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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
DMTH4007SK3-13 Diodes Incorporated DMTH4007SK3-13 0.4263
RFQ
 ECAD 4606 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMTH4007 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 17.6a (TA), 76a (TC) 10V 6mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 41.9 NC @ 10 V ± 20V 2082 pf @ 25 V - 3.1W (TA)
DMG4N65CTI Diodes Incorporated Dmg4n65cti -
RFQ
 ECAD 4789 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Dmg4 Mosfet (Óxido de metal) ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 4A (TC) 10V 3ohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 13.5 NC @ 10 V ± 30V 900 pf @ 25 V - 8.35W (TA)
DMPH6050SFGQ-7 Diodes Incorporated DMPH6050SFGQ-7 0.8800
RFQ
 ECAD 3947 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMPH6050 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 60 V 6.1a (TA), 18a (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 7a, 10v 3V @ 250 µA 24.1 NC @ 10 V ± 20V 1293 pf @ 30 V - 1.2W (TA)
DF1502M Diodes Incorporated DF1502M -
RFQ
 ECAD 3141 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 EDIP (0.300 ", 7.62 mm) DF1502 Estándar DFM descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 100 V 1.5 A Fase única 200 V
DMP32D4SFB-7B Diodes Incorporated Dmp32d4sfb-7b 0.4100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN DMP32 Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 30 V 400 mA (TA) 2.5V, 10V 2.4ohm @ 200 MMA, 10V 2.3V @ 250 µA 1.3 NC @ 10 V ± 20V 51 pf @ 15 V - 500MW (TA)
DMG3407SSN-7 Diodes Incorporated DMG3407SSN-7 0.1040
RFQ
 ECAD 6835 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3407 Mosfet (Óxido de metal) SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMG3407SSN-7DI EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 4A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.1a, 10V 2.1V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 15 V - 1.1W (TA)
ADTA144WCAQ-7 Diodes Incorporated ADTA144WCAQ-7 0.0658
RFQ
 ECAD 8397 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ADTA144 310 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-ADTA144WCAQ-7TR EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 56 @ 10mA, 5V 250 MHz 47 kohms 22 kohms
DMTH6006LPSWQ-13 Diodes Incorporated DMTH6006LPSWQ-13 0.4497
RFQ
 ECAD 2393 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH6006 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo Q) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 31-DMTH6006LPSWQ-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 17.2a (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 34.9 NC @ 10 V ± 20V 2162 pf @ 30 V - 2.88W (TA), 100W (TC)
DMN3061S-7 Diodes Incorporated DMN3061S-7 0.4200
RFQ
 ECAD 2338 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3061 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 2.3a (TA) 3.3V, 10V 59mohm @ 3.1a, 10v 1.8V @ 250 µA 5.5 NC @ 10 V ± 20V 233 pf @ 15 V - 770MW (TA)
DMT10H032LDV-7 Diodes Incorporated DMT10H032LDV-7 0.3567
RFQ
 ECAD 6876 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT10 Mosfet (Óxido de metal) 1W (TA) PowerDI3333-8 (TUPO UXC) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT10H032LDV-7TR EAR99 8541.29.0095 2,000 2 Canal N (Dual) 100V 18a (TC) 36mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 11.9NC @ 10V 683pf @ 50V -
ZMV933ATC Diodes Incorporated ZMV933ATC -
RFQ
 ECAD 7943 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie SC-76, SOD-323 ZMV933 Sod-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 12PF @ 4V, 50MHz Soltero 12 V - 150 @ 4V, 50MHz
BZX84C20-7-F Diodes Incorporated BZX84C20-7-F 0.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 14 V 20 V 55 ohmios
ZMV932TC Diodes Incorporated ZMV932TC -
RFQ
 ECAD 5390 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie SC-76, SOD-323 ZMV932 Sod-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 5.5pf @ 4V, 50MHz Soltero 12 V - 200 @ 4V, 50MHz
ZMV930TC Diodes Incorporated Zmv930tc -
RFQ
 ECAD 3288 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie SC-76, SOD-323 ZMV930 Sod-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 2.9pf @ 4V, 50MHz Soltero 12 V - 200 @ 4V, 50MHz
ZMV835ATC Diodes Incorporated ZMV835ATC -
RFQ
 ECAD 6930 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-76, SOD-323 ZMV835 Sod-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 74.8pf @ 2v, 1 MHz Soltero 25 V 6.5 C2/C20 100 @ 3V, 50mhz
DMG8880LSS-13 Diodes Incorporated DMG8880LSS-13 -
RFQ
 ECAD 5359 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMG8880 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 11.6a (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 11.6a, 10v 2V @ 250 µA 27.6 NC @ 10 V ± 20V 1289 pf @ 15 V - 1.43W (TA)
MMSZ5238B-13-F Diodes Incorporated MMSZ5238B-13-F -
RFQ
 ECAD 5975 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie SOD-123 370 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 6.5 V 8.7 V 8 ohmios
2DC4617S-7 Diodes Incorporated 2DC4617S-7 -
RFQ
 ECAD 2929 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 2DC4617 150 MW SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 270 @ 1 MMA, 6V 180MHz
ZMV832ATC Diodes Incorporated ZMV832ATC -
RFQ
 ECAD 6599 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-76, SOD-323 ZMV832 Sod-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 24.2pf @ 2v, 1 MHz Soltero 25 V 6.5 C2/C20 200 @ 3V, 50MHz
GBJ1501-F Diodes Incorporated GBJ1501-F 1.7300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ1501 Estándar GBJ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 7.5 A 10 µA @ 100 V 15 A Fase única 100 V
DMC2004DWK-7 Diodes Incorporated Dmc2004dwk-7 0.4900
RFQ
 ECAD 256 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMC2004 Mosfet (Óxido de metal) 250MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 20V 540MA, 430 Ma 550mohm @ 540 mm, 4.5V 1V @ 250 µA - 150pf @ 16V Puerta de Nivel Lógico
1SMB5941B-13 Diodes Incorporated 1SMB5941B-13 0.1431
RFQ
 ECAD 7535 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5941 3 W SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 3.000 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 35.8 V 47 V 67 ohmios
BZX84C5V1-7-F Diodes Incorporated BZX84C5V1-7-F 0.1600
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 2 V 5.1 V 60 ohmios
PB66 Diodes Incorporated PB66 -
RFQ
 ECAD 1654 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrados, PB-6 PB66 Estándar PB-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 3 a 10 µA @ 600 V 6 A Fase única 600 V
BZX84B6V8-7-F Diodes Incorporated BZX84B6V8-7-F 0.0344
RFQ
 ECAD 3700 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 4 V 6.8 V 15 ohmios
MMBZ5258B-7-G Diodes Incorporated MMBZ5258B-7-G -
RFQ
 ECAD 1993 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MMBZ5258B-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3.000
GBJ2506-F Diodes Incorporated GBJ2506-F 1.3900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ2506 Estándar GBJ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 600 V 25 A Fase única 600 V
DMN65D8LQ-13 Diodes Incorporated DMN65D8LQ-13 0.2100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN65 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 310MA (TA) 5V, 10V 3OHM @ 115MA, 10V 2V @ 250 µA 0.87 NC @ 10 V ± 20V 22 pf @ 25 V - 370MW (TA)
ZXMD63C03XTC Diodes Incorporated ZXMD63C03XTC -
RFQ
 ECAD 3633 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) ZXMD63 Mosfet (Óxido de metal) 1.04W 8-MSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Vecino del canal 30V - 135mohm @ 1.7a, 10v 1V @ 250 µA (min) 8NC @ 10V 290pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
GBPC3504 Diodes Incorporated GBPC3504 -
RFQ
 ECAD 4168 0.00000000 Diodos incorporados - Banda Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC3504 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados GBPC3504DI EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 400 V 35 A Fase única 400 V
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

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