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Productos de semiconductoros discretos (885)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
RBU1503M Rectron USA RBU1503M 0.7900
RFQ
 ECAD 6891 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-sip, RBU Estándar RBU descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RBU1503M EAR99 8541.10.0080 2,000 1 V @ 7.5 A 500 na @ 200 V 15 A Fase única 200 V
BR104 Rectron USA BR104 0.9800
RFQ
 ECAD 5989 0.00000000 RECTRON USA - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 4 Cuadrados, BR-8 Estándar BR-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-Br104 EAR99 8541.10.0080 1.600 1.1 v @ 5 a 5 µA @ 400 V 6 A Fase única 400 V
2N7002KA Rectron USA 2n7002ka 0.0420
RFQ
 ECAD 3372 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-2N7002KATR 8541.10.0080 30,000 N-canal 60 V 115MA (TA) 5V, 10V 3ohm @ 500 mA, 10V 2V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 225MW (TA)
MDA202G Rectron USA MDA202G 0.5500
RFQ
 ECAD 5728 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-1 Estándar RS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-MDA202G EAR99 8541.10.0080 4.800 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 200 V 2 A Fase única 200 V
2RS102M Rectron USA 2RS102M 0.3600
RFQ
 ECAD 2212 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-1M Estándar RS-1M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-2RS102M EAR99 8541.10.0080 5,280 1.1 v @ 2 a 2 µA @ 100 V 2 A Fase única 100 V
DB107S Rectron USA DB107S 0.3200
RFQ
 ECAD 1511 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar DB-S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-DB107STR EAR99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1 A 1 µA @ 1000 V 1 A Fase única 1 kV
RBU402M Rectron USA RBU402M 0.7900
RFQ
 ECAD 4707 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-sip, RBU Estándar RBU descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RBU402M EAR99 8541.10.0080 2,000 1 v @ 4 a 1 µA @ 100 V 4 A Fase única 100 V
UMB2F Rectron USA UMB2F 0.3800
RFQ
 ECAD 1680 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Plomo Plano Estándar 4-SOF2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-tumb2ftr EAR99 8541.10.0080 48,000 1.1 V @ 400 Ma 5 µA @ 200 V 500 mA Fase única 200 V
RBU1505M Rectron USA RBU1505M 0.7900
RFQ
 ECAD 6924 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-sip, RBU Estándar RBU descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RBU1505M EAR99 8541.10.0080 2,000 1 V @ 7.5 A 500 na @ 600 V 15 A Fase única 600 V
RL1N1000F Rectron USA RL1N1000F 0.0380
RFQ
 ECAD 7323 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Axial Estándar A-405 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RL1N1000FTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.8 V @ 500 Ma 300 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
RM78N100LD Rectron USA RM78N100LD 0.4400
RFQ
 ECAD 1744 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM78N100LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 100 V 78a (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 39a, 10v 2.2V @ 250 µA ± 20V 5480 pf @ 50 V - 125W (TC)
SLDB102S Rectron USA SLDB102S 0.3500
RFQ
 ECAD 4674 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar Sldbs descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-SLDB102STR EAR99 8541.10.0080 40,000 1 V @ 1 A 1 µA @ 100 V 1 A Fase única 100 V
RM25N30DN Rectron USA RM25N30DN 0.1400
RFQ
 ECAD 8606 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN-EP (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM25N30DNTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 30 V 25A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA ± 20V 1530 pf @ 15 V - 25W (TC)
RS2002M Rectron USA Rs2002m 1.1600
RFQ
 ECAD 3410 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, Rs-20m Estándar Rs-20m descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS2002M EAR99 8541.10.0080 1.200 1.1 v @ 10 a 5 µA @ 100 V 20 A Fase única 100 V
RM40N600T7 Rectron USA RM40N600T7 1.3200
RFQ
 ECAD 1226 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 RM40N Estándar 306 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM40N600T7 8541.10.0080 300 400V, 40a, 10ohm, 15V 151 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 80 A 160 A 2V @ 15V, 40A 1.12MJ (Encendido), 610 µJ (apaguado) 149 NC 21ns/203ns
RM5N800LD Rectron USA RM5N800LD 0.6900
RFQ
 ECAD 2148 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM5N800LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 800 V 5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250 µA ± 30V 680 pf @ 50 V - 81W (TC)
RM12N100S8 Rectron USA RM12N100S8 0.3800
RFQ
 ECAD 9381 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM12N100S8TR 8541.10.0080 40,000 N-canal 100 V 12a (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 12a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 2250 pf @ 50 V - 3.1W (TA)
RM4N700IP Rectron USA RM4N700IP 0.3500
RFQ
 ECAD 1818 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM4N700IP 8541.10.0080 4.000 N-canal 700 V 4A (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10v 3.5V @ 250 µA ± 30V 280 pf @ 50 V - 46W (TC)
RS801 Rectron USA Rs801 0.9100
RFQ
 ECAD 4235 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-8 Estándar Rs-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS801 EAR99 8541.10.0080 1.600 1.2 v @ 8 a 5 µA @ 50 V 8 A Fase única 50 V
RM2301E Rectron USA RM2301E 0.0410
RFQ
 ECAD 1997 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2301 8541.10.0080 30,000 Canal P 20 V 2.6a (TA) 2.5V, 4.5V 120mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 250 µA ± 10V 325 pf @ 10 V - 1W (TA)
DB103 Rectron USA DB103 0.3400
RFQ
 ECAD 5774 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) Estándar DB-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-DB103 EAR99 8541.10.0080 2.500 1 V @ 1 A 1 µA @ 200 V 1 A Fase única 200 V
RBU401M Rectron USA RBU401M 0.7900
RFQ
 ECAD 3665 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-sip, RBU Estándar RBU descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RBU401M EAR99 8541.10.0080 2,000 1 v @ 4 a 1 µA @ 50 V 4 A Fase única 50 V
RM21N650TI Rectron USA RM21N650TI 1.2500
RFQ
 ECAD 1150 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM21N650TI 8541.10.0080 5,000 N-canal 650 V 21a (TC) 10V 180mohm @ 10.5a, 10v 4V @ 250 µA ± 30V 2600 pf @ 50 V - 33.8W (TC)
MP351 Rectron USA MP31 2.2000
RFQ
 ECAD 8538 0.00000000 RECTRON USA - Banda Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis 4 Cuadrado, MP-35 Estándar MP-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-MP351 EAR99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 17.5 A 500 na @ 100 V 35 A Fase única 100 V
RM130N200T7 Rectron USA RM130N200T7 4.3000
RFQ
 ECAD 8471 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM130N200T7 8541.10.0080 1.800 N-canal 200 V 132a (TC) 10V 10.9mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 4970 pf @ 100 V - 429W (TC)
RM5N800T2 Rectron USA RM5N800T2 0.6700
RFQ
 ECAD 6990 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM5N800T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 800 V 5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2a, 10v 4.5V @ 250 µA ± 30V 1320 pf @ 50 V - 98W (TC)
RM4P20ES6 Rectron USA RM4P20es6 0.0690
RFQ
 ECAD 2421 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-rm4p20es6tr 8541.10.0080 30,000 Canal P 20 V 3A (TA), 4.1A (TC) 2.5V, 4.5V 52mohm @ 4.1a, 4.5V 1V @ 250 µA ± 12V 740 pf @ 4 V - 1.7w (TA)
RM5N700IP Rectron USA RM5N700IP 0.4700
RFQ
 ECAD 8989 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM5N700IP 8541.10.0080 4.000 N-canal 700 V 5A (TC) 10V 950mohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250 µA ± 30V 460 pf @ 50 V - 49W (TC)
RM6N100S4 Rectron USA RM6N100S4 0.1400
RFQ
 ECAD 9965 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM6N100S4TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 100 V 6a (TA) 10V 140mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 690 pf @ 25 V - 3W (TA)
RM135N100HD Rectron USA RM135N100HD 0.9400
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM135N100HDTR 8541.10.0080 8,000 N-canal 100 V 135A (TC) 10V 4.6mohm @ 60a, 10v 4.5V @ 250 µA ± 20V 6400 pf @ 50 V - 210W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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