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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
GBPC25005 Diodes Incorporated GBPC25005 -
RFQ
 ECAD 7968 0.00000000 Diodos incorporados - Banda Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC25005 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados GBPC25005DI EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 50 V 25 A Fase única 50 V
BAT750-7-F-50 Diodes Incorporated BAT750-7-F-50 0.0704
RFQ
 ECAD 4386 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAT750 Schottky Sot-23-3 descascar 31-bat750-7-F-50 EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 490 MV @ 750 Ma 10 ns 100 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 750 MAPA 175pf @ 0V, 1 MHz
PBPC602 Diodes Incorporated PBPC602 -
RFQ
 ECAD 8123 0.00000000 Diodos incorporados - Caja Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, PBPC-6 Estándar PBPC-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 3 a 10 µA @ 100 V 4 A Fase única 100 V
BAT54CWQ-7-F Diodes Incorporated BAT54CWQ-7-F 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BAT54 Schottky Sot-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 30 V 200MA (DC) 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C
1N5818A-01 Diodes Incorporated 1N5818A-01 -
RFQ
 ECAD 9976 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto - - 1N5818 - - - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 31-1N5818A-01 EAR99 8541.10.0080 1,000 - - - -
SB340-B Diodes Incorporated SB340-B -
RFQ
 ECAD 7434 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial Schottky Do-201ad - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 31-SB340-B EAR99 8541.10.0080 1.200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 3 A 500 µA @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C 3A -
PDS760-13-2477 Diodes Incorporated PDS760-13-2477 -
RFQ
 ECAD 9435 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela La Última Vez Que Compre Montaje en superficie Powerdi ™ 5 Schottky Powerdi ™ 5 - 31-PDS760-13-2477 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 620 MV @ 7 A 200 µA @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C 7A -
DMP3056LSSQ-13 Diodes Incorporated DMP3056LSSQ-13 0.5200
RFQ
 ECAD 8875 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMP3056 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 4.9a (TA) 4.5V, 10V 45mohm @ 6a, 10v 2.1V @ 250 µA 17.3 NC @ 10 V ± 20V 969 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
SBR20A100CT Diodes Incorporated SBR20A100CT 1.0100
RFQ
 ECAD 2787 0.00000000 Diodos incorporados SBR® Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SBR20 Super Barrera Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados SBR20A100CTDI EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 750 MV @ 10 A 100 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C
G40H100CTW Diodes Incorporated G40H100CTW 0.9400
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-G40H100CTW EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 40A 790 MV @ 20 A 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C
DMN2013UFDEQ-7 Diodes Incorporated Dmn2013ufdeq-7 0.2465
RFQ
 ECAD 9944 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerudfn DMN2013 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO E) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN2013UFDEQ-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 10.5a (TA) 1.5V, 4.5V 11mohm @ 8.5a, 4.5V 1.1V @ 250 µA 25.8 NC @ 8 V ± 8V 2453 pf @ 10 V - 660MW (TA)
DMTH6005LK3-13 Diodes Incorporated DMTH6005LK3-13 1.1200
RFQ
 ECAD 3913 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMTH6005 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 90A (TC) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 50A, 10V 3V @ 250 µA 47.1 NC @ 10 V ± 20V 2962 pf @ 30 V - 2.1W (TA), 100W (TC)
BZT585B16T-7 Diodes Incorporated BZT585B16T-7 0.2300
RFQ
 ECAD 5700 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT585 350 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 50 na @ 11.2 V 16 V 40 ohmios
DMN6140LQ-7-52 Diodes Incorporated DMN6140LQ-7-52 0.0772
RFQ
 ECAD 4139 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN6140 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 31-DMN6140LQ-7-52 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 1.6a (TA) 4.5V, 10V 140mohm @ 1.8a, 10V 3V @ 250 µA 8.6 NC @ 10 V ± 20V 315 pf @ 40 V - 700MW (TA)
DMP32D9UDA-7B Diodes Incorporated Dmp32d9uda-7b 0.0820
RFQ
 ECAD 5966 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo DMP32 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN0806-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Dmp32d9uda-7bdi EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal P (Dual) 220 Ma (TA) 5ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA -
DMG1013TQ-7 Diodes Incorporated DMG1013TQ-7 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 DMG1013 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 460MA (TA) 1.8V, 4.5V 700mohm @ 350mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.58 NC @ 4.5 V ± 6V 59.76 pf @ 16 V - 270MW (TA)
SBR3U150LP-7 Diodes Incorporated SBR3U150LP-7 0.3480
RFQ
 ECAD 6138 0.00000000 Diodos incorporados SBR® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8-Powerudfn SBR3U150 Super Barrera U-DFN3030-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 910 MV @ 3 A 2 Ma @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
UF1503S-B Diodes Incorporated UF1503S-B -
RFQ
 ECAD 8612 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1.5 A 50 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C 1.5a 35pf @ 4V, 1MHz
DMJ65H430SCTI Diodes Incorporated DMJ65H430SCTI -
RFQ
 ECAD 1265 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA DMJ65 Mosfet (Óxido de metal) ITO220AB-N (TUPO HE) - Alcanzar sin afectado 31-DMJ65H430SCTI EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 14a (TC) 10V 430mohm @ 5a, 10v 5V @ 250 µA 24.5 NC @ 10 V ± 30V 775 pf @ 100 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
6A2-T Diodes Incorporated 6A2-T -
RFQ
 ECAD 7243 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero R-6, axial 6A2 Estándar R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 900 MV @ 6 A 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
MMSZ5254BQ-13-F Diodes Incorporated MMSZ5254BQ-13-F 0.0286
RFQ
 ECAD 3801 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 370 MW SOD-123 descascar Alcanzar sin afectado 31-MMSZ5254BQ-13-FTR EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 21 V 27 V 41 ohmios
BZT585B33TQ-7 Diodes Incorporated BZT585B33TQ-7 0.0806
RFQ
 ECAD 2976 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT585 350 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BZT585B33TQ-7DI EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 50 na @ 23.1 V 33 V 80 ohmios
BZX84C3V3-7-F Diodes Incorporated BZX84C3V3-7-F 0.1700
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.3 V 95 ohmios
SBR10U45SP5Q-13-52 Diodes Incorporated SBR10U45SP5Q-13-52 0.3533
RFQ
 ECAD 2718 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 Super Barrera Powerdi ™ 5 descascar 31-SBR10U45SP5Q-13-52 EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 45 V 470 MV @ 10 A 300 µA @ 45 V - 10A -
DMT12H060LFDF-7 Diodes Incorporated DMT12H060LFDF-7 0.2284
RFQ
 ECAD 5990 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMT12 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DMT12H060LFDF-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 115 V 4.4a (TA) 1.5V, 4.5V 65mohm @ 3a, 4.5V 1.4V @ 250 µA 7.8 NC @ 4.5 V ± 8V 475 pf @ 50 V - 1.1W (TA)
MMBZ5252BTS-7-F Diodes Incorporated MMBZ5252BTS-7-F -
RFQ
 ECAD 5209 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 200 MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 3 Independientes 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 18 V 24 V 33 ohmios
BZX84C18-7-F-79 Diodes Incorporated BZX84C18-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6.39% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-BZX84C18-7-F-79TR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 12.6 V 18 V 45 ohmios
RDBF256-13 Diodes Incorporated RDBF256-13 0.2272
RFQ
 ECAD 4869 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-smd, planos de cables RDBF256 Estándar DBF - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 1.3 V @ 2.5 A 5 µA @ 600 V 2.5 A Fase única 600 V
DMN2710UFBQ-7B Diodes Incorporated DMN2710UFBQ-7B -
RFQ
 ECAD 8738 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMN2710UFBQ-7BTR EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 20 V 1.3a (TA) 1.8V, 4.5V 450mohm @ 600mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.6 NC @ 4.5 V ± 6V 42 pf @ 16 V - 720MW (TA)
GBJ606-F Diodes Incorporated GBJ606-F 1.7000
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ606 Estándar GBJ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 15 1 v @ 3 a 5 µA @ 600 V 6 A Fase única 600 V
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AD9208BBPZ-3000

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