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Productos de semiconductoros discretos (885)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RM20N650TI | 1.0400 |  | 3696 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM20N650TI | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 650 V | 20A (TC) | 10V | 210mohm @ 10a, 10v | 5V @ 250 µA | ± 30V | 2600 pf @ 50 V | - | 33W (TC) | ||||||||||||||||
 | RM42N200DF | 1.2400 | | 5658 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM42N200DFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | N-canal | 200 V | 42a (TC) | 10V | 32mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 20V | 1598 pf @ 100 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||
| RM90N40DF | 0.4100 | | 8078 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM90N40DFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | N-canal | 40 V | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 5400 pf @ 20 V | - | 65W (TC) | ||||||||||||||||
 | RM10N100LD | 0.1480 | | 2964 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM10N100LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | N-canal | 100 V | 10a (TC) | 4.5V, 10V | 130mohm @ 10a, 10v | 2V @ 250 µA | ± 20V | 730 pf @ 50 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||
| RM60N30DF | 0.1400 | | 4964 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM60N30DFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | N-canal | 30 V | 58a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 1844 pf @ 15 V | - | 46W (TC) | ||||||||||||||||
 | RM8N700T2 | 0.6800 | | 4384 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM8N700T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 700 V | 8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4a, 10v | 3.5V @ 250 µA | ± 30V | 680 pf @ 50 V | - | 80W (TC) | ||||||||||||||||
| RM45N60DF | 0.4500 | | 9267 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM45N60DFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | N-canal | 60 V | 45a (TC) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | ± 20V | 2180 pf @ 30 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||
| RM150N100Adf | 0.8000 | | 8337 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM150N100ADFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | N-canal | 100 V | 128a (TC) | 10V | 4.2mohm @ 20a, 10v | 2.4V @ 250 µA | ± 20V | 3650 pf @ 50 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||
| RM40N100LD | 0.3800 | | 7839 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM40N100LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | N-canal | 100 V | 40A (TC) | 10V | 17mohm @ 28a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 20V | 3400 pf @ 30 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||
 | RM10N40S8 | 0.2900 | | 1604 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RM10N | Mosfet (Óxido de metal) | 2.1W (TC) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM10N40S8TR | 8541.10.0080 | 40,000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 10a (TC) | 15mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 26NC @ 4.5V | 2000pf @ 20V | - | ||||||||||||||||
 | RM8205F | 0.0680 | | 8238 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | RM8205 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.14W (TA) | Sot-23-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM8205FTR | 8541.10.0080 | 30,000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 6a (TA) | 17mohm @ 1a, 4.5V, 20mohm @ 6a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | - | 1035pf @ 20V | - | ||||||||||||||||
 | RM3407 | 0.1200 | | 7167 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM3407TR | 8541.10.0080 | 12,000 | Canal P | 30 V | 4.3a (TA) | 4.5V, 10V | 52mohm @ 4a, 10v | 3V @ 250 µA | ± 20V | 700 pf @ 15 V | - | 1.5W (TA) | ||||||||||||||||
| RM70P30DF | 0.2900 | | 1320 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM70P30DFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | Canal P | 30 V | 70A (TA) | 4.5V, 10V | 7.2mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 3450 pf @ 25 V | - | 90W (TA) | ||||||||||||||||
| RM150N60T2 | 0.5800 | | 3725 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM150N60T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 60 V | 150A (TC) | 10V | 4.5mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250 µA | ± 20V | 6500 pf @ 25 V | - | 220W (TC) | ||||||||||||||||
| RM60N40LD | 0.3300 | | 5995 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM60N40LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 10V | 13mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 1800 pf @ 20 V | - | 65W (TC) | ||||||||||||||||
 | RM8N700IP | 0.4700 | | 6594 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM8N700IP | 8541.10.0080 | 4.000 | N-canal | 700 V | 8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 30V | 590 pf @ 50 V | - | 69W (TC) | ||||||||||||||||
 | Rs1502mls | 1.0200 | | 8027 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RS-15 MLS | Estándar | Rs-15mls | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RS1502 MLS | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1.1 V @ 7.5 A | 200 na @ 100 V | 15 A | Fase única | 100 V | ||||||||||||||||||||
 | Rs203l | 0.4800 | | 3095 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RS-2L | Estándar | RS-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RS203L | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.600 | 1.1 v @ 2 a | 2 µA @ 200 V | 2 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||||||||||
 | 3SSL60L-W | 0.0570 | | 9606 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | Schottky | SOD-123FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-3SSL60L-WTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 620 MV @ 3 A | 100 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 75pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||
| RM2333 | 0.0520 | | 7834 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM2333TR | 8541.10.0080 | 30,000 | Canal P | 12 V | 6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 30mohm @ 6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | ± 12V | 1100 pf @ 6 V | - | 1.8w (TA) | ||||||||||||||||
 | Rs207m | 0.5500 | | 2 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RS-2M | Estándar | RS-2M | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RS207M | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.700 | 1.05 v @ 2 a | 200 na @ 1000 V | 2 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||||||||
 | RBU607M | 0.7900 | | 6943 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-sip, RBU | Estándar | RBU | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RBU607M | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1 v @ 6 a | 1 µA @ 1000 V | 6 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||||||||
| Rs3502m | 2.4800 | | 4268 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-sip, Rs-35m | Estándar | Rs-35m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RS3502M | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 V @ 17.5 A | 500 na @ 100 V | 35 A | Fase única | 100 V | ||||||||||||||||||||
 | KBL603 | 0.6800 | | 4930 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBL | Estándar | KBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-KBL603 | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.600 | 1.1 v @ 6 a | 10 µA @ 200 V | 6 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||||||||||
| MP358W | 2.2000 | | 1617 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, MP-25W | Estándar | MP-25W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-MP358W | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.05 V @ 17.5 A | 500 na @ 800 V | 35 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||||||||||
 | DB1012 | 0.3200 | | 3430 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) | Estándar | DB-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-DB1012 | EAR99 | 8541.10.0080 | 15,000 | 1 V @ 1 A | 1 µA @ 1300 V | 1 A | Fase única | 1.3 kV | ||||||||||||||||||||
 | MSB407S | 0.4100 | | 8820 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Plomo Plano | Estándar | MSBS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-MSB407STR | EAR99 | 8541.10.0080 | 24,000 | 1.1 v @ 4 a | 1 µA @ 1000 V | 4 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||||||||
| RM80N150T2 | 0.8800 | | 4712 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM80N150T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 150 V | 80a (TC) | 10V | 12.5mohm @ 40a, 10v | 4.5V @ 250 µA | ± 20V | 3200 pf @ 75 V | - | 210W (TC) | ||||||||||||||||
| RM3416 | 0.0580 | | 7064 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM3416TR | 8541.10.0080 | 30,000 | N-canal | 20 V | 6.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 6.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | ± 12V | 660 pf @ 10 V | - | 1.4W (TA) | ||||||||||||||||
 | RL1N1600F | 0.0380 | | 3327 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Axial | Estándar | A-405 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RL1N1600FTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 1.8 V @ 500 Ma | 300 ns | 5 µA @ 1600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz |
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