SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
RMP3N90IP Rectron USA Rmp3n90ip 0.3300
RFQ
ECAD 8056 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RMP3N90IP 8541.10.0080 4.000 N-canal 900 V 3A (TC) 10V 3.2ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250 µA ± 30V 850 pf @ 25 V - 50W (TC)
RM8810 Rectron USA RM8810 0.0900
RFQ
ECAD 4687 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 RM88 Mosfet (Óxido de metal) 1.5W (TA) Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM8810TR 8541.10.0080 30,000 2 Canal N (Dual) 20V 7a (TA) 20mohm @ 6a, 4.5V 1V @ 250 µA 14NC @ 4.5V 1295pf @ 10V -
MSB206S Rectron USA MSB206S 0.3600
RFQ
ECAD 6943 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Plomo Plano Estándar MSBS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-MSB206STR EAR99 8541.10.0080 24,000 1.1 v @ 2 a 1 µA @ 800 V 2 A Fase única 800 V
SA3L Rectron USA Sa3l 0.0300
RFQ
ECAD 400 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F Estándar SOD-123FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2516-SA3LTR EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1 A 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
RM50N60TI Rectron USA RM50N60TI 0.2400
RFQ
ECAD 2760 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM50N60TI 8541.10.0080 5,000 N-canal 60 V 50A (TA) 10V 20mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 2050 pf @ 30 V - 85W (TA)
EDB105 Rectron USA EDB105 0.5400
RFQ
ECAD 1503 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) Estándar DB-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-edb105 EAR99 8541.10.0080 15,000 1.35 v @ 1 a 5 µA @ 300 V 1 A Fase única 300 V
RM6A5P30S8 Rectron USA RM6A5P30S8 0.1900
RFQ
ECAD 7721 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) RM6A5 Mosfet (Óxido de metal) 1.5W (TA) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM6A5P30S8TR 8541.10.0080 40,000 2 Canal P (Dual) 30V 6.5a (TA) 25mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 250 µA 12.6nc @ 4.5V 1345pf @ 15V -
MD10F Rectron USA MD10F 0.3300
RFQ
ECAD 6047 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar MD-S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-MD10FTR EAR99 8541.10.0080 24,000 1 V @ 500 Ma 1 µA @ 1000 V 1 A Fase única 1 kV
MDA208G Rectron USA Mda208g 0.5500
RFQ
ECAD 5861 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-1 Estándar RS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-MDA208G EAR99 8541.10.0080 4.800 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 800 V 2 A Fase única 800 V
RM50P30D3 Rectron USA RM50P30D3 0.2300
RFQ
ECAD 3274 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN-EP (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM50P30D3TR 8541.10.0080 25,000 Canal P 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 3448 pf @ 15 V - 38W (TC)
DB106 Rectron USA DB106 0.3400
RFQ
ECAD 2698 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) Estándar DB-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-DB106 EAR99 8541.10.0080 2.500 1 V @ 1 A 1 µA @ 800 V 1 A Fase única 800 V
RM50P30DF Rectron USA RM50P30DF 0.4200
RFQ
ECAD 2671 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM50P30DFTR 8541.10.0080 25,000 Canal P 30 V 50A (TC) 10V 7mohm @ 10a, 10v 2.2V @ 250 µA ± 20V 3590 pf @ 15 V - 35W (TC)
RM15N650TI Rectron USA RM15N650TI 0.9200
RFQ
ECAD 7598 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM15N650TI 8541.10.0080 5,000 N-canal 650 V 15A (TC) 10V 260mohm @ 8a, 10v 3.5V @ 250 µA ± 30V 1360 pf @ 50 V - 33.5W (TC)
RM135N100T2 Rectron USA RM135N100T2 1.0100
RFQ
ECAD 9997 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM135N100T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 100 V 135A (TC) 10V 4.5mohm @ 60a, 10V 4.5V @ 250 µA ± 20V 7500 pf @ 50 V - 220W (TC)
RL1N1600F Rectron USA RL1N1600F 0.0380
RFQ
ECAD 3327 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Axial Estándar A-405 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RL1N1600FTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1600 V 1.8 V @ 500 Ma 300 ns 5 µA @ 1600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
RM60N40LD Rectron USA RM60N40LD 0.3300
RFQ
ECAD 5995 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM60N40LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 40 V 60A (TC) 10V 13mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 1800 pf @ 20 V - 65W (TC)
RM2302 Rectron USA RM2302 0.0420
RFQ
ECAD 7094 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2302TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 20 V 4A (TA) 2.5V, 4.5V 45mohm @ 2.9a, 4.5V 1.2V @ 250 µA ± 12V 300 pf @ 10 V - 1W (TA)
BR102 Rectron USA BR102 0.9800
RFQ
ECAD 2965 0.00000000 RECTRON USA - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 4 Cuadrados, BR-8 Estándar BR-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-Br102 EAR99 8541.10.0080 1.600 1.1 v @ 5 a 5 µA @ 200 V 6 A Fase única 200 V
RM2333 Rectron USA RM2333 0.0520
RFQ
ECAD 7834 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2333TR 8541.10.0080 30,000 Canal P 12 V 6a (TA) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 6a, 4.5V 1V @ 250 µA ± 12V 1100 pf @ 6 V - 1.8w (TA)
2N7002KS6 Rectron USA 2N7002KS6 0.0430
RFQ
ECAD 6245 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) 350MW (TA) Sot-363-6l descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-2N7002KS6TR 8541.10.0080 30,000 2 Canal N (Dual) 60V 250 mA (TA) 5ohm @ 500 mA, 10V 1.9V @ 250 µA - - -
FM4006-W Rectron USA FM4006-W 0.0350
RFQ
ECAD 5285 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-FM4006-WTR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 V @ 1 A 500 na @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
RM12N650T2 Rectron USA RM12N650T2 0.6700
RFQ
ECAD 2682 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM12N650T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 650 V 11.5A (TC) 10V 360mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA ± 30V 870 pf @ 50 V - 101W (TC)
RM6N800TI Rectron USA RM6N800TI 0.8200
RFQ
ECAD 7478 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM6N800TI 8541.10.0080 5,000 N-canal 800 V 6a (TJ) 10V 900mohm @ 4a, 10v 4V @ 250 µA ± 30V 1320 pf @ 50 V - 32.4W (TC)
RMA4N60092 Rectron USA RMA4N60092 0.1400
RFQ
ECAD 9871 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales Mosfet (Óxido de metal) Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RMA4N60092TR 8541.10.0080 10,000 N-canal 600 V 400 mA (TC) 10V 8.5ohm @ 200 MMA, 10V 5V @ 250 µA ± 30V 130 pf @ 25 V - 2.5W (TC)
HSLDB108S Rectron USA HSLDB108S 0.3300
RFQ
ECAD 4309 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar Sldbs descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-HSLDB108STR EAR99 8541.10.0080 40,000 1.7 V @ 1 A 500 na @ 1000 V 1 A Fase única 1 kV
RS3502M Rectron USA Rs3502m 2.4800
RFQ
ECAD 4268 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-sip, Rs-35m Estándar Rs-35m descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS3502M EAR99 8541.10.0080 1.200 1 V @ 17.5 A 500 na @ 100 V 35 A Fase única 100 V
RM7N40S4 Rectron USA RM7N40S4 0.2200
RFQ
ECAD 4861 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM7N40S4TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 40 V 5A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.5a, 10V 2V @ 250 µA ± 20V 770 pf @ 40 V - 16W (TA)
RM60N30DF Rectron USA RM60N30DF 0.1400
RFQ
ECAD 4964 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM60N30DFTR 8541.10.0080 40,000 N-canal 30 V 58a (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 1844 pf @ 15 V - 46W (TC)
MP154W Rectron USA MP154W 1.8500
RFQ
ECAD 4337 0.00000000 RECTRON USA - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 4 Cuadrado, MP-15 Estándar MP-15 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-MP154W EAR99 8541.10.0080 1,000 1.05 V @ 7.5 A 500 na @ 400 V 15 A Fase única 400 V
RS2502M Rectron USA Rs2502m 1.3500
RFQ
ECAD 3546 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-sip, Rs-25m Estándar Rs-25m descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS2502M EAR99 8541.10.0080 1.200 1 V @ 12.5 A 500 na @ 100 V 25 A Fase única 100 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock