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Productos de semiconductorores discretos (455)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sf55-bulk | 0.5800 |  | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-SF55-BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.7 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 5A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| BR2506 | 2.7800 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BR2506 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 600 V | 25 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||
| 1N4752AT/R | 0.0600 | | 15 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4752AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 25.1 V | 33 V | 45 ohmios | ||||||||||||
| Byd33mbulk | 0.2100 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Avalancha | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-byd33mbulk | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 1 A | 300 ns | 1 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.3a | - | ||||||||||
| 1N4731AT/R | 0.0500 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-1N4731AT/RTR | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 4.3 V | 9 ohmios | ||||||||||||
| 1N4730AT/R | 0.1500 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-1N4730AT/RTR | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 50 µA @ 1 V | 3.9 V | 9 ohmios | ||||||||||||
| RBV3506 | 2.8100 | | 900 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV3506 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 600 V | 35 A | Fase única | 600 V | |||||||||||
| 1N4738T/R | 0.0500 | | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4738T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | ||||||||||||
| 1n4732abulk | 0.1200 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-1n4732abulk | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 4.7 V | 8 ohmios | ||||||||||||
| RBV1510 | 1.6100 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1510 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 1000 V | 15 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||
 | 1N5405BULK | 0.1800 | | 15 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5405BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1 v @ 3 a | 5 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
| RBV2501 | 1.6400 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV2501 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 100 V | 25 A | Fase única | 100 V | |||||||||||
| 1N4759AT/R | 0.0500 | | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4759AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 47.1 V | 62 V | 125 ohmios | ||||||||||||
| 1N4744 | 0.0350 | | 15 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4744TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | ||||||||||||
| 1N5818T/R | 0.1000 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Schottky | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5818T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 1 A | 1 ma @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
| RBV5008 | 3.9300 | | 620 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV5008 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 800 V | 50 A | Fase única | 800 V | |||||||||||
| 1n5377abulk | 0.3300 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1n5377abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 65.5 V | 91 V | 75 ohmios | ||||||||||||
| BR5006W | 3.7500 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-50W | Estándar | BR-50W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br5006W | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 600 V | 50 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||
| SR1J | 0.0593 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | SMA (DO-214AC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-SR1JTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| 1n5819bulk | 0.2100 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5819 | Schottky | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5819BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 600 MV @ 1 A | 1 ma @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | 110pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1N4755Abulk | 0.1800 | | 8 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4755Abulk | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 32.7 V | 43 V | 70 ohmios | ||||||||||||
| 1N4933T/R | 0.0400 | | 70 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4933T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.2 v @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| 1N4763A | 0.0600 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4763ATR | 8541.10.0000 | 2,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 69.2 V | 91 V | 250 ohmios | ||||||||||||
 | 1N5238BT/R | 0.0400 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5238BT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6.5 V | 8.7 V | 8 ohmios | ||||||||||||
| Mbra210l | 0.3900 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | SMA (DO-214AC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-mbra210l | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 10 V | 350 MV @ 2 A | 700 µA @ 10 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | |||||||||||
| 1N4959 | 0.1800 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4959 | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.5 v @ 1 a | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||
| Fr102bulk | 0.2100 | | 38 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR102BULK | 8541.10.0000 | 600 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| 1n5361abulk | 0.2300 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5361Abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 19.4 V | 27 V | 5 ohmios | ||||||||||||
| SN1K | 0.0382 | | 45 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | SMA (DO-214AC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-SN1KTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1 V @ 1 A | 2 µs | 2 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| RBV804 | 1.2800 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV804 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 4 a | 10 µA @ 400 V | 8 A | Fase única | 400 V |
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