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Productos de Semiconducores discretos (5680)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Tipo de transistor | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RJK60S5DPE-00#J3 | 14.8000 |  | 40 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-83 | Mosfet (Óxido de metal) | Ldpak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 178mohm @ 10a, 10v | - | 27 NC @ 10 V | 1600 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RJK60S4DPP-E0#T2 | 4.6200 | | 114 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220FP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 600 V | 16a (TC) | 290mohm @ 8a, 10v | - | 18 NC @ 10 V | 988 pf @ 25 V | - | 29.9W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| N0600N-S17-AY | 0.5200 | | 22 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PESTA AISLADA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 60 V | 30A (TA) | 36mohm @ 15a, 4.5V | - | 29.8 NC @ 10 V | 1380 pf @ 10 V | - | 2W (TA), 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UPA2732UT1A-E1-AY | - | | 3024 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN3333 (3.3x3.3) | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 40a (TA) | 3.7mohm @ 20a, 10v | - | 133 NC @ 10 V | 3280 pf @ 10 V | - | 1.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK60S3DPP-E0#T2 | 3.7000 | | 129 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220FP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 600 V | 12a (TA) | 440mohm @ 6a, 10v | - | 13.6 NC @ 10 V | 720 pf @ 25 V | - | 27.7W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Hat2279n-el-e | 1.0000 | | 3936 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-LFPAK-IV | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 80 V | 30A (TA) | 12.3mohm @ 15a, 10v | - | 60 NC @ 10 V | 3520 pf @ 10 V | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RJK0351DPA-00#J0 | 0.8500 | | 182 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-wpak | - | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 40a (TA) | 4.2mohm @ 20a, 10v | - | 17 NC @ 4.5 V | 2560 pf @ 10 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UPA651TT-E1-A | 0.2900 | | 15 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | Mosfet (Óxido de metal) | 6-WSOF | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 5A (TA) | 69mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 5.5 NC @ 4 V | 600 pf @ 10 V | - | 200MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RJK0701DPN-E0#T2 | 3.5500 | | 12 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 75 V | 100A (TA) | 3.8mohm @ 50A, 10V | - | 140 NC @ 10 V | 10 pf @ 10 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rjk0702dpp-e0#t2 | 2.4400 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220FP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 75 V | 90A (TA) | 4.8mohm @ 45a, 10V | - | 89 NC @ 10 V | 6450 pf @ 10 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK0204DPA-00#J53 | 0.9400 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-wpak | - | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 50A (TA) | 2.7mohm @ 25A, 10V | 2.5V @ 1MA | 22 NC @ 4.5 V | 4240 pf @ 10 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK03P9DPA-00#J5A | 1.3600 | | 24 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-WFDFN PADERA EXPUESTA | RJK03P9 | Mosfet (Óxido de metal) | 15W, 35W | 8-wpak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 20a, 50a | 7mohm @ 10a, 10v | - | 7.7nc @ 4.5V | 1660pf @ 10V | Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | RJK0702DPN-E0#T2 | 2.4400 | | 14 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 75 V | 90A (TA) | 4.8mohm @ 45a, 10V | - | 89 NC @ 10 V | 10 pf @ 10 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK3993-ZK-E1-AZ | 1.5200 | | 20 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252 (MP-3Z) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 64a (TC) | 3.8mohm @ 32a, 10v | 3V @ 1MA | 88 NC @ 10 V | 4770 pf @ 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UPA1816GR-9JG-E1-A | 0.5800 | | 9 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 9a (TA) | 15mohm @ 4.5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 15 NC @ 4 V | 1570 pf @ 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UPA1809GR-9JG-E2-A | 0.5500 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 8a (TA) | 21mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 1MA | 10 NC @ 10 V | 520 pf @ 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RJK0328DPB-00#J0 | 1.4800 | | 11 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | Mosfet (Óxido de metal) | Lfpak | - | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 60A (TA) | 2.1mohm @ 30a, 10v | - | 42 NC @ 4.5 V | 6380 pf @ 10 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK2090-T2-A | 0.2000 | | 9 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3, SSP, mini moho en miniatura | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 50 V | 100 mA (TA) | 20ohm @ 10mA, 4V | 1.5V @ 1 µA | 6000 pf @ 3 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Hat2173n-el-e | - | | 8022 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-LFPAK-IV | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 25A (TA) | 15.3mohm @ 12.5a, 10v | 6V @ 20MA | 61 NC @ 10 V | 4350 pf @ 10 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HVC369BTRF-E | 0.1700 | | 28 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 2-UFP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | 2.15pf @ 4V, 1MHz | Soltero | 15 V | 2.3 | C1/C4 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP90N03VUG-E1-AY | 1.7600 | | 10 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 90A (TC) | 3.2mohm @ 45a, 10V | 4V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | 7500 pf @ 25 V | - | 1.2W (TA), 105W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| RKR0303AKJ#R6 | 0.1200 | | 656 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | RKR0303 | Schottky | 2-UFP | - | No Aplicable | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 420 MV @ 300 Ma | 200 µA @ 30 V | 125 ° C (Máximo) | 300mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP80N04MHE-S18-AY | 1.8400 | | 227 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 80a (TC) | 8mohm @ 40a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | 3300 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA), 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NE3515S02-T1C-A | 1.0000 | | 7495 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 4 V | 4-smd, planos de cables | 12 GHz | HFET | S02 | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 88 Ma | 10 Ma | 14dbm | 12.5dB | 0.3dB | 2 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK035555DPA-01#J0B | 0.8500 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-wpak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 30A (TA) | 10.7mohm @ 15a, 10v | - | 6.3 NC @ 4.5 V | 860 pf @ 10 V | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RJK03M8DNS-00#J5 | 0.5300 | | 315 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HWSON (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 30A (TA) | 5.2mohm @ 15a, 10v | - | 14.5 NC @ 4.5 V | 2590 pf @ 10 V | - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK0394DPA-00#J5A | 0.8500 | | 96 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-wpak | - | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 35A (TA) | 5.3mohm @ 17.5a, 10v | - | 15.5 NC @ 4.5 V | 2430 pf @ 10 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NESG2021M16-T3-A | 0.5600 | | 19 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | 175MW | M16, 1208 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 10dB ~ 18dB | 5V | 35mA | NPN | 130 @ 5MA, 2V | 25 GHz | 0.9dB ~ 1.3db @ 2Ghz ~ 5.2Ghz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UPA2211T1M-T1-AT | 0.7500 | | 26 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Mosfet (Óxido de metal) | 8-VSOF | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 7.5a (TA) | 25mohm @ 7.5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 14.9 NC @ 4.5 V | 1350 pf @ 10 V | - | 1.1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AC01DGM (1DF) -AZ | 0.3800 | | 9459 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.30.0080 | 76 |
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