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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
BZT52C3V3Q-7-F Diodes Incorporated BZT52C3V3Q-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 6476 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.06% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52 370 MW SOD-123 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.3 V 95 ohmios
BSS123K-13 Diodes Incorporated BSS123K-13 0.1266
RFQ
 ECAD 3802 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS123 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-BSS123K-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 100 V 230 mA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10v 2v @ 1 mapa 1.3 NC @ 10 V ± 20V 38 pf @ 50 V - 500MW (TA)
ZXTN5551GTA Diodes Incorporated Zxtn5551gta 0.4400
RFQ
 ECAD 1508 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZXTN5551 2 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 160 V 600 mA 50NA (ICBO) NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 80 @ 10mA, 5V 130MHz
FMMT493ATA Diodes Incorporated Fmmt493ata 0.4400
RFQ
 ECAD 107 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Fmmt493 500 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 60 V 1 A 100na NPN 500mv @ 100 mm, 1a 300 @ 250 mA, 10V 150MHz
BAS40-04Q-13-F Diodes Incorporated BAS40-04Q-13-F 0.0304
RFQ
 ECAD 7863 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-BAS40-04Q-13-FTR EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 1 par 40 V 200MA (DC) 1 V @ 40 Ma 5 ns 200 na @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C
ES2G-13-F Diodes Incorporated ES2G-13-F 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB ES2G Estándar SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.25 v @ 2 a 35 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 25pf @ 4V, 1 MHz
SDT40100CTFP Diodes Incorporated Sdt40100ctfp 0.7316
RFQ
 ECAD 3984 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Sdt40100 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 20A 790 MV @ 20 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
DMTH10H017LPDQ-13 Diodes Incorporated DMTH10H017LPDQ-13 0.6951
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) 1.5W (TA), 93W (TC) PowerDI5060-8 (TUPO E) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DMTH10H017LPDQ-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 100V 13a (TA), 59A (TC) 17.4mohm @ 17a, 10v 3V @ 250 µA 28.6nc @ 10V 1986pf @ 50V -
BAT54WS-7-F Diodes Incorporated BAT54WS-7-F 0.2000
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BAT54 Schottky Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -65 ° C ~ 150 ° C 100mA 10pf @ 1v, 1 MHz
B220A-13-F-2477 Diodes Incorporated B220A-13-F-2477 -
RFQ
 ECAD 1389 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela La Última Vez Que Compre Montaje en superficie DO-214AC, SMA Schottky SMA - 31-B220A-13-F-2477 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 2 A 500 µA @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C 2a 200pf @ 4V, 1MHz
BAV70DWQ-7-F Diodes Incorporated BAV70DWQ-7-F 0.0638
RFQ
 ECAD 5586 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BAV70 Estándar Sot-363 - Alcanzar sin afectado 31-BAV70DWQ-7-FTR EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2 par Cátodo Común 80 V 150 Ma 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 2.5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C
BZT585B12T-7 Diodes Incorporated BZT585B12T-7 0.2300
RFQ
 ECAD 5048 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT585 350 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 100 na @ 8 V 12 V 10 ohmios
DMP3036SFVQ-7 Diodes Incorporated DMP3036SFVQ-7 0.2223
RFQ
 ECAD 8272 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP3036 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (Tipo UX) descascar 31-DMP3036SFVQ-7 EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 30 V 8.7a (TA), 30A (TC) 5V, 10V 20mohm @ 8a, 10v 2.5V @ 250 µA 16.5 NC @ 10 V ± 25V 1931 pf @ 15 V - 900MW (TA)
AZ23C11-7-F Diodes Incorporated AZ23C11-7-F 0.4100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C11 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 11 V 20 ohmios
DMN3300U-7-52 Diodes Incorporated DMN3300U-7-52 0.1148
RFQ
 ECAD 1805 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3300 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 31-DMN3300U-7-52 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 1.5a (TA) 1.5V, 4.5V 150mohm @ 4.5a, 4.5V 1V @ 250 µA ± 12V 193 pf @ 10 V - 700MW
MB154-F Diodes Incorporated MB154-F -
RFQ
 ECAD 5928 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, MB MB154 Estándar MEGABYTE descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados MB154-FDI EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 400 V 15 A Fase única 400 V
DDTD114EC-7-F Diodes Incorporated DDTD114EC-7-F 0.3000
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtd114 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 56 @ 50 mm, 5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
ZX5T951ASTOA Diodes Incorporated Zx5t951astoa -
RFQ
 ECAD 4088 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 ZX5T951 1 W Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 4.000 60 V 3.5 A 20NA (ICBO) PNP 210mv @ 400mA, 4A 100 @ 1a, 1v 120MHz
DDA142TH-7 Diodes Incorporated Dda142th-7 -
RFQ
 ECAD 8722 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DDA142 150MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA - 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 100 @ 1 mapa, 5v 200MHz 470ohms -
RH04-T Diodes Incorporated RH04-T 0.7500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota RH04 Estándar 4 minidip descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0070 3.000 1.15 V @ 400 Ma 5 µA @ 400 V 500 mA Fase única 400 V
RABS20M-13 Diodes Incorporated Rabs20m-13 0.1008
RFQ
 ECAD 9341 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar 4-SOPA (TUPO WX) descascar Alcanzar sin afectado 31-RABS20M-13TR EAR99 8541.10.0080 3.000 1.3 v @ 2 a 1 µA @ 1000 V 2 A Fase única 1 kV
GBJ2502 Diodes Incorporated GBJ2502 -
RFQ
 ECAD 6004 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Descontinuado en sic -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ2502 Estándar GBJ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado GBJ2502DI EAR99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 200 V 25 A Fase única 200 V
APD140VD-G1 Diodes Incorporated APD140VD-G1 -
RFQ
 ECAD 3023 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial APD140 Schottky Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 1 A 500 µA @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
DF1502S-T Diodes Incorporated DF1502S-T 0.5100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DF1502 Estándar DF-S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1.500 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 200 V 1.5 A Fase única 200 V
DMP1055USW-13 Diodes Incorporated DMP1055USW-13 0.0977
RFQ
 ECAD 6788 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMP1055 Mosfet (Óxido de metal) Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 12 V 3.8a (TA) 1.5V, 4.5V 48mohm @ 3a, 4.5V 1V @ 250 µA 13 NC @ 4.5 V ± 8V 1028 pf @ 6 V - 660MW
GBPC3506 Diodes Incorporated GBPC3506 -
RFQ
 ECAD 8628 0.00000000 Diodos incorporados - Banda Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC3506 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados GBPC3506DI EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 600 V 35 A Fase única 600 V
DF1510S-T Diodes Incorporated DF1510S-T 0.6200
RFQ
 ECAD 186 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DF1510 Estándar DF-S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1.500 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 1000 V 1.5 A Fase única 1 kV
DF06S Diodes Incorporated DF06S 0.8820
RFQ
 ECAD 4220 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DF06 Estándar DF-S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados Df06sdi EAR99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 10 µA @ 600 V 1 A Fase única 600 V
MMBZ5258BW-7 Diodes Incorporated MMBZ5258BW-7 -
RFQ
 ECAD 7768 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Mmbz5258b 200 MW Sot-323 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 27 V 36 V 70 ohmios
DMT10H032LDV-13 Diodes Incorporated DMT10H032LDV-13 0.3567
RFQ
 ECAD 3412 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT10 Mosfet (Óxido de metal) 1W (TA) PowerDI3333-8 (TUPO UXC) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT10H032LDV-13TR EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 100V 18a (TC) 36mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 11.9NC @ 10V 683pf @ 50V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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