SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
RM8A5P60S8 Rectron USA RM8A5P60S8 0.2900
RFQ
ECAD 4571 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM8A5P60S8TR 8541.10.0080 40,000 Canal P 60 V 8.5A (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 8a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 3900 pf @ 25 V - 4.1W (TC)
RM20N650T2 Rectron USA RM20N650T2 1.0400
RFQ
ECAD 2976 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM20N650T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 650 V 20A (TC) 10V 210mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA ± 30V 2600 pf @ 50 V - 180W (TC)
RM17N800TI Rectron USA RM17N800TI 1.5300
RFQ
ECAD 5642 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM17N800TI 8541.10.0080 5,000 N-canal 800 V 17a (TC) 10V 320mohm @ 8.5a, 10v 4V @ 250 µA ± 30V 2060 pf @ 50 V - 35W (TC)
RM150N150HD Rectron USA RM150N150HD 1.7500
RFQ
ECAD 3265 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM150N150HDTR 8541.10.0080 8,000 N-canal 150 V 150A (TC) 10V 7.2mohm @ 70a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 5500 pf @ 75 V - 320W (TC)
RM35N30DF Rectron USA RM35N30DF 0.2700
RFQ
ECAD 1960 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM35N30DFTR 8541.10.0080 40,000 N-canal 30 V 35A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA ± 20V 2330 pf @ 15 V - 40W (TC)
RM50N60LD Rectron USA RM50N60LD 0.2400
RFQ
ECAD 6169 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM50N60LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 60 V 50A (TC) 10V 20mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 2050 pf @ 30 V - 85W (TC)
LDB106S Rectron USA LDB106S 0.3800
RFQ
ECAD 9652 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar DB-S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-LDB106STR EAR99 8541.10.0080 24,000 1 V @ 1 A 1 µA @ 800 V 1 A Fase única 800 V
RM3003S6 Rectron USA RM3003S6 0.0980
RFQ
ECAD 2601 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 RM3003 Mosfet (Óxido de metal) 1.2W (TA) TSOT-23-6L descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM3003S6TR 8541.10.0080 30,000 Vecino del canal 30V 3.5a (TA), 2.7a (TA) 58mohm @ 3.5a, 10v, 100mohm @ 2.7a, 10v 1.3V @ 250 µA, 2.5V @ 250 µA 5NC @ 10V 210pf @ 15V, 199pf @ 15V -
RM150N60HD Rectron USA RM150N60HD 0.6700
RFQ
ECAD 5813 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM150N60HDTR 8541.10.0080 8,000 N-canal 60 V 150A (TC) 10V 4.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250 µA ± 20V 6500 pf @ 25 V - 220W (TC)
MMSZ5232BS Rectron USA MMSZ5232BS 0.0400
RFQ
ECAD 8079 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -30 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-76, SOD-323 500 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-MMSZ5232BSTR EAR99 8541.10.0080 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 3 V 5.6 V 11 ohmios
RM20N650TI Rectron USA RM20N650TI 1.0400
RFQ
ECAD 3696 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM20N650TI 8541.10.0080 5,000 N-canal 650 V 20A (TC) 10V 210mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA ± 30V 2600 pf @ 50 V - 33W (TC)
FFM1600W Rectron USA FFM1600W 0.0420
RFQ
ECAD 6449 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar Smx descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-FFM1600WTR EAR99 8541.10.0080 60,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1600 V 1.8 V @ 500 Ma 300 ns 5 µA @ 1600 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 15pf @ 4V, 1 MHz
3SSL60L-W Rectron USA 3SSL60L-W 0.0570
RFQ
ECAD 9606 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F Schottky SOD-123FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-3SSL60L-WTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 620 MV @ 3 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 75pf @ 4V, 1 MHz
1F14 Rectron USA 1f14 0.0550
RFQ
ECAD 2827 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero R-1, axial Estándar R-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-1F14TR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1400 V 1.8 V @ 500 Ma 300 ns 5 µA @ 1400 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 15pf @ 4V, 1 MHz
HVM15 Rectron USA HVM15 1.5500
RFQ
ECAD 5069 0.00000000 RECTRON USA - Una granela Activo A Través del Aguetero Axial Estándar HVM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-HVM15 EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 15000 V 14 V @ 350 Ma 5 µA @ 15000 V -20 ° C ~ 150 ° C 350 mm -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock