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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
FCX493TA Diodes Incorporated Fcx493ta 0.4600
RFQ
 ECAD 320 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA FCX493 1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 100 V 1 A 100na NPN 600mv @ 100 mm, 1a 100 @ 250mA, 10V 150MHz
BAT1000-7-F-2477 Diodes Incorporated BAT1000-7-F-2477 -
RFQ
 ECAD 7008 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Schottky Sot-23-3 - 31-bat1000-7-F-2477 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 1 A 12 ns 100 µA @ 30 V -40 ° C ~ 125 ° C 1A 175pf @ 0V, 1 MHz
SBL1060CTP Diodes Incorporated SBL1060CTP -
RFQ
 ECAD 8540 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO20-3 PESTA AISLADA Schottky ITO-220S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados SBL1060CTPDI EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 5A 700 MV @ 5 A 500 µA @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C
RS2MA-13-F Diodes Incorporated RS2MA-13-F 0.4200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs2m Estándar SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 1.5 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C 1.5a 30pf @ 4V, 1 MHz
DMT4001LPS-13 Diodes Incorporated DMT4001LPS-13 -
RFQ
 ECAD 1181 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT4001 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo K) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMT4001LPS-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 100A (TC) 4.5V, 10V 1mohm @ 30a, 10v 3V @ 250 µA 160.5 NC @ 10 V ± 20V 12121 pf @ 20 V - 2.6w
DMPH4029LFGQ-13 Diodes Incorporated DMPH4029LFGQ-13 0.2701
RFQ
 ECAD 9535 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMPH4029 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMPH4029LFGQ-13DI EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 40 V 8a (TA), 22a (TC) 4.5V, 10V 29mohm @ 3a, 10v 3V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 1626 pf @ 20 V - 1.2W (TA)
DP0150BLP4-7 Diodes Incorporated DP0150BLP4-7 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DP0150 450 MW X2-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 80MHz
DMC1028UFDB-7 Diodes Incorporated DMC1028UFDB-7 0.7900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMC1028 Mosfet (Óxido de metal) 1.36W U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Vecino del canal 12V, 20V 6a, 3.4a 25mohm @ 5.2a, 4.5V 1V @ 250 µA 18.5nc @ 8V 787pf @ 6V -
BZX84B15-7-F Diodes Incorporated BZX84B15-7-F 0.1900
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 10.5 V 15 V 30 ohmios
SBR1045SD1-T Diodes Incorporated SBR1045SD1-T 0.6600
RFQ
 ECAD 6394 0.00000000 Diodos incorporados SBR® Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SBR1045 Super Barrera Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1.200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 550 MV @ 10 A 450 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
DSRHD04-13 Diodes Incorporated DSRHD04-13 -
RFQ
 ECAD 1860 0.00000000 Diodos incorporados Diodestar ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-smd, planos de cables DSRHD04 Estándar Minidip 4-T descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 1.1 v @ 1 a 10 µA @ 400 V 1 A Fase única 400 V
1SMB5935B-13 Diodes Incorporated 1SMB5935B-13 0.1257
RFQ
 ECAD 5065 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5935 550 MW SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1SMB5935B-13DI EAR99 8541.10.0050 3.000 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 20.6 V 27 V 23 ohmios
BZT52C3V6-13-F Diodes Incorporated BZT52C3V6-13-F 0.2100
RFQ
 ECAD 4260 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.56% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52 370 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 V 90 ohmios
BZT52C51S-13 Diodes Incorporated BZT52C51S-13 0.2600
RFQ
 ECAD 4849 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52 200 MW SOD-123 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BZT52C51S-13DI EAR99 8541.10.0050 1 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 38 V 51 V 100 ohmios
DDZ6V2BSF-7 Diodes Incorporated Ddz6v2bsf-7 0.0363
RFQ
 ECAD 2917 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Ddz6v2 500 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DDZ6V2BSF-7DI EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 7.5 µA @ 3 V 6.12 V 50 ohmios
DDZX16-13 Diodes Incorporated DDZX16-13 0.0321
RFQ
 ECAD 9305 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DDZX16 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DDZX16-13DI EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 12 V 16 V 18 ohmios
DDZX22D-13 Diodes Incorporated DDZX22D-13 0.0321
RFQ
 ECAD 8924 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DDZX22 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DDZX22D-13DI EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 17 V 22 V 30 ohmios
DDZX6V8C-13 Diodes Incorporated DDZX6V8C-13 0.2500
RFQ
 ECAD 8947 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 2.56% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DDZX6 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 5 V 6.8 V 5 ohmios
DDZX7V5C-13 Diodes Incorporated DDZX7V5C-13 0.0357
RFQ
 ECAD 7580 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddzx7 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DDZX7V5C-13DI EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 6 V 7.5 V 6 ohmios
DF1501S Diodes Incorporated DF1501S 0.7056
RFQ
 ECAD 5430 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DF1501 Estándar DF-S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DF1501SDI EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 100 V 1.5 A Fase única 100 V
SBR30A45CTB-13 Diodes Incorporated SBR30A45CTB-13 1.3900
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Diodos incorporados Automotive, AEC-Q101, SBR® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SBR30 Super Barrera To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 550 MV @ 15 A 500 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C
ZXMP3F30FHTA Diodes Incorporated Zxmp3f30fhta 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMP3F30 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 2.8a (TA) 4.5V, 10V 80mohm @ 2.5a, 10v 1V @ 250 µA 7 NC @ 10 V ± 20V 370 pf @ 15 V - 950MW (TA)
ZXMP3F37N8TA Diodes Incorporated Zxmp3f37n8ta -
RFQ
 ECAD 8565 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Zxmp3f37n8tadi EAR99 8541.29.0095 500 Canal P 30 V 6.4a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 7.1a, 10v 2.5V @ 250 µA 31.6 NC @ 10 V ± 20V 1678 pf @ 15 V - 1.56W (TA)
DMG2305UX-13 Diodes Incorporated Dmg2305ux-13 0.3900
RFQ
 ECAD 151 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2305 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 Canal P 20 V 4.2a (TA) 1.8V, 4.5V 52mohm @ 4.2a, 4.5V 900MV @ 250 µA 10.2 NC @ 4.5 V ± 8V 808 pf @ 15 V - 1.4W (TA)
DMN4026SSD-13 Diodes Incorporated DMN4026SSD-13 0.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMN4026 Mosfet (Óxido de metal) 1.3w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 40V 7A 24mohm @ 6a, 10v 3V @ 250 µA 19.1NC @ 10V 1060pf @ 20V Puerta de Nivel Lógico
BZX84B47-7-F Diodes Incorporated BZX84B47-7-F 0.0337
RFQ
 ECAD 8173 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo BZX84 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BZX84B47-7-FDI EAR99 8541.10.0050 3.000
BZX84B4V7-7-F Diodes Incorporated BZX84B4V7-7-F -
RFQ
 ECAD 7216 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 2 V 4.7 V 80 ohmios
BZX84B8V2-7-F Diodes Incorporated BZX84B8V2-7-F 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 700 na @ 5 V 8.2 V 15 ohmios
DF15005S Diodes Incorporated DF15005S 0.7486
RFQ
 ECAD 6008 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DF15005 Estándar DF-S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 50 V 1.5 A Fase única 50 V
MB151W Diodes Incorporated MB151W -
RFQ
 ECAD 5201 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, MB-W Estándar MB-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados MB151WDI EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 100 V 15 A Fase única 100 V
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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    30,000,000

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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