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Productos de semiconductorores discretos (10)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Tecnología	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Paquete estándar	Velocidad	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f
CBR06P65HL	1.9900	RFQ	10	Bruckewell	-	Cinta de Corte (CT)	Activo		Montaje en superficie	4-Powertsfn	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	4-DFN (8x8)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)				10	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)													650 V		1.7 v @ 6 a	0 ns	20 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 150 ° C	18A	-
Mshm30n46	0.4500	RFQ	150	Bruckewell	Dfn3x3	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Almohadilla exposición de 8-vdfn	Mosfet (Óxido de metal)	DFN3333	descascar	Cumplimiento de Rohs		Alcanzar Afectados	4727-MSHM30N46TR	EAR99	1		N-canal	30 V	46a (TA)	4.5V, 10V	9mohm @ 15a, 10v	2.5V @ 250 µA		± 20V		Estándar	-
CBR20120pc	12.0100	RFQ	10	Bruckewell	-	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	Un 220-3	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	Un 220-3l	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)				10	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)												1 par Cátodo Común	1200 V	20A	1.7 V @ 10 A	0 ns	100 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
CBR10P65HL	2.7300	RFQ	2959	Bruckewell	-	Tubo	Activo		Montaje en superficie	4-Powertsfn	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	4-DFN (8x8)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)				10	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)													650 V		1.7 V @ 10 A	0 ns	25 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 150 ° C	30A	-
Ms23p05	0.1300	RFQ	2	Bruckewell	Sot-23	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Mosfet (Óxido de metal)	Sot-23	descascar	Cumplimiento de Rohs		Alcanzar Afectados	4727-MS23P05TR	EAR99	1		Canal P	20 V	3.1a (TA)	1.8v, 10v	55mohm @ 3a, 10v	1.2V @ 250 µA	9.7 NC @ 4.5 V	± 12V	686 pf @ 15 V	-	1W (TA)
CBR08P65D	2.2500	RFQ	10	Bruckewell	Automotriz, AEC-Q101	Cinta de Corte (CT)	Activo		Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	Un 252-2L	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)				10	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)													650 V		1.7 V @ 8 A	0 ns	25 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	29a	-
MS40N05	0.1900	RFQ	1	Bruckewell	Sot-23	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Mosfet (Óxido de metal)	Sot-23	descascar	Cumplimiento de Rohs		Alcanzar Afectados	4727-MS40N05TR	EAR99	1		N-canal	40 V	5A (TA)	4.5V, 10V	32mohm @ 4a, 10v	2.5V @ 250 µA	5.5 NC @ 4.5 V	± 20V	593 pf @ 15 V	-	1.25W (TA)
US1M	0.3600	RFQ	81	Bruckewell	SMA	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Estándar	DO-214AC (SMA)	descascar	Cumplimiento de Rohs		Alcanzar Afectados	4727-US1MTR	EAR99	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													1000 V		1.7 v @ 2 a	75 ns		-55 ° C ~ 150 ° C	1A
CBR10P65	2.7300	RFQ	10	Bruckewell	-	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	Un 220-2	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	Un 220-2L	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)				10	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)													650 V		1.7 V @ 10 A	0 ns	25 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	29a	-
CBR20p65pc	5.1900	RFQ	10	Bruckewell	-	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	Un 220-3	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	Un 220-3l	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)				10	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)												1 par Cátodo Común	650 V	21A	1.7 V @ 10 A	0 ns	25 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C