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Productos de semiconductorores discretos (9)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Caracterísstica de fet | Figura de ruido | Voltaje - PrueBa |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TA9410E | 70.0000 |  | 105 | 0.00000000 | Tecnología de Tagore | - | Banda | Activo | 50 V | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | 20MHz ~ 3GHz | Ganador de hemt | 8-Qfn (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.33.0001 | 1 | 30A | 25W | 17dB | - | |||||||||||||
| TP44100SG | - | | 3 | 0.00000000 | Tecnología de Tagore | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 650 V | Montaje en superficie | 22-Powervfqfn | TP44100 | - | Ganador de hemt | 22-Qfn (5x7) | descascar | 1 (ilimitado) | 1 | Canal P | - | - | - | - | |||||||||||||||
 | TP44220HB | 7.8100 | | 2606 | 0.00000000 | Tecnología de Tagore | - | Banda | Activo | - | Montaje en superficie | 30-POWERWFQFN | TP44220 | Ganfet (Nitruro de Galio) | - | 30-QFN (8x10) | descascar | 1 (ilimitado) | 1 | 2 Canales N (Medio Puente) | 650V | - | - | - | - | ||||||||||||||
 | TP44110HB | 11.6700 | | 5144 | 0.00000000 | Tecnología de Tagore | - | Banda | Activo | - | Montaje en superficie | 30-POWERWFQFN | TP44110 | Ganfet (Nitruro de Galio) | - | 30-QFN (8x10) | descascar | 1 (ilimitado) | 1 | 2 Canales N (Medio Puente) | 650V | - | - | - | - | ||||||||||||||
| TP44200SG | - | | 3 | 0.00000000 | Tecnología de Tagore | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 650 V | Montaje en superficie | 22-Powervfqfn | TP44200 | - | Ganador de hemt | 22-Qfn (5x7) | descascar | 1 (ilimitado) | 1 | Canal P | - | - | - | - | |||||||||||||||
 | TA9210D | 47.9800 | | 101 | 0.00000000 | Tecnología de Tagore | - | Banda | Activo | 120 V | TA9210 | 30MHz ~ 4GHz | Ganador de hemt | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | -2715-TA9210D | 5A991G | 8542.33.0001 | 1 | 700mA | 50 Ma | 12.5W | 18dB | - | 32 V | ||||||||||||
 | TA9310E | 49.9900 | | 40 | 0.00000000 | Tecnología de Tagore | - | Banda | Activo | 120 V | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | TA9310 | 30MHz ~ 4GHz | Ganador de hemt | 8-Qfn (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Disco 3A001B3 | 8542.33.0001 | 1 | - | 100 mA | 20W | 17.5dB | - | 32 V | ||||||||||
 | TP44440HB | 6.0100 | | 100 | 0.00000000 | Tecnología de Tagore | - | Banda | Activo | - | Montaje en superficie | 30-POWERWFQFN | TP44440 | Ganfet (Nitruro de Galio) | - | 30-QFN (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1 | 2 Canales N (Medio Puente) | 650V | - | - | - | - | |||||||||||||
| TP44400SG | - | | 3 | 0.00000000 | Tecnología de Tagore | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 650 V | Montaje en superficie | 22-Powervfqfn | TP44400 | - | Ganador de hemt | 22-Qfn (5x7) | descascar | 1 (ilimitado) | 1 | Canal P | - | - | - | - |
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