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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
ZXMP10A17KTC Diodes Incorporated Zxmp10a17ktc 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 ZXMP10 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 100 V 2.4a (TA) 6V, 10V 350mohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250 µA 10.7 NC @ 10 V ± 20V 424 pf @ 50 V - 2W (TA)
ADTC143ECAQ-13 Diodes Incorporated ADTC143ECAQ-13 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ADTC143 310 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 20 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
BZT52C13LPQ-7B Diodes Incorporated BZT52C13LPQ-7B 0.0496
RFQ
 ECAD 6837 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.53% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0402 (1006 Métrica) BZT52 250 MW X1-DFN1006-2 descascar 31-BZT52C13LPQ-7B EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 13 V 30 ohmios
DMPH4013SPS-13 Diodes Incorporated DMPH4013SPS-13 0.5599
RFQ
 ECAD 7531 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMPH4013SPS-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 69a (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 87 NC @ 10 V ± 20V 4763 pf @ 20 V - 1.5W (TA)
BAV99DW-7-G Diodes Incorporated BAV99DW-7-G -
RFQ
 ECAD 8399 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BAV99 Estándar Sot-363 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-BAV99DW-7-GTR EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 2 Pares 75 V 215MA (DC) 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 2.5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C
DMN3033LSNQ-13 Diodes Incorporated DMN3033LSNQ-13 0.1559
RFQ
 ECAD 5321 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3033 Mosfet (Óxido de metal) SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN3033LSNQ-13DI EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 30 V 6a (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 6a, 10v 2.1V @ 250 µA 10.5 NC @ 5 V ± 20V 755 pf @ 10 V - 1.4W (TA)
SBRT20U60SP5-13 Diodes Incorporated SBRT20U60SP5-13 0.8600
RFQ
 ECAD 6913 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 SBRT20 Super Barrera Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 60 V 530 MV @ 20 A 400 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
ZVN4525E6TC Diodes Incorporated ZVN4525E6TC -
RFQ
 ECAD 6942 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 250 V 230 mA (TA) 2.4V, 10V 8.5ohm @ 500 mA, 10V 1.8V @ 1MA 3.65 NC @ 10 V ± 40V 72 pf @ 25 V - 1.1W (TA)
BZX84C5V1Q-13-F Diodes Incorporated BZX84C5V1Q-13-F 0.0280
RFQ
 ECAD 6996 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.88% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-BZX84C5V1Q-13-FTR EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 2 V 5.1 V 60 ohmios
DMNH10H028SK3Q-13 Diodes Incorporated DMNH10H028SK3Q-13 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMNH10 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 55A (TC) 10V 28mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 2245 pf @ 50 V - 2W (TA)
DDC144NS-7 Diodes Incorporated Ddc144ns-7 0.1040
RFQ
 ECAD 8166 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DDC144 200MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 100 @ 5 MMA, 5V 250MHz 47 kohms 47 kohms
DMTH3004LFG-7 Diodes Incorporated DMTH3004LFG-7 0.1518
RFQ
 ECAD 3160 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMTH3004 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 15A (TA), 75A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 16V 2370 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
BSS84Q-7-F-52 Diodes Incorporated BSS84Q-7-F-52 0.0628
RFQ
 ECAD 4106 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS84 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) 31-BSS84Q-7-F-52 EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 50 V 130MA (TA) 5V 10ohm @ 100 mapa, 5V 2v @ 1 mapa 0.59 NC @ 10 V ± 20V 45 pf @ 25 V - 300MW (TA)
DMC2710UDWQ-13 Diodes Incorporated DMC2710UDWQ-13 0.0565
RFQ
 ECAD 5781 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMC2710 Mosfet (Óxido de metal) 290MW (TA) Sot-363 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMC2710UDWQ-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 N y p-canal complementario 20V 750MA (TA), 600 mA (TA) 450mohm @ 600mA, 4.5V, 750mohm @ 430 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.6nc @ 4.5V, 0.7nc @ 4.5V 42pf @ 16V, 49pf @ 16V -
2N7002-7-G Diodes Incorporated 2N7002-7-G -
RFQ
 ECAD 1859 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto 2N7002 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2N7002-7-GDI EAR99 8541.21.0095 3.000
DMP22D4UFA-7B Diodes Incorporated Dmp22d4ufa-7b 0.5100
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMP22 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN0806-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 20 V 330 mA (TA) 1.2V, 4.5V 1.9ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.4 NC @ 4.5 V ± 8V 28.7 pf @ 15 V - 400MW (TA)
ZMV831ATC Diodes Incorporated ZMV831ATC -
RFQ
 ECAD 2269 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-76, SOD-323 ZMV831 Sod-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 16.5pf @ 2v, 1 MHz Soltero 25 V 6 C2/C20 300 @ 3V, 50MHz
ZVP4525GTA Diodes Incorporated ZVP4525GTA 0.6900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZVP4525 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 250 V 265MA (TA) 3.5V, 10V 14ohm @ 200 MMA, 10V 2v @ 1 mapa 3.45 NC @ 10 V ± 40V 73 pf @ 25 V - 2W (TA)
DMPH4015SPSQ-13 Diodes Incorporated DMPH4015SPSQ-13 1.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMPH4015 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 50A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 9.8a, 10v 2.5V @ 250 µA 91 NC @ 10 V ± 25V 4234 pf @ 20 V - 2.6W (TA)
BAV3004WQ-7-F-52 Diodes Incorporated BAV3004WQ-7-F-52 0.0639
RFQ
 ECAD 2961 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie SOD-123 BAV3004 Estándar SOD-123 descascar 31-BAV3004WQ-7-F-52 EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 240 V -65 ° C ~ 150 ° C 225 Ma 1PF @ 0V, 1MHz
DMP3010LPSQ-13 Diodes Incorporated DMP3010LPSQ-13 1.1100
RFQ
 ECAD 1097 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMP3010 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 36A (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 10a, 10v 2.1V @ 250 µA 126.2 NC @ 10 V ± 20V 6234 pf @ 15 V - 2.18W (TA)
DMN601WK-7 Diodes Incorporated DMN601WK-7 0.3500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN601 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 300 mA (TA) 4.5V, 10V 2ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA ± 20V 50 pf @ 25 V - 200MW (TA)
DMN5L06WK-7 Diodes Incorporated DMN5L06WK-7 -
RFQ
 ECAD 5479 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN5L06 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50 V 300 mA (TA) 1.8V, 5V 2ohm @ 50 mm, 5V 1V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 250MW (TA)
DMN6066SSS-13 Diodes Incorporated DMN6066SSS-13 0.7900
RFQ
 ECAD 2720 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMN6066 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 3.7a (TA) 4.5V, 10V 66mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250 µA 10.3 NC @ 10 V ± 20V 502 pf @ 30 V - 1.56W (TA)
1N5238B-T Diodes Incorporated 1N5238B-T -
RFQ
 ECAD 7723 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5238 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 6.5 V 8.7 V 8 ohmios
DMT6013LFDF-13 Diodes Incorporated DMT6013LFDF-13 0.3763
RFQ
 ECAD 9109 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMT6013 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 10a (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 8.5a, 10v 2.3V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1081 pf @ 30 V - 900MW (TA)
DMN2005UPS-13 Diodes Incorporated DMN2005UPS-13 0.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMN2005 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 20 V 20A (TA), 100A (TC) 2.5V, 4.5V 4.6mohm @ 13.5a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 142 NC @ 10 V ± 12V 5337 pf @ 10 V - 1.5W (TA)
ZXMP6A17N8TC Diodes Incorporated ZXMP6A17N8TC -
RFQ
 ECAD 1946 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMP6A17 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 2.7a (TA) 4.5V, 10V 125mohm @ 2.3a, 10v 1V @ 250 µA 17.7 NC @ 10 V ± 20V 637 pf @ 30 V - 1.56W (TA)
S1D-13-G Diodes Incorporated S1D-13-G -
RFQ
 ECAD 1243 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado S1D-13-GDI EAR99 8541.10.0080 5,000
ZXM63N02E6TA Diodes Incorporated ZXM63N02E6TA -
RFQ
 ECAD 3328 0.00000000 Diodos incorporados - Digi-Reel® Obsoleto Montaje en superficie Sot-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-6 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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