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Productos de semiconductorores discretos (455)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4750AT/R | 0.0600 |  | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4750AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 20.6 V | 27 V | 35 ohmios | |||||||||||
| 1N4749BULK | 0.1800 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4749BULK | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | |||||||||||
 | 1N5402BULK | 0.1800 | | 6 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5402BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1N5402T/R | 0.0800 | | 21 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5402T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1N4005BULK | 0.1300 | | 7 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-1N4005BULK | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| 1N4728Abulk | 0.1500 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-1n4728abulk | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.3 V | 10 ohmios | |||||||||||
| 1N4731Abulk | 0.1300 | | 12 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-1N4731Abulk | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 4.3 V | 9 ohmios | |||||||||||
| 1N4004T/R | 0.0230 | | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-1N4004T/RTR | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| RBV1508 | 1.6000 | | 800 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1508 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 800 V | 15 A | Fase única | 800 V | ||||||||||
| RBV1502 | 1.5100 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1502 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 200 V | 15 A | Fase única | 200 V | ||||||||||
| MR760 | 0.7500 | | 350 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | D-6, axial | Estándar | D6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-MR760 | 8541.10.0000 | 800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 900 MV @ 6 A | 25 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 22A | - | |||||||||
| RBV1002 | 1.2800 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1002 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 5 a | 10 µA @ 200 V | 10 A | Fase única | 200 V | ||||||||||
| RBV1504 | 1.9000 | | 600 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1504 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 400 V | 15 A | Fase única | 400 V | ||||||||||
| RBV5006 | 3.0000 | | 400 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV5006 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 600 V | 50 A | Fase única | 600 V | ||||||||||
| RBV806 | 1.2500 | | 100 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV806 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 4 a | 10 µA @ 600 V | 8 A | Fase única | 600 V | ||||||||||
| RBV5002 | 1.8300 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV5002 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 200 V | 50 A | Fase única | 200 V | ||||||||||
| RBV3502 | 1.6800 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV3502 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 200 V | 35 A | Fase única | 200 V | ||||||||||
| RBV3510 | 2.8100 | | 900 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV3510 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 1000 V | 35 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||
| RBV5004 | 3.0000 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV5004 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 400 V | 50 A | Fase única | 400 V | ||||||||||
| RBV802 | 1.1500 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV802 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 4 a | 10 µA @ 200 V | 8 A | Fase única | 200 V | ||||||||||
| RBV610 | 1.3100 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV610 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 3 a | 10 µA @ 1000 V | 6 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||
| SK15 | 0.1600 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | SMA (DO-214AC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-sk15tr | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 500 MV @ 1 A | 500 µA @ 50 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||
| 1N4753AT/R | 0.0600 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4753AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 27.4 V | 36 V | 50 ohmios | |||||||||||
| BR804 | 0.9200 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br804 | 8541.10.0000 | 200 | 1 v @ 4 a | 10 µA @ 400 V | 8 A | Fase única | 400 V | |||||||||||
| 1N5343B | 0.2590 | | 6 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5343BTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 1.5 ohmios | |||||||||||
| 15HCB | 0.0400 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-15HCBTR | 8541.10.0000 | 5,000 | |||||||||||||||||||||
| FR103T/R | 0.0400 | | 35 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR103T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | 1N5250BT/R | 0.0400 | | 40 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5250BT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 15 V | 20 V | 25 ohmios | |||||||||||
| Hes302bulk | 0.2400 | | 7 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-HER302BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| SR1J | 0.0593 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | SMA (DO-214AC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-SR1JTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz |
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