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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
LZ52C22W Diodes Incorporated LZ52C22W -
RFQ
 ECAD 8334 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) LZ52C 500 MW 1206 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 16 V 22 V 55 ohmios
MBRF2045CT_HF Diodes Incorporated MBRF2045CT_HF -
RFQ
 ECAD 8434 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Schottky ITO-220AB descascar 31-MBRF2045CT_HF Obsoleto 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 10A 640 MV @ 10 A 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF2060CT_HF Diodes Incorporated MBRF2060CT_HF -
RFQ
 ECAD 9702 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Schottky ITO-220AB descascar 31-MBRF2060CT_HF Obsoleto 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 10A 810 MV @ 10 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
SBF1060CT Diodes Incorporated SBF1060CT -
RFQ
 ECAD 4315 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SBF1060 Schottky ITO-220AB descascar 31-SBF1060CT Obsoleto 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 10A 700 MV @ 5 A 300 µA @ 60 V -55 ° C ~ 125 ° C
LZ52C16W Diodes Incorporated LZ52C16W -
RFQ
 ECAD 8070 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) LZ52C 500 MW 1206 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 12 V 16 V 40 ohmios
LZ52C33W Diodes Incorporated LZ52C33W -
RFQ
 ECAD 9850 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) LZ52C 500 MW 1206 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 24 V 33 V 80 ohmios
DMC6022SSD-13 Diodes Incorporated DMC6022SSD-13 0.9500
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMC6022 Mosfet (Óxido de metal) 1.5W (TA) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 60V 6A (TA), 5A (TA) 29mohm @ 5a, 10v, 50mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 32NC @ 10V, 30.6nc @ 10V 2110pf @ 30V, 1525pf @ 30V -
DMTH15H017LPSW-13 Diodes Incorporated DMTH15H017LPSW-13 1.6500
RFQ
 ECAD 2228 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn DMTH15 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo UX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 150 V 8A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 17.5mohm @ 20a, 10v 2.6V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 20V 3369 pf @ 75 V - 1.5W (TA), 107W (TC)
DMN3732UFB4Q-7B Diodes Incorporated DMN3732UFB4Q-7B 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN3732 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 1.3a (TA) 1.8V, 4.5V 460mohm @ 200Ma, 4.5V 950MV @ 250 µA 0.9 NC @ 4.5 V ± 8V 40.8 pf @ 25 V - 490MW (TA)
DMTH46M7SFVW-7 Diodes Incorporated DMTH46M7SFVW-7 0.6800
RFQ
 ECAD 7517 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn DMTH46 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMTH46M7SFVW-7DKR EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 16.3a (TA), 67.2a (TC) 10V 7.4mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 14.8 NC @ 10 V ± 20V 1315 pf @ 20 V - 3.2W (TA), 54.5W (TC)
ZXMP6A17E6QTA-52 Diodes Incorporated ZXMP6A17E6QTA-52 0.2006
RFQ
 ECAD 1068 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 ZXMP6A17 Mosfet (Óxido de metal) Sot-26 descascar 31-ZXMP6A17E6QTA-52 EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 2.3a (TA) 4.5V, 10V 125mohm @ 2.3a, 10v 3V @ 250 µA 17.7 NC @ 10 V ± 20V 637 pf @ 30 V - 1.1W (TA)
DMN1019USNQ-7 Diodes Incorporated DMN1019USNQ-7 0.1375
RFQ
 ECAD 9366 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN1019 Mosfet (Óxido de metal) SC-59-3 descascar 31-DMN1019USNQ-7 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 12 V 9.3a (TA) 1.2V, 4.5V 10mohm @ 9.7a, 4.5V 800mv @ 250 µA 50.6 NC @ 8 V ± 8V 2426 pf @ 10 V - 680MW (TA)
B540CX-13 Diodes Incorporated B540CX-13 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC B540 Schottky SMC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 520 MV @ 5 A 300 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
PDS760-13-52 Diodes Incorporated PDS760-13-52 0.2886
RFQ
 ECAD 1749 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 PDS760 Schottky Powerdi ™ 5 descascar 31-PDS760-13-52 EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 620 MV @ 7 A 200 µA @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C 7A -
KBJ2008G-TU Diodes Incorporated KBJ2008G-TU 0.8210
RFQ
 ECAD 5616 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBJ KBJ2008 Estándar KBJ descascar 31-kbj2008g-tu EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 10 a 5 µA @ 800 V 20 A Fase única 800 V
DMN2991UFZQ-7B Diodes Incorporated DMN2991UFZQ-7B 0.0500
RFQ
 ECAD 7733 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN2991 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN0606-3 descascar 31-DMN2991UFZQ-7B EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 20 V 550 mA (TA) 1.5V, 4.5V 990MOHM @ 100MA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.28 NC @ 4.5 V ± 8V 14.6 pf @ 16 V - 450MW (TA)
BZT52HC6V2WFQ-7 Diodes Incorporated BZT52HC6V2WFQ-7 0.0662
RFQ
 ECAD 6123 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo ± 6.45% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F descascar 31-BZT52HC6V2WFQ-7 EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 4 V 6.2 V 10 ohmios
DMN32D0LV-13 Diodes Incorporated DMN32D0LV-13 0.0388
RFQ
 ECAD 5471 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN32 Mosfet (Óxido de metal) 480MW (TA) SOT-563 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMN32D0LV-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal 30V 680MA (TA) 1.2ohm @ 100 mm, 4V 1.2V @ 250 µA 0.62NC @ 4.5V 44.8pf @ 15V Estándar
DMP22D5UFZ-7B Diodes Incorporated DMP22D5UFZ-7B 0.2300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMP22 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN0606-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 10,000 Canal P 20 V 330 mA (TA) 1.5V, 4.5V 1.9ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.3 NC @ 4.5 V ± 8V 17 pf @ 16 V - 950 µW (TA)
DMC10H172SSD-13 Diodes Incorporated DMC10H172SSD-13 0.2585
RFQ
 ECAD 5389 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMC10 Mosfet (Óxido de metal) 1.1W (TA) 8-SO - 31-DMC10H172SSD-13 EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 100V 2a (TA), 1.7a (TA) 160mohm @ 1.6a, 10v, 250mohm @ 1a, 10v 3V @ 250 µA 19.6nc @ 10V, 18nc @ 10V 1145pf @ 50V, 1030pf @ 50V Estándar
TT8M Diodes Incorporated TT8M -
RFQ
 ECAD 2183 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TT8 Estándar TT descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1.500 1 v @ 4 a 5 µA @ 1000 V 8 A Fase única 1 kV
MSB30TM Diodes Incorporated Msb30tm 0.1271
RFQ
 ECAD 6385 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Plomo Plano MSB30 Estándar MSBL - 31-MSB30TM EAR99 8541.10.0080 2.500 1.3 V @ 3 A 5 µA @ 1000 V 3 A Fase única 1 kV
DMP4015SPSWQ-13 Diodes Incorporated DMP4015SPSWQ-13 0.5928
RFQ
 ECAD 5366 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn DMP4015 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo UX) - 31-DMP4015SPSWQ-13 EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 8.5A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250 µA 47.5 NC @ 5 V ± 25V 4234 pf @ 20 V - 1.3W (TA)
DMTH47M2SK3-13 Diodes Incorporated DMTH47M2SK3-13 0.2416
RFQ
 ECAD 6057 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMTH47 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) - 31-DMTH47M2SK3-13 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 62a (TC) 10V 7.5mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 12.1 NC @ 10 V ± 20V 897 pf @ 20 V - 3.5W (TA), 50W (TC)
ABS20TM Diodes Incorporated ABS20TM 0.1099
RFQ
 ECAD 1459 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota ABS20 Estándar Abdomenal - 31-ABS20TM EAR99 8541.10.0080 3.000 1.1 v @ 2 a 5 µA @ 1000 V 2 A Fase única 1 kV
DMP31D7LVQ-7 Diodes Incorporated Dmp31d7lvq-7 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMP31 Mosfet (Óxido de metal) 500MW (TA) SOT-563 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 30V 620 Ma (TA) 900mohm @ 420 mm, 10V 2.6V @ 250 µA 0.8nc @ 10V 19pf @ 15V Estándar
ABS20T1M Diodes Incorporated ABS20T1M 0.0846
RFQ
 ECAD 5662 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota ABS20 Estándar 4-SOPA (TUPO WX) - 31-ABS20T1M EAR99 8541.10.0080 3.000 1.3 v @ 2 a 5 µA @ 1000 V 2 A Fase única 1 kV
DMTH45M5LPDW-13 Diodes Incorporated DMTH45M5LPDW-13 1.2200
RFQ
 ECAD 1252 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Dmth45m Mosfet (Óxido de metal) 3W (TA), 60W (TC) PowerDI5060-8 (TUPO UXD) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 40V 79A (TC) 5.5mohm @ 25A, 10V 2.3V @ 250 µA 13.9nc @ 10V 978pf @ 20V -
DMP2900UVQ-7 Diodes Incorporated DMP2900UVQ-7 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMP2900 Mosfet (Óxido de metal) 500MW (TA) SOT-563 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 850mA (TA) 750mohm @ 430mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.7NC @ 4.5V 49pf @ 16V Estándar
DMT10H032LK3-13 Diodes Incorporated DMT10H032LK3-13 0.2459
RFQ
 ECAD 7053 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMT10 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) - EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 26a (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 250 µA 11.9 NC @ 10 V ± 20V 683 pf @ 50 V - 1.6w (TA)
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

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