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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SSFP3806 | 0.8100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 46W (TC) | 8-PPAK (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 Canal | 30V | 40A (TC) | 6.5mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 22NC @ 4.5V | 1750pf @ 25V | Estándar | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFD8005 | 0.8100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 2.500 | N-canal | 800 V | 5.5a (TC) | 10V | 2.7ohm @ 2.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 15.16 NC @ 10 V | ± 30V | 678 pf @ 25 V | - | 132W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2222A | 1.9700 | ![]() | 696 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Una granela | Activo | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 500 MW | Un 18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4786-2N2222A | EAR99 | 8541.21.0095 | 500 | 40 V | 800 Ma | 10NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSF0304 | 0.3500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4.1a (TA) | 4.5V, 10V | 65mohm @ 4.1a, 10V | 2.1V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 650 pf @ 15 V | - | 1.4W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFL0956 | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 100 V | 4A (TC) | 4.5V, 10V | 120mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | - | 5.2W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSF2301 | 0.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3a (TA) | 2.5V, 4.5V | 110mohm @ 3a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 12 NC @ 2.5 V | ± 12V | 405 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFC0603 | 0.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canal P | 60 V | 3a (TA) | 4.5V, 10V | 95mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 1178 pf @ 30 V | - | 1.56W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFD1550 | 1.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 2.500 | N-canal | 150 V | 50A (TC) | 10V | 22mohm @ 25A, 10V | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 3450 pf @ 75 V | - | 133W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFQ6810 | 0.5100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 2.1W (TC) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 Canal | 60V | 5A (TC) | 54mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 21NC @ 10V | 1300pf @ 25V | Estándar | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFL0954 | 0.4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 100 V | 1.7a (TC) | 4.5V, 10V | 310mohm @ 1a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | - | 1.76W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFN0988 | 0.5400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Papak (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 100 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 38mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | +20V, -12V | 740 pf @ 20 V | - | 32.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF6909 | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canal P | 60 V | 3.2a (TA) | 4.5V, 10V | 105mohm @ 3a, 10v | - | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 30 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFH6538 | 2.9500 | ![]() | 991 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4786-SSFH6538 | EAR99 | 8541.21.0080 | 500 | N-canal | 650 V | 38a (TC) | 10V | 99mohm @ 19a, 10v | 4V @ 250 µA | 55 NC @ 10 V | ± 30V | 3200 pf @ 50 V | - | 322W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | GSMBR0520 | 0.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 450 MV @ 500 Ma | 80 µA @ 20 V | 125 ° C | 500mA | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSGP0160SD | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Schottky | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 1 A | 100 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSPSL33 | 0.4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123H | Schottky | SOD-123HS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 450 MV @ 2 A | 150 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 210pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF8970 | 2.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tubo | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4786-SSF8970 | EAR99 | 8541.21.0080 | 50 | N-canal | 80 V | 200a (TC) | 10V | 2.6mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 360 NC @ 10 V | ± 20V | 23000 pf @ 30 V | - | 208W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | SSFQ3910 | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 30 V | 10a (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 4.5 V | ± 20V | 900 pf @ 25 V | - | 2.1W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SMSZ4681 | 0.1800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Automotriz, AEC-Q101, SMSZ4XXX | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 1 V | 2.4 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS2BH | 0.3000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | Schottky | SOD-123FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 2 A | 200 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2a | 71pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFQ4810 | 0.5300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 Canal | 40V | 8a (TA) | 18mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 21.6nc @ 10V | 1450pf @ 25V | Estándar | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV70 | 0.1300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Estándar | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 Independiente | 70 V | 200 MMA | 1.25 V @ 150 Ma | 6 ns | 2.5 µA @ 70 V | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54 | 0.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Schottky | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 10pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Murb1040ct | 0.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | TO-263 (D2PAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 5A | 1.3 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B5V1 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Bzx84bx | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B39 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Bzt52bxxx | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 27.3 V | 39 V | 130 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C6V8S | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Bzt52cxxxs | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.88% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 500 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK13 | 0.2100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 1 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK29 | 0.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 790 MV @ 2 A | 30 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 200pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF20200CT | 0.7600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Schottky | ITO-220-AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4786-MBRF20200CT | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 200 V | 10A | 200 na @ 200 V | - |
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