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Productos de semiconductoros discretos (885)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
MSB301S Rectron USA MSB301S 0.3600
RFQ
 ECAD 9060 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Plomo Plano MSB30 Estándar MSBS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-MSB301STR EAR99 8541.10.0080 24,000 1.1 v @ 3 a 1 µA @ 50 V 3 A Fase única 50 V
DRS306K Rectron USA DRS306K 0.4500
RFQ
 ECAD 5283 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-ESIP Estándar D3K descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-DRS306K EAR99 8541.10.0080 9,000 1.1 v @ 3 a 1 µA @ 800 V 3 A Fase única 800 V
2RS103M Rectron USA 2RS103M 0.3600
RFQ
 ECAD 1528 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-1M Estándar RS-1M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-2RS103M EAR99 8541.10.0080 5,280 1.1 v @ 2 a 2 µA @ 200 V 2 A Fase única 200 V
MP2510 Rectron USA MP2510 1.8500
RFQ
 ECAD 6821 0.00000000 RECTRON USA - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 4 Cuadrados, MP-25 Estándar MP-25 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-MP2510 EAR99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 12.5 A 500 na @ 1000 V 25 A Fase única 1 kV
RS2007MLS Rectron USA Rs2007mls 1.2000
RFQ
 ECAD 1815 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-20MLS Estándar Rs-20 mls descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS2007 MLS EAR99 8541.10.0080 2,000 1 V @ 10 A 5 µA @ 1000 V 20 A Fase única 1 kV
RBU2007M Rectron USA RBU2007M 0.8900
RFQ
 ECAD 7658 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-sip, RBU Estándar RBU descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RBU2007M EAR99 8541.10.0080 2,000 1.1 v @ 10 a 5 µA @ 1000 V 20 A Fase única 1 kV
W02L Rectron USA W02L 0.3800
RFQ
 ECAD 4214 0.00000000 RECTRON USA - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-Circular, RC-2 Estándar RC-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-W02L EAR99 8541.10.0080 6,000 1 V @ 1.5 A 200 na @ 200 V 1.5 A Fase única 200 V
LDB102S Rectron USA LDB102S 0.3800
RFQ
 ECAD 5852 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar DB-S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-LDB102STR EAR99 8541.10.0080 24,000 1 V @ 1 A 1 µA @ 100 V 1 A Fase única 100 V
RM8N650HD Rectron USA RM8N650HD 0.5200
RFQ
 ECAD 3581 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM8N650HDTR 8541.10.0080 8,000 N-canal 650 V 8a (TC) 10V 450mohm @ 4a, 10v 3.5V @ 250 µA ± 30V 680 pf @ 50 V - 80W (TC)
RM052N100DF Rectron USA RM052N100DF 0.6500
RFQ
 ECAD 7185 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM052N100DFTR 8541.10.0080 40,000 N-canal 100 V 70A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA +20V, -12V 9100 pf @ 25 V - 142W (TC)
RS3508M Rectron USA Rs3508m 2.7000
RFQ
 ECAD 5431 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-sip, Rs-35m Estándar Rs-35m descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS3508M EAR99 8541.10.0080 1.200 1.1 V @ 17.5 A 2 µA @ 1200 V 45 A Fase única 1.2 kV
RBU1005M Rectron USA RBU1005M 0.7900
RFQ
 ECAD 750 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-sip, RBU Estándar RBU descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RBU1005M EAR99 8541.10.0080 750 1 v @ 5 a 1 µA @ 600 V 10 A Fase única 600 V
RM12N650TI Rectron USA RM12N650TI 0.6700
RFQ
 ECAD 5804 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM12N650TI 8541.10.0080 5,000 N-canal 650 V 11.5A (TC) 10V 360mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA ± 30V 870 pf @ 50 V - 32.6W (TC)
1N5817-B Rectron USA 1N5817-B 0.0600
RFQ
 ECAD 2772 0.00000000 RECTRON USA - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Schottky Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-1N5817-B EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 450 MV @ 1 A 200 µA @ 20 V 150 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
RM70P30LD Rectron USA RM70P30LD 0.2800
RFQ
 ECAD 8708 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM70P30LDTR 8541.10.0080 25,000 Canal P 30 V 70A (TC) 4.5V, 10V 7.2mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 3450 pf @ 25 V - 90W (TC)
RM2003 Rectron USA RM2003 0.0620
RFQ
 ECAD 9948 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 RM200 Mosfet (Óxido de metal) 800MW (TA) Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2003TR 8541.10.0080 30,000 Vecino del canal 20V 3a (TA) 35mohm @ 3a, 4.5V, 75mohm @ 2.5a, 4.5V 1.2V @ 250 µA, 1V @ 250 µA 5NC @ 4.5V, 3.2NC @ 4.5V 260pf @ 10V, 325pf @ 10V -
R2500 Rectron USA R2500 0.1100
RFQ
 ECAD 8648 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar Do-15 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-R2500TR EAR99 8541.10.0080 20,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2500 V 3 V @ 200 Ma 5 µA @ 2500 V -55 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 30pf @ 4V, 1 MHz
MP2505W Rectron USA MP2505W -
RFQ
 ECAD 4969 0.00000000 RECTRON USA - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, MP-25W Estándar MP-25W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-MP2505W EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 50 V 25 A Fase única 50 V
1A6 Rectron USA 1A6 0.1000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero R-1, axial Estándar R-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2516-1A6TR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 V @ 1 A 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
RM150N100HD Rectron USA RM150N100HD 0.9500
RFQ
 ECAD 1451 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM150N100HDTR 8541.10.0080 8,000 N-canal 100 V 150A (TC) 10V 4.2mohm @ 70a, 10v 4V @ 250 µA +20V, -12V 6680 pf @ 50 V - 275W (TC)
KBL404 Rectron USA KBL404 0.5500
RFQ
 ECAD 2294 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBL Estándar KBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-KBL404 EAR99 8541.10.0080 4.600 1.1 v @ 4 a 10 µA @ 400 V 4 A Fase única 400 V
RC204 Rectron USA RC204 0.4400
RFQ
 ECAD 1265 0.00000000 RECTRON USA - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-Circular, RC-2 Estándar RC-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RC204 EAR99 8541.10.0080 6,000 1.05 v @ 2 a 200 na @ 400 V 2 A Fase única 400 V
UMB4F Rectron USA UMB4F 0.3800
RFQ
 ECAD 1539 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Plomo Plano Estándar 4-SOF2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-tumb4ftr EAR99 8541.10.0080 48,000 1.1 V @ 400 Ma 5 µA @ 400 V 500 mA Fase única 400 V
RM120N30DF Rectron USA RM120n30df 0.3800
RFQ
 ECAD 2658 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM120N30DFTR 8541.10.0080 40,000 N-canal 30 V 120a (TC) 4.5V, 10V 2.35mohm @ 60a, 10v 2.2V @ 250 µA ± 20V 4200 pf @ 15 V - 75W (TC)
RM120N60T2 Rectron USA RM120N60T2 0.5500
RFQ
 ECAD 2318 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM120N60T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 60 V 120a (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 60a, 10v 2.4V @ 250 µA ± 20V 4000 pf @ 30 V - 180W (TC)
FM2000 Rectron USA FM2000 0.0490
RFQ
 ECAD 9339 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-FM2000TR EAR99 8541.10.0080 60,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2000 V 1.1 v @ 1 a 2 µs 2 µA @ 2000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
HER508-F Rectron USA HER508-F 0.1550
RFQ
 ECAD 7189 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-HER508-FTR EAR99 8541.10.0080 1.200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1.7 v @ 3 a 75 ns 500 na @ 1000 V 150 ° C 5A 50pf @ 4V, 1 MHz
R2000-T Rectron USA R2000-T 0.0480
RFQ
 ECAD 8935 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-R2000-TTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1.3 V @ 1 A 5 µA @ 2000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
FM1600W Rectron USA FM1600W 0.0420
RFQ
 ECAD 6113 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar Smx descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-FM1600WTR EAR99 8541.10.0080 60,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1600 V 2 V @ 500 Ma 5 µA @ 1600 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 35pf @ 4V, 1MHz
RM80N60DF Rectron USA RM80N60DF 0.5500
RFQ
 ECAD 2083 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM80N60DFTR 8541.10.0080 40,000 N-canal 60 V 80a (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 40a, 10v 2.4V @ 250 µA ± 20V 4000 pf @ 30 V - 85W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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