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Productos de semiconductoros discretos (885)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DB207S | 0.3900 |  | 1260 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Estándar | DB-S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-DB207Str | EAR99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 1.1 v @ 2 a | 5 µA @ 1000 V | 2 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||||||||
 | W04L | 0.3800 | | 5954 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-Circular, RC-2 | Estándar | RC-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-W04L | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 1 V @ 1.5 A | 200 na @ 400 V | 1.5 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||||||||||
 | RM12N650LD | 0.5400 | | 1516 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM12N650LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | N-canal | 650 V | 11.5A (TC) | 10V | 360mohm @ 7a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 30V | 870 pf @ 50 V | - | 101W (TC) | ||||||||||||||||
 | 2kmd30s | 0.3800 | | 5583 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Schottky | MD-S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-2kmd30str | EAR99 | 8541.10.0080 | 24,000 | 550 MV @ 2 A | 200 µA @ 30 V | 2 A | Fase única | 30 V | ||||||||||||||||||||
 | DB102LS | 0.3200 | | 9148 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Estándar | DBLS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-DB102LSTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 1 V @ 1 A | 1 µA @ 100 V | 1 A | Fase única | 100 V | ||||||||||||||||||||
 | BR102 | 0.9800 | | 2965 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrados, BR-8 | Estándar | BR-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-Br102 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.600 | 1.1 v @ 5 a | 5 µA @ 200 V | 6 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||||||||||
 | Mp36 | 2.2000 | | 4737 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, MP-35 | Estándar | MP-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-MP356 | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.05 V @ 17.5 A | 500 na @ 600 V | 35 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||||||||||
 | Rs805m | 0.9100 | | 9747 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RS-8M | Estándar | Rs-8m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RS805M | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.400 | 1.05 v @ 8 a | 500 na @ 600 V | 8 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||||||||||
 | R3000g | 0.0880 | | 4128 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-R3000GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 3000 V | 3 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||
 | FM4001W-W | 0.0350 | | 4513 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | Smx | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-FM4001W-WTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
 | BR610 | 1.4000 | | 200 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-6 | Estándar | BR-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-Br610 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1.1 v @ 3 a | 5 µA @ 1000 V | 6 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||||||||
 | Rs2003mls | 1.2000 | | 4243 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RS-20MLS | Estándar | Rs-20 mls | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-rs2003mls | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1 V @ 10 A | 5 µA @ 200 V | 20 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||||||||||
| RM35P30LDV | 0.1980 | | 8698 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM35P30LDVTR | 8541.10.0080 | 25,000 | Canal P | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 1345 pf @ 15 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||
 | Mda200g | 0.5500 | | 5940 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RS-1 | Estándar | RS-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-MDA200G | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.800 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 50 V | 2 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||||||||||
 | RL1N1500F | 0.0380 | | 4358 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Axial | Estándar | A-405 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RL1N1500FTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1500 V | 1.8 V @ 500 Ma | 300 ns | 5 µA @ 1500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
| R1800 | 0.0490 | | 7994 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-R1800TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1800 V | 1.3 V @ 1 A | 5 µA @ 1800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||
 | RM6A5N30S6 | 0.0520 | | 4369 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM6A5N30S6TR | 8541.10.0080 | 30,000 | N-canal | 32 V | 6.5a (TA) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 325 pf @ 15 V | - | 2.7W (TA) | ||||||||||||||||
| Mda210g | 0.5500 | | 3433 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RS-1 | Estándar | RS-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-MDA210G | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.800 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 1000 V | 2 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||||||||
| DB157LS | 0.3900 | | 3673 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Estándar | DBLS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-DB157LSTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 1 V @ 1.5 A | 1 µA @ 1000 V | 1.5 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||||||||
 | HVM8 | 1.3100 | | 6117 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Axial | Estándar | HVM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-HVM8 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 8000 V | 14 V @ 350 Ma | 5 µA @ 8000 V | -20 ° C ~ 150 ° C | 350 mm | - | |||||||||||||||||||
| MP256 | 1.8500 | | 7609 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrados, MP-25 | Estándar | MP-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-MP256 | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.05 V @ 12.5 A | 500 na @ 600 V | 25 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||||||||||
 | RM4606S8 | 0.1100 | | 4982 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RM4606 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM4606S8TR | 8541.10.0080 | 40,000 | Vecino del canal | 30V | 6.5a (TA), 7a (TA) | 30mohm @ 6a, 10v, 33mohm @ 6.5a, 10v | 3V @ 250 µA, 2.5V @ 250 µA | 13NC @ 10V, 9.2NC @ 10V | 255pf @ 15V, 520pf @ 15V | - | ||||||||||||||||
| RM6A5P30S8 | 0.1900 | | 7721 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RM6A5 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.5W (TA) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM6A5P30S8TR | 8541.10.0080 | 40,000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 6.5a (TA) | 25mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 12.6nc @ 4.5V | 1345pf @ 15V | - | ||||||||||||||||
 | RM80N80T2 | 0.5200 | | 3910 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM80N80T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 80 V | 80a (TA) | 10V | 8.5mohm @ 40a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 20V | 4100 pf @ 25 V | - | 170W (TA) | ||||||||||||||||
| RM3003S6 | 0.0980 | | 2601 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | RM3003 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.2W (TA) | TSOT-23-6L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM3003S6TR | 8541.10.0080 | 30,000 | Vecino del canal | 30V | 3.5a (TA), 2.7a (TA) | 58mohm @ 3.5a, 10v, 100mohm @ 2.7a, 10v | 1.3V @ 250 µA, 2.5V @ 250 µA | 5NC @ 10V | 210pf @ 15V, 199pf @ 15V | - | ||||||||||||||||
 | BSS127 | 0.0390 | | 5738 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-BSS127TR | 8541.10.0080 | 30,000 | N-canal | 600 V | 21 Ma (TA) | 4.5V, 10V | 500ohm @ 16 Ma, 10v | 2.6V @ 8 µA | ± 20V | 28 pf @ 25 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||
 | RM2004NE | 0.0900 | | 9814 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | RM2004 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.25W (TA) | Sot-23-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-rm2004netr | 8541.10.0080 | 30,000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 6a (TA) | 24mohm @ 6a, 10v | 1V @ 250 µA | 8NC @ 4.5V | 650pf @ 10V | - | ||||||||||||||||
| Rs1006mls | 0.7800 | | 7174 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, Rs-10mls | Estándar | Rs-10mls | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-rs1006mls | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1.1 v @ 5 a | 200 na @ 800 V | 10 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||||||||||
| 2RS101M | 0.3600 | | 1601 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RS-1M | Estándar | RS-1M | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-2RS101M | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,280 | 1.1 v @ 2 a | 2 µA @ 50 V | 2 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||||||||||
| DRS302K | 0.4500 | | 6277 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | Estándar | D3K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-DRS302K | EAR99 | 8541.10.0080 | 9,000 | 1.1 v @ 3 a | 1 µA @ 100 V | 3 A | Fase única | 100 V |
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