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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BS250P Diodes Incorporated BS250P 0.8700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BS250 Mosfet (Óxido de metal) Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 Canal P 45 V 230 mA (TA) 10V 14ohm @ 200 MMA, 10V 3.5V @ 1MA ± 20V 60 pf @ 10 V - 700MW (TA)
SBR3U60P5Q-7 Diodes Incorporated SBR3U60P5Q-7 0.2083
RFQ
 ECAD 8272 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 SBR3U60 Super Barrera Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 60 V 620 MV @ 3 A 100 µA @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
DMN3032LFDB-7 Diodes Incorporated Dmn3032lfdb-7 0.4000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN3032 Mosfet (Óxido de metal) 1W U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 6.2a 30mohm @ 5.8a, 10V 2V @ 250 µA 10.6nc @ 10V 500pf @ 15V -
BC847CW-7-F Diodes Incorporated BC847CW-7-F 0.2000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC847 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 20NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 300MHz
AZ23C6V8-7-G Diodes Incorporated AZ23C6V8-7-G -
RFQ
 ECAD 2328 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto AZ23C6V8 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado AZ23C6V8-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3.000
APT13005TF-E1 Diodes Incorporated Apt13005tf-e1 -
RFQ
 ECAD 9105 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta y Caja (TB) Obsoleto Apt13005 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 31-app13005tf-e1tb EAR99 8541.29.0095 2,000
BZT52C15-7-F Diodes Incorporated BZT52C15-7-F 0.2100
RFQ
 ECAD 531 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 10.5 V 15 V 30 ohmios
PBPC802 Diodes Incorporated PBPC802 -
RFQ
 ECAD 6871 0.00000000 Diodos incorporados - Caja Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrados, PBPC-8 Estándar PBPC-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 150 1.1 v @ 4 a 10 µA @ 100 V 6 A Fase única 100 V
DMN601TK-7 Diodes Incorporated DMN601TK-7 0.3700
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 DMN601 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 300 mA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA ± 20V 50 pf @ 25 V - 150MW (TA)
DMT69M8LFV-7 Diodes Incorporated DMT69M8LFV-7 0.7800
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT69 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (Tipo UX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 45a (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 13.5a, 10v 3V @ 250 µA 33.5 NC @ 10 V ± 16V 1925 pf @ 30 V - 42W (TC)
ZVN4306AVSTOA Diodes Incorporated ZVN4306AVSTOA -
RFQ
 ECAD 5762 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 60 V 1.1a (TA) 5V, 10V 330mohm @ 3a, 10v 3V @ 1MA ± 20V 350 pf @ 25 V - 850MW (TA)
ZXMC4A16DN8TC Diodes Incorporated Zxmc4a16dn8tc -
RFQ
 ECAD 1244 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMC4A16 Mosfet (Óxido de metal) 2.1w 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N y p-canal complementario 40V 5.2a (TA), 4.7a (TA) 50mohm @ 4.5a, 10v, 60mohm @ 3.8a, 10V 1V @ 250 mA (min) 17NC @ 10V 770pf @ 40V, 1000pf @ 20V Puerta de Nivel Lógico
DMP4025LSSQ-13 Diodes Incorporated DMP4025LSSQ-13 0.5054
RFQ
 ECAD 6386 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMP4025 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 6a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 3a, 10v 1.8V @ 250 µA 33.7 NC @ 10 V ± 20V 1640 pf @ 20 V - 1.52W (TA)
1N5818-T Diodes Incorporated 1N5818-T 0.3200
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5818 Schottky Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 1 A 1 ma @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
PD3S220L-7-2477 Diodes Incorporated PD3S220L-7-2477 -
RFQ
 ECAD 3063 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela La Última Vez Que Compre Montaje en superficie PowerDi ™ 323 Schottky PowerDi ™ 323 - 31-PD3S220L-7-2477 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 490 MV @ 2 A 160 µA @ 20 V -65 ° C ~ 125 ° C 2A 46pf @ 10V, 1 MHz
DMTH4004LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH4004LPSQ-13 0.6041
RFQ
 ECAD 1198 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH4004 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMTH4004LPSQ-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 100A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 50A, 10V 3V @ 250 µA 69.6 NC @ 10 V ± 20V 5220 pf @ 20 V - 2.83W (TA), 125W (TC)
BAT54ST-7-F-2477 Diodes Incorporated BAT54ST-7-F-2477 -
RFQ
 ECAD 4585 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela La Última Vez Que Compre Montaje en superficie SOT-523 Schottky SOT-523 - 31-bat54st-7-F-2477 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 1 par 30 V 200 MMA 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -65 ° C ~ 150 ° C
DMT3009LFVW-13 Diodes Incorporated DMT3009LFVW-13 0.2192
RFQ
 ECAD 7511 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn DMT3009 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 12A (TA), 50A (TC) 3.8V, 10V 11mohm @ 14.4a, 10V 3V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 823 pf @ 15 V - 2.3W (TA)
DMT12H090LFDF4-7 Diodes Incorporated DMT12H090LFDF4-7 0.3599
RFQ
 ECAD 9131 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-PowerXDFN DMT12 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN2020-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DMT12H090LFDF4-7TR EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 115 V 3.4a (TA) 3V, 10V 90mohm @ 3.5a, 10V 2.2V @ 250 µA 6 NC @ 10 V ± 12V 251 pf @ 50 V - 900MW (TA)
DCX122LH-13 Diodes Incorporated DCX122LH-13 -
RFQ
 ECAD 1048 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto DCX122 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 31-DCX122LH-13TR EAR99 8541.21.0095 3.000
LS4148WT Diodes Incorporated LS4148WT -
RFQ
 ECAD 8501 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela La Última Vez Que Compre Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) LS4148 Estándar 0603 - 31-LS4148WT EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 75 V 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C 150 Ma 4PF @ 0V, 1MHz
DMG2301L-7 Diodes Incorporated DMG2301L-7 0.3200
RFQ
 ECAD 172 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2301 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 3a (TA) 2.5V, 4.5V 120mohm @ 2.8a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 5.5 NC @ 4.5 V ± 8V 476 pf @ 10 V - 1.5W (TA)
GBJ8005 Diodes Incorporated GBJ8005 2.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados * Tubo Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 600
ZXMN4A06KTC Diodes Incorporated Zxmn4a06ktc 1.2500
RFQ
 ECAD 3622 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 ZXMN4A06 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 7.2a (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.5a, 10V 1V @ 250 µA 17.1 NC @ 10 V ± 20V 827 pf @ 20 V - 2.15W (TA)
MMBTA92Q-7-F Diodes Incorporated MMBTA92Q-7-F 0.0582
RFQ
 ECAD 1948 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbta92 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-MMBTA92Q-7-FTR EAR99 8541.21.0095 3.000 300 V 500 mA 250NA (ICBO) PNP 500mv @ 2 mm, 20 mm 40 @ 10mA, 10V 50MHz
DMTH3002LPS-13 Diodes Incorporated DMTH3002LPS-13 1.2100
RFQ
 ECAD 9034 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH3002 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 100A (TC) 4.5V, 10V 1.6mohm @ 25A, 10V 2v @ 1 mapa 77 NC @ 10 V ± 16V 5000 pf @ 15 V - 1.2W (TA), 136W (TC)
MUR120-T Diodes Incorporated MUR120-T -
RFQ
 ECAD 4532 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial MUR120 Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 875 MV @ 1 A 25 ns 2 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BC848A-7-F Diodes Incorporated BC848A-7-F 0.2000
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 300MHz
B140AE-13 Diodes Incorporated B140AE-13 -
RFQ
 ECAD 6159 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA B140 Schottky SMA descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 1 A 200 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1 MHz
SBR30E45CTB-13 Diodes Incorporated SBR30E45CTB-13 -
RFQ
 ECAD 3125 0.00000000 Diodos incorporados SBR® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SBR30 Super Barrera Un 263 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 550 MV @ 15 A 480 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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