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Productos de semiconductorores discretos (2)

Imaginación	Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Ecada	Cantidad Disponible	Peso (kg)	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Tecnología	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	Paquete estándar	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)
	CC-C2-B15-0322	15.0000	RFQ		30	0.00000000	Coolcad	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-4	Sicfet (CARBURO DE SILICIO)	To-247	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	3892-CC-C2-B15-0322	5	N-canal	1200 V	12a (TA)	15V	135mohm @ 10a, 15V	3.2V @ 5MA	40 NC @ 15 V	+15V, -5V	1810 pf @ 200 V	Estándar	100W (TC)
	CC-CN-23-0123	15.0000	RFQ		10	0.00000000	Coolcad	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Sicfet (CARBURO DE SILICIO)	TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	3892-CC-CN-23-0123	5			20A (TA)		85mohm @ 10a, 15V	2.4V @ 5MA	16 NC @ 5 V		810 pf @ 200 V	Estándar