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Productos de semiconductorores discretos (35)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ICE22N60W | - |  | 1286 | 0.00000000 | Tecnología de icemos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | 5133-ICE22N60W | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 22a (TC) | 10V | 160mohm @ 11a, 10v | 3.9V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 2730 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | |
 | ICE10N73 | - | | 2437 | 0.00000000 | Tecnología de icemos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | 5133-ICE10N73 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 730 V | 10a (TC) | 10V | 350mohm @ 5a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 81 NC @ 10 V | ± 20V | 2624 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | |
 | ICE20N60EFP | 2.4800 | | 900 | 0.00000000 | Tecnología de icemos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220FP | descascar | 5133-ICE20N60EFP | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 190mohm @ 10a, 10v | 3.9V @ 250 µA | 59 NC @ 10 V | ± 20V | 2064 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |
| ICE60N199 | - | | 3334 | 0.00000000 | Tecnología de icemos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | 5133-ICE60N199 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 199mohm @ 10a, 10v | 3.9V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 1890 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | |
| ICE15N73 | - | | 6209 | 0.00000000 | Tecnología de icemos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | 5133-ICE15N73 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 730 V | 15A (TC) | 10V | 350mohm @ 7.5a, 10V | 3.5V @ 250 µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 2816 pf @ 100 V | - | 208W (TC) |
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