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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | Gr2g | 0.3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.35 v @ 2 a | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBAV3004W | 0.2400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | Estándar | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 240 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 225 Ma | 1PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-40 | 0.1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 100 maja, 1v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SL34A | 0.4600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 420 MV @ 3 A | 200 na @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | 285pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMA4747A | 0.2900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 5 µA @ 15.2 V | 20 V | 22 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sk34a | 0.3400 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 3 A | 200 na @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 250pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR20100CT | 0.5800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Schottky | ITO-220-AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4786-MBR20100CT | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 200 na @ 100 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF6092G1 | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 60 V | 2.7a | 10V | 92mohm @ 2.7a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 641 pf @ 25 V | - | 1.25W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF6007 | 0.2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canal P | 50 V | 130MA (TC) | 10V | 7ohm @ 130mA, 10V | 2v @ 1 mapa | ± 20V | 45 pf @ 5 V | - | 230MW (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GDB5819HWS | 0.2600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | Schottky | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 600 MV @ 1 A | 1 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | 120pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF10S | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Estándar | DFS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.1 V @ 500 Ma | 5 µA @ 1000 V | 1 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857B | 0.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 125 @ 2mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40-04 | 0.1100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | BAS40 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Schottky | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 40 V | 200 MMA | 1 V @ 40 Ma | 5 ns | 200 na @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX784B9V1 | 0.2400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1.98% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sod-723 | 100 MW | Sod-723 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 900 MV @ 10 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSL23S | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | Schottky | SOD-123FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 430 MV @ 2 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbd7000 | 0.1400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Estándar | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 100 V | 500mA | 1.1 V @ 100 Ma | 4 ns | 3 µA @ 100 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFB0206 | 0.5000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | N-canal | 20 V | 5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 40mohm @ 4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 9 NC @ 4.5 V | ± 10V | 460 pf @ 15 V | - | 1.56W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFC0213 | 0.4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canal P | 20 V | 5.8a (TC) | 1.5V, 4.5V | 33mohm @ 4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 25 NC @ 4.5 V | ± 10V | 2100 pf @ 15 V | - | 1.56W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Sk36a | 0.4300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 3 A | 150 na @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 250pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LL4148 | 0.1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Estándar | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175 ° C | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSTP0160S | 0.2700 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Schottky | Sod-323hs | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 1 A | 20 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5235B | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Mmsz52xxb | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 5 V | 6.8 V | 5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4005G | 0.2800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 1 a | 1 µs | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSF0301 | 0.2600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-523 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 30 V | 600 mA (TC) | 2.5V, 4.5V | 500mohm @ 300mA, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 5.2 NC @ 4.5 V | ± 12V | 146 pf @ 15 V | - | 310MW (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HS1M | 0.2400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSMBR0530 | 0.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 500 Ma | 80 µA @ 30 V | 125 ° C | 500mA | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS70 | 0.1100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Schottky | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 70 V | 1 V @ 15 Ma | 5 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 70 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR2020CT | 0.7600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4786-MOR2020CT | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 10A | 1.1 v @ 10 a | 35 ns | 15 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBAT46W | 0.2100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 450 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 75 V | 125 ° C | 150 Ma | 20pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBC807-40W | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 100 maja, 1v | 80MHz |
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