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Productos de semiconductorores discretos (455)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Corriente - Salida Máxima | Voltaje - Ruptura | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Real - ruptura |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5247BT/R | 0.0400 |  | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5247BT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 13 V | 17 V | 19 ohmios | ||||||||||||||
 | 1N4735Abulk | 0.1800 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4735Abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 3 V | 6.2 V | 2 ohmios | ||||||||||||||
| 1N4745A | 0.5750 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4745ATR | 8541.10.0000 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 16 ohmios | ||||||||||||||
| 1N4740A | 0.1050 | | 21 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Caja | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4740A | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 7.6 V | 10 V | 7 ohmios | ||||||||||||||
| 1N5341B | 0.4360 | | 24 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5341BTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 3 V | 6.2 V | 1 ohmios | ||||||||||||||
| 1N5358A | 0.1900 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5358A | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 15.8 V | 22 V | 3.5 ohmios | ||||||||||||||
| D32pbulk | 0.2100 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | Do-204al, do-41, axial | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-d32pbulk | 8541.10.0000 | 500 | 2 A | 27 ~ 37V | 100 µA | ||||||||||||||||||
| RBV5010 | 3.9300 | | 260 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV5010 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 1000 V | 50 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||||
| 1N5237BBULK | 0.1800 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5237BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6.5 V | 8.2 V | 8 ohmios | ||||||||||||||
| RBV1010 | 1.6900 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1010 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 5 a | 10 µA @ 1000 V | 10 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||||
| Z1150-T/R | 0.0980 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-Z1150-T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 114 V | 150 V | 1000 ohmios | |||||||||||||
| BR602 | 0.6300 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-6 | Estándar | BR-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br602 | 8541.10.0000 | 200 | 1 v @ 3 a | 10 µA @ 200 V | 6 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||||
| BR1508 | 2.5600 | | 700 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1508 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 800 V | 15 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||||
| KBP204 | 0.8500 | | 7 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBP | Estándar | KBP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-kbp204 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 2 A | Fase única | 400 V | |||||||||||||
| SZ6515 | 0.1052 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 5 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-SZ6515TR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 11.5 V | 15 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||||
| BR1502 | 2.3500 | | 900 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1502 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 200 V | 15 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||||
| RBV800 | 1.0900 | | 700 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV800 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 4 a | 10 µA @ 50 V | 8 A | Fase única | 50 V | |||||||||||||
| SB3B0-T/R | 0.3300 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Schottky | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-SB3B0-T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 790 MV @ 3 A | 500 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||
| Sf13-bulk | 0.2100 | | 15 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-SF13-BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| 1N5394T/R | 0.0400 | | 40 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5394T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
| Fepf16dt | 1.6600 | | 530 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Estándar | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-fepf16dt | 8541.10.0000 | 50 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 85pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| BR608 | 0.8900 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-6 | Estándar | BR-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br608 | 8541.10.0000 | 200 | 1 v @ 3 a | 10 µA @ 800 V | 6 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||||
 | FR302T/R | 0.1100 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR302T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
| FR104T/R | 0.0400 | | 30 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR104T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| BR1004 | 0.9800 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1004 | 8541.10.0000 | 200 | 1.1 v @ 5 a | 10 µA @ 400 V | 10 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||||
| BR2510 | 2.8100 | | 250 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BR2510 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 1000 V | 25 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||
| RBV3504 | 2.3100 | | 800 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV3504 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 400 V | 35 A | Fase única | 400 V | |||||||||||||
| 1n759abulk | 0.2100 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N759Abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 1 V | 12 V | 30 ohmios | ||||||||||||||
| BR1504 | 2.5400 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1504 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 400 V | 15 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||||
| RBV1006 | 1.4600 | | 500 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1006 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 5 a | 10 µA @ 600 V | 10 A | Fase única | 600 V |
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