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Productos de semiconductorores discretos (455)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Byd33gbulk | 0.2100 |  | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Avalancha | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-byd33gbulk | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 1 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.3a | - | ||||||||||
 | 1n749abulk | 0.2100 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N749Abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 2 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohmios | ||||||||||||
| KBL410 | 1.2300 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBL | Estándar | KBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-KBL410 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 v @ 4 a | 10 µA @ 1000 V | 4 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||
| 1n5246bbulk | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5246BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 12 V | 16 V | 17 ohmios | ||||||||||||
| 1N5250BT/R | 0.0400 | | 40 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5250BT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 15 V | 20 V | 25 ohmios | ||||||||||||
| FR103T/R | 0.0400 | | 35 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR103T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| BR1500 | 2.3400 | | 700 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1500 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 50 V | 15 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||
| HER101T/R | 0.0500 | | 15 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-HER101T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 v @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| BR804 | 0.9200 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br804 | 8541.10.0000 | 200 | 1 v @ 4 a | 10 µA @ 400 V | 8 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||
| 15HCB | 0.0400 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-15HCBTR | 8541.10.0000 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||
| SK15 | 0.1600 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | SMA (DO-214AC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-sk15tr | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 500 MV @ 1 A | 500 µA @ 50 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||
| 1N4753AT/R | 0.0600 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4753AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 27.4 V | 36 V | 50 ohmios | ||||||||||||
| 1N5343B | 0.2590 | | 6 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5343BTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 1.5 ohmios | ||||||||||||
 | Hes302bulk | 0.2400 | | 7 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-HER302BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| BR1001 | 0.9500 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | BR1001 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1001 | 8541.10.0000 | 200 | 1.1 v @ 5 a | 10 µA @ 100 V | 10 A | Fase única | 100 V | |||||||||||
| 1N5340B | 0.2160 | | 24 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5340BTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 3 V | 6 V | 1 ohmios | ||||||||||||
| 1N5822T/R | 0.3700 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Schottky | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5822T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 525 MV @ 3 A | 2 Ma @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | |||||||||||
| HER305BULK | 0.2600 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-HER305BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| BR1002 | 0.9400 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | BR1002 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1002 | 8541.10.0000 | 200 | 1.1 v @ 5 a | 10 µA @ 200 V | 10 A | Fase única | 200 V | |||||||||||
| 1N753AT/R | 0.0300 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N753AT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 1 V | 6.2 V | 7 ohmios | ||||||||||||
| 1N5397BULK | 0.1800 | | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5397BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 1.5 A | 5 A @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| Fr303bulk | 0.2100 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR303BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1N5234BT/R | 0.0400 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5234BT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 7 ohmios | ||||||||||||
| RBV3508 | 2.8100 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV3508 | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 800 V | 35 A | Fase única | 800 V | |||||||||||
| 1N5362BT/R | 0.1100 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5362BT/RTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 21.2 V | 28 V | 6 ohmios | ||||||||||||
| AR2502 | 0.2800 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | Automotor | Bolsa | Activo | Montaje en superficie | Botón de Microdo | Estándar | Botón de Microdo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-AR2502 | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 V @ 25 A | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 25A | - | |||||||||||
| 1n5247bbulk | 0.1800 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5247BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 13 V | 17 V | 19 ohmios | ||||||||||||
| 1N4006BULK | 0.1300 | | 48 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-1N4006BULK | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| KBP210 | 0.8500 | | 200 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBP | Estándar | KBP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-kbp210 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 1000 V | 2 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||
| 1N4007BULK | 0.1800 | | 17 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-1N4007BULK | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz |
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