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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DMN2550UFA-7B Diodes Incorporated DMN2550UFA-7B 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN2550 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN0806-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 20 V 600 mA (TA) 1.5V, 4.5V 450mohm @ 200MA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.88 NC @ 4.5 V ± 8V 52.5 pf @ 16 V - 360MW (TA)
MBRM5100-13 Diodes Incorporated MBRM5100-13 -
RFQ
 ECAD 3476 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie PowerMite®3 MBRM5100 Schottky Powermit 3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 810 MV @ 5 A 200 µA @ 100 V -65 ° C ~ 125 ° C 5A -
BAT54LP-7B Diodes Incorporated BAT54LP-7B 0.4000
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0402 (1006 Métrica) BAT54 Schottky X1-DFN1006-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 10pf @ 1v, 1 MHz
UMC4N-7 Diodes Incorporated UMC4N-7 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMC4 150MW Sot-353 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mv @ 500 µA, 10 mm / 300mv @ 250 µA, 5 mA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47kohms, 10 kohms 47 kohms
DMP3026SFDF-7 Diodes Incorporated DMP3026SFDF-7 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMP3026 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 10.3a (TA) 4V, 10V 19mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250 µA 19.6 NC @ 10 V ± 25V 1204 pf @ 15 V - 2W (TA)
DMC6040SSDQ-13 Diodes Incorporated DMC6040SDQ-13 0.8200
RFQ
 ECAD 7271 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMC6040 Mosfet (Óxido de metal) 1.24W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N y p-canal complementario 60V 5.1a (TA) 40mohm @ 8a, 10v, 110mohm @ 4.5a, 10v 3V @ 250 µA 20.8nc @ 10V, 19.4nc @ 10V 1130pf @ 15V, 1030pf @ 30V -
DMG302PU-13 Diodes Incorporated DMG302PU-13 0.1096
RFQ
 ECAD 5402 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMG302 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 25 V 170MA (TA) 2.7V, 4.5V 10ohm @ 200Ma, 4.5V 1.5V @ 250 µA 0.35 NC @ 4.5 V -8v 27.2 pf @ 10 V - 320MW (TA)
DMNH6021SPDW-13 Diodes Incorporated DMNH6021SPDW-13 0.5845
RFQ
 ECAD 7716 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn DMNH6021 Mosfet (Óxido de metal) 1.5W (TA) PowerDI5060-8 (Tipo R) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMNH6021SPDW-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 8.2a (TA), 32a (TC) 25mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 20.1NC @ 10V 1143pf @ 25V -
BAT54SDWQ-7-F Diodes Incorporated BAT54SDWQ-7-F 0.4000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BAT54 Schottky Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 2 Pares 30 V 200MA (DC) 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C
DXT2222A-13 Diodes Incorporated DXT2222A-13 0.3700
RFQ
 ECAD 223 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA DXT2222 1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 40 V 600 mA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
DMN5L06VKQ-7 Diodes Incorporated DMN5L06VKQ-7 -
RFQ
 ECAD 9428 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN5L06 Mosfet (Óxido de metal) 250MW SOT-563 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 50V 280MA (TA) 2ohm @ 50 mm, 5V 1.2V @ 250 µA - 50pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
US1B-13-F Diodes Incorporated US1B-13-F 0.4300
RFQ
 ECAD 340 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA US1B Estándar SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
ZVN0124ASTOB Diodes Incorporated ZVN0124ASTOB -
RFQ
 ECAD 2243 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 240 V 160MA (TA) 10V 16ohm @ 250 mA, 10V 3V @ 1MA ± 20V 85 pf @ 25 V - 700MW (TA)
ZVP3306A Diodes Incorporated ZVP3306A 0.8000
RFQ
 ECAD 3287 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) ZVP3306 Mosfet (Óxido de metal) Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado ZVP3306A-NDR EAR99 8541.21.0095 4.000 Canal P 60 V 160MA (TA) 10V 14ohm @ 200 MMA, 10V 3.5V @ 1MA ± 20V 50 pf @ 18 V - 625MW (TA)
ZXTP07040DFFTA Diodes Incorporated Zxtp07040dffta 0.6300
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos Zxtp07040 1.5 W SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 40 V 3 A 50NA (ICBO) PNP 390mv @ 150 mm, 3a 300 @ 10mA, 2V 200MHz
SD945-T Diodes Incorporated SD945-T -
RFQ
 ECAD 6940 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial SD945 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1.200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 570 MV @ 18 A 800 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C 9A 900pf @ 4V, 1 MHz
S1M-13-G Diodes Incorporated S1M-13-G -
RFQ
 ECAD 8766 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado S1M-13-GDI EAR99 8541.10.0080 5,000
DMPH4013SPSQ-13 Diodes Incorporated DMPH4013SPSQ-13 0.6997
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMPH4013 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DMPH4013SPSQ-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 69a (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 87 NC @ 20 V ± 20V 4763 pf @ 20 V - 1.5W (TA)
DDTC124GE-7 Diodes Incorporated DDTC124GE-7 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Activo Ddtc124 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
2N7002TQ-7-F Diodes Incorporated 2N7002TQ-7-F 0.4200
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 115MA (TA) 5V, 10V 13.5ohm @ 500 mA, 10V 2V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 150MW (TA)
FMMT718TC Diodes Incorporated Fmmt718tc 0.4000
RFQ
 ECAD 1724 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Fmmt718 625 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 20 V 1.5 A 100na PNP 220mv @ 50 mm, 1.5a 300 @ 100 mapa, 2v 180MHz
SDT20B45VCT Diodes Incorporated SDT20B45VCT 0.6000
RFQ
 ECAD 1657 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Sdt20 Schottky Un 220-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-SDT20B45VCT EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 10A 540 MV @ 10 A 300 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
DMP510DLW-13 Diodes Incorporated DMP510DLW-13 0.0313
RFQ
 ECAD 8164 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMP510 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 50 V 174MA (TA) ± 20V 10ohm @ 100 mapa, 5V 2v @ 1 mapa 0.56 NC @ 10 V ± 20V 24.6 pf @ 25 V - 320MW (TA)
PR3007G-T Diodes Incorporated PR3007G-T -
RFQ
 ECAD 4081 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1.200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 3 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1 MHz
ACX115EUQ-13R Diodes Incorporated Acx115euq-13r -
RFQ
 ECAD 4093 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 ACX115 270MW Sot-363 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 50V 100mA - NPN, complementario de PNP - 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100 kohms 100 kohms
BZT52C6V2TQ-13-F Diodes Incorporated BZT52C6V2TQ-13-F 0.0447
RFQ
 ECAD 3120 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52 300 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 4 V 6.2 V 10 ohmios
ZVN4206A Diodes Incorporated ZVN4206A 0.7600
RFQ
 ECAD 2134 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) ZVN4206 Mosfet (Óxido de metal) Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 N-canal 60 V 600 mA (TA) 5V, 10V 1ohm @ 1.5a, 10v 3V @ 1MA ± 20V 100 pf @ 25 V - 700MW (TA)
BZT52C39-7-F-79 Diodes Incorporated BZT52C39-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 9342 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto BZT52 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BZT52C39-7-F-79DI EAR99 8541.10.0050 3.000
2N7002T-7-F Diodes Incorporated 2N7002T-7-F 0.4000
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 115MA (TA) 5V, 10V 7.5ohm @ 50 mm, 5V 2V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 150MW (TA)
BZX84C16S-7-F Diodes Incorporated BZX84C16S-7-F 0.0756
RFQ
 ECAD 5849 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.63% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BZX84 200 MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 2 Independientes 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 11.2 V 16 V 40 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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