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Productos de semiconductorores discretos (554)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MBR20200CT | 0.6800 |  | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Schottky | ITO-220-AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4786-MBR20200CT | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 200 V | 10A | 200 na @ 200 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | GSTP0140S | 0.2700 | | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Schottky | Sod-323hs | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 1 A | 20 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4148WS | 0.1000 | | 57 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 1N4148 | Estándar | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 150 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | A7 | 0.2100 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | Estándar | SOD-123FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1 V @ 1 A | 1.8 µs | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX584C3V3 | 0.2400 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.06% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 150 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SSFN4903 | 0.5800 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Papak (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canal P | 40 V | 38a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 4000 pf @ 25 V | - | 52W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | GSFP08150 | 1.7600 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PPAK (5.1x5.71) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 80 V | 150A (TC) | 10V | 3.6mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 6900 pf @ 40 V | - | 192W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | GSR3000 | 0.3700 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 3000 V | 3000 V @ 200 V | V | 200 mA @ 4 V | A Través del Aguetero | 200 MMA | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC856S | 0.1900 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | 200MW | SC-88 (SC-70-6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 65V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 PNP | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMBT3904 | 0.1000 | | 628 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 200 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 200 MA | 50NA | NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | GSFU9506 | 3.9600 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4786-GSFU9506 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 950 V | 6a (TJ) | 10V | 750mohm @ 3a, 10v | 3.9V @ 250 µA | 18.4 NC @ 10 V | ± 30V | 1250 pf @ 50 V | - | 32W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||
 | GSFP0446 | 0.5800 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PPAK (3.1x3.05) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 40 V | 45a (TC) | 4.5V, 10V | 7.2mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 20 V | - | 33W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | HS3MB | 0.4000 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.7 v @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | LB2010S | 0.4200 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Estándar | Abf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | 1.1 v @ 2 a | 5 µA @ 1000 V | 2 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | B5817W | 0.2400 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 450 MV @ 1 A | 1 ma @ 20 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | 120pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| GSFP03101 | 1.4100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PPAK (5.1x5.71) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canal P | 30 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 12000 pf @ 25 V | - | 138W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| Mmbta92 | 0.2000 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 300 V | 200 MA | 250NA (ICBO) | PNP | 200 MV @ 2mA, 20 Ma | 100 @ 10mA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | GN1P20 | 0.4000 | | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2000 V | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 2000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 5.4pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Gr1m | 0.2000 | | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 7.6pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Sk29a | 0.3100 | | 14 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 850 MV @ 2 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 200pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | GBU408 | 0.6000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4786-GBU408 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 v @ 2 a | 5 µA @ 800 V | 4 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSFB12N05 | 0.4700 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 1.9W (TA) | 6-DFN (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 4.000 | N y p-canal complementario | 12V | 5A (TA) | 32mohm @ 5a, 4.5V, 74mohm @ 4.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 6.6nc @ 4.5V, 9.2nc @ 4.5V | 495pf @ 6V, 520pf @ 6V | Estándar | |||||||||||||||||||||||||||||
| GSFD0646 | 0.7000 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 2.500 | N-canal | 60 V | 45a (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 59 NC @ 10 V | ± 20V | 3050 pf @ 25 V | - | 63W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | FSL34 | 0.3900 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | Schottky | SOD-123FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 460 MV @ 3 A | 1 ma @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | 160pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SL24A | 0.4900 | | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 420 MV @ 2 A | 200 na @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 2a | 175pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SSF0910S | 0.3800 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 100 V | 2a (TC) | 4.5V, 10V | 200mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1190 pf @ 50 V | - | 1.56W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | GSFP1040 | 0.6600 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PPAK (5.1x5.71) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 100 V | 40A (TC) | 10V | 18mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 50 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| GSFP1036 | 0.6200 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PPAK (5.1x5.71) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 100 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 1030 pf @ 50 V | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | Sk34 | 0.4100 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 3 A | 200 na @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 250pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS2CH | 0.3900 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | Schottky | SOD-123FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 850 MV @ 2 A | 200 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - |
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