20ES9 Rectron USA Rmd0a8p20es9 0.0600
RFQ
 ECAD 7140 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RMD0A8 Mosfet (Óxido de metal) 800MW (TA) Sot-363-6l descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RMD0A8P20ES9TR 8541.10.0080 30,000 2 Canal P (Dual) 20V 800 mA (TA) 1.2ohm @ 500 mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.0018C @ 4.5V 87pf @ 10V -
1N4004-F Rectron USA 1N4004-F 0.0300
RFQ
 ECAD 7006 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-1N4004-FTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 V @ 1 A 200 na @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
R2000F-T Rectron USA R2000F-T 0.0550
RFQ
 ECAD 9459 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-R2000F-TTR EAR99 8541.10.0080 5,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 4 V @ 200 Ma 500 ns 5 µA @ 2000 V -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA -
RM4P30S6 Rectron USA RM4P30S6 0.0520
RFQ
 ECAD 2091 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM4P30S6TR 8541.10.0080 30,000 Canal P 30 V 4.2a (TA) 2.5V, 10V 55mohm @ 4.2a, 10V 1.3V @ 250 µA ± 12V 880 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
FFM1400W Rectron USA FFM1400W 0.0420
RFQ
 ECAD 3157 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar Smx descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-FFM1400WTR EAR99 8541.10.0080 60,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1400 V 1.8 V @ 500 Ma 300 ns 5 µA @ 1400 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 15pf @ 4V, 1 MHz
RM3401Y Rectron USA RM3401Y 0.0460
RFQ
 ECAD 5047 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-rm3401ytr 8541.10.0080 30,000 Canal P 30 V 4.2a (TA) 2.5V, 10V 55mohm @ 4.2a, 10V 1.3V @ 250 µA ± 12V 880 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
RM140N150T2 Rectron USA RM140N150T2 1.5100
RFQ
 ECAD 2150 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM140N150T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 150 V 140A (TC) 10V 6.2mohm @ 70a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 5900 pf @ 75 V - 320W (TC)
FFM1200W Rectron USA FFM1200W 0.0420
RFQ
 ECAD 6148 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar Smx descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-FFM1200WTR EAR99 8541.10.0080 60,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.8 V @ 500 Ma 300 ns 5 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 15pf @ 4V, 1 MHz
R1500F Rectron USA R1500F 0.0390
RFQ
 ECAD 6452 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-R1500FTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1500 V 2.5 V @ 500 Ma 500 ns 5 µA @ 1500 V -65 ° C ~ 175 ° C 500mA -
RM2308 Rectron USA RM2308 0.0690
RFQ
 ECAD 1219 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2308TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 60 V 3a (TA) 4.5V, 10V 105mohm @ 3a, 10v 1.9V @ 250 µA ± 20V 247 pf @ 30 V - 1.7w (TA)
RM20N150LD Rectron USA RM20N150LD 0.2600
RFQ
 ECAD 1142 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM20N150LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 150 V 20A (TA) 10V 65mohm @ 10a, 10v 4.5V @ 250 µA ± 20V 600 pf @ 75 V - 68W (TA)
RM50N200T2 Rectron USA RM50N200T2 1.2200
RFQ
 ECAD 3702 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM50N200T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 200 V 51a (TC) 10V 32mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 1598 pf @ 100 V - 214W (TC)
1N5406-F Rectron USA 1N5406-F 0.0900
RFQ
 ECAD 2711 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-1N5406-FTR EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 v @ 3 a 200 na @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
FM302-W Rectron USA FM302-W 0.0800
RFQ
 ECAD 1704 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar SMC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-FM302-WTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 v @ 3 a 1 µA @ 100 V 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
R2000FG Rectron USA R2000FG 0.0650
RFQ
 ECAD 4323 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-R2000FGTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2000 V 1.8 V @ 100 Ma 300 ns 1 µA @ 2000 V -65 ° C ~ 175 ° C 500mA -
HFM103W-W Rectron USA HFM103W-W 0.0360
RFQ
 ECAD 1465 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar Smx descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-HFM103W-WTR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 200 V 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
BZT52B5V1S Rectron USA BZT52B5V1S 0.0700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% - Montaje en superficie SC-76, SOD-323 500 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2516-BZT52B5V1STR EAR99 8541.10.0080 3.000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 2 V 5.1 V 60 ohmios
RM3401 Rectron USA RM3401 0.0440
RFQ
 ECAD 3553 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM3401TR 8541.10.0080 30,000 Canal P 30 V 4.2a (TA) 2.5V, 10V 55mohm @ 4.2a, 10V 1.3V @ 250 µA ± 12V 880 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

    Fabricantes mundiales

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