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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZT52C2V4S-7-F-79 Diodes Incorporated BZT52C2V4S-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 6602 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto BZT52 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BZT52C2V4S-7-F-79DI EAR99 8541.10.0050 3.000
BZT52C13-13-G Diodes Incorporated BZT52C13-13-G -
RFQ
 ECAD 3582 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto BZT52 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BZT52C13-13-GDI EAR99 8541.10.0050 10,000
1N5262B-T Diodes Incorporated 1N5262B-T -
RFQ
 ECAD 4286 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5262 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 39 V 51 V 125 ohmios
MMSZ5228B-7-F Diodes Incorporated MMSZ5228B-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5228 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 10 µA @ 1 V 3.9 V 23 ohmios
DDZ15ASF-7 Diodes Incorporated DDZ15ASF-7 0.2000
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F DDZ15 500 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 70 na @ 12.8 V 13.79 V 40 ohmios
DDZ9699Q-7 Diodes Incorporated DDZ9699Q-7 0.2900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 DDZ9699 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 9.1 V 12 V
BZX84C18W-7 Diodes Incorporated BZX84C18W-7 -
RFQ
 ECAD 6529 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 6% -65 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW Sot-323 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 12.6 V 18 V 45 ohmios
MMBZ5259B-7-G Diodes Incorporated MMBZ5259B-7-G -
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MMBZ5259B-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3.000
QZX363C20-7-G Diodes Incorporated QZX363C20-7-G -
RFQ
 ECAD 9716 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto QZX363 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado QZX363C20-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3.000
BZT52C27S-7-F Diodes Incorporated BZT52C27S-7-F 0.2800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 18.9 V 27 V 80 ohmios
DDZ9711T-7 Diodes Incorporated DDZ9711T-7 0.4500
RFQ
 ECAD 747 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 DDZ9711 150 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 20.4 V 27 V
DMN6140LQ-13-52 Diodes Incorporated DMN6140LQ-13-52 0.0618
RFQ
 ECAD 4744 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN6140 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 31-DMN6140LQ-13-52 EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 60 V 1.6a (TA) 4.5V, 10V 140mohm @ 1.8a, 10V 3V @ 250 µA 8.6 NC @ 10 V ± 20V 315 pf @ 40 V - 700MW (TA)
BAS70-06Q-13-F Diodes Incorporated BAS70-06Q-13-F 0.0449
RFQ
 ECAD 8221 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS70 Schottky Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BAS70-06Q-13-FDI EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 70 V 70MA (DC) 1 V @ 15 Ma 2.5 ns 100 na @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C
DMN3150LW-7 Diodes Incorporated DMN3150LW-7 0.4900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN3150 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 28 V 1.6a (TA) 2.5V, 4.5V 88mohm @ 1.6a, 4.5V 1.4V @ 250 µA ± 12V 305 pf @ 5 V - 350MW (TA)
1N4148WSQ-13-F Diodes Incorporated 1N4148WSQ-13-F 0.0284
RFQ
 ECAD 9123 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 1N4148 Estándar Sod-323 descascar Alcanzar sin afectado 31-1N4148WSQ-13-FTR EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 75 V 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C 150 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
DMN2400UFB-7 Diodes Incorporated DMN2400UFB-7 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN DMN2400 Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 750 mA (TA) 1.8V, 4.5V 550mohm @ 600 mA, 4.5V 900MV @ 250 µA 0.5 NC @ 4.5 V ± 12V 36 pf @ 16 V - 470MW (TA)
DMP3018SFK-7 Diodes Incorporated DMP3018SFK-7 0.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerudfn DMP3018 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2523-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 10.2a (TA) 4.5V, 10V 14.5mohm @ 9.5a, 10v 3V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 25V 4414 pf @ 15 V - 1W (TA)
ZXM64P03XTC Diodes Incorporated Zxm64p03xtc -
RFQ
 ECAD 9954 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-MSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 30 V 3.8a (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 2.4a, 10V 1V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 20V 825 pf @ 25 V - 1.1W (TA)
GBJ801-F Diodes Incorporated GBJ801-F 1.3940
RFQ
 ECAD 9841 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ801 Estándar GBJ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 15 1 v @ 4 a 5 µA @ 100 V 8 A Fase única 100 V
GBU604 Diodes Incorporated GBU604 1.3200
RFQ
 ECAD 609 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU604 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados Gbu604di EAR99 8541.10.0080 20 1 v @ 3 a 5 µA @ 400 V 6 A Fase única 400 V
GBU404 Diodes Incorporated GBU404 1.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU404 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados Gbu404di EAR99 8541.10.0080 20 1 v @ 2 a 5 µA @ 400 V 4 A Fase única 400 V
MB352W-F Diodes Incorporated MB352W-F -
RFQ
 ECAD 8253 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, MB-W MB352 Estándar MB-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados MB352W-FDI EAR99 8541.10.0080 100 1.2 V @ 17.5 A 10 µA @ 200 V 35 A Fase única 200 V
W06G Diodes Incorporated W06G -
RFQ
 ECAD 2938 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-Circular, Wog W06 Estándar Montar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados W06gdi EAR99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 600 V 1.5 A Fase única 600 V
BSS84DW-7-F Diodes Incorporated BSS84DW-7-F 0.3600
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BSS84 Mosfet (Óxido de metal) 300MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 50V 130 Ma 10ohm @ 100 mapa, 5V 2v @ 1 mapa - 45pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
DMG6898LSD-13 Diodes Incorporated DMG6898LSD-13 0.5900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMG6898 Mosfet (Óxido de metal) 1.28w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 20V 9.5a 16mohm @ 9.4a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 26nc @ 10V 1149pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
DMNH6022SSD-13 Diodes Incorporated DMNH6022SSD-13 0.8300
RFQ
 ECAD 5504 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMNH6022 Mosfet (Óxido de metal) 1.5w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 7.1a, 22.6a 27mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 32NC @ 10V 2127pf @ 25V -
DMN2009UFDF-13 Diodes Incorporated DMN2009UFDF-13 0.1273
RFQ
 ECAD 2001 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN2009 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) - 31-DMN2009UFDF-13 EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 20 V 12.8a (TA) 2.5V, 4.5V 9mohm @ 8.5a, 4.5V 1.4V @ 250 µA 27.9 NC @ 10 V ± 12V 1083 pf @ 10 V - 1.3W (TA)
SDT20B45VCT Diodes Incorporated SDT20B45VCT 0.6000
RFQ
 ECAD 1657 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Sdt20 Schottky Un 220-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-SDT20B45VCT EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 10A 540 MV @ 10 A 300 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
DMTH10H025LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH10H025LPSQ-13 0.3814
RFQ
 ECAD 8462 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMTH10H025LPSQ-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 9.3a (TA), 45A (TC) 6V, 10V 23mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1477 pf @ 50 V - 3.2W (TA), 79W (TC)
DMP3011SPDW-13 Diodes Incorporated DMP3011SPDW-13 0.4003
RFQ
 ECAD 7610 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMP3011 Mosfet (Óxido de metal) 1.4W (TA) PowerDI5060-8 (TUPO UXD) descascar 31-DMP3011SPDW-13 EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P 30V 12.1a (TA), 38.2a (TC) 13mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250 µA 46nc @ 10V 2380pf @ 15V Estándar
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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