SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
SBRT20U45CT Diodes Incorporated SBRT20U45CT -
RFQ
ECAD 8518 0.00000000 Diodos incorporados Trenchsbr Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 SBRT20 Super Barrera Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) 31-SBRT20U45CT EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 10A 470 MV @ 10 A 400 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
SBR10200CTB-13 Diodes Incorporated SBR10200CTB-13 -
RFQ
ECAD 2326 0.00000000 Diodos incorporados SBR® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SBR10200 Super Barrera To-263ab (d²pak) - 1 (ilimitado) 31-SBR10200CTB-13TR EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 5A 920 MV @ 5 A 20 ns 50 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C
DMP3011SFVWQ-7 Diodes Incorporated DMP3011SFVWQ-7 0.3045
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP3011 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 30 V 19.8a (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 11.5a, 10v 3V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 25V 2380 pf @ 15 V - 980MW (TA)
DMN5L06VK-13 Diodes Incorporated DMN5L06VK-13 -
RFQ
ECAD 7829 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN5L06 Mosfet (Óxido de metal) 250MW SOT-563 descascar 31-DMN5L06VK-13 EAR99 8541.21.0095 1 2 Canal N (Dual) 50V 280MA (TA) 2ohm @ 50 mm, 5V 1.2V @ 250 µA - 50pf @ 25V -
DSR10F600PI Diodes Incorporated DSR10F600PI -
RFQ
ECAD 6246 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paquete completo, Pestaña aislada Estándar ITO-220AC descascar 31-DSR10F600PI EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 3.2 V @ 10 A 30 ns 20 µA @ 600 V 175 ° C 10A 26pf @ 10V, 1 MHz
2N7002-13-F-79 Diodes Incorporated 2N7002-13-F-79 -
RFQ
ECAD 7199 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 - 31-2N7002-13-F-79 EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 60 V 170MA (TA) 5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 250 µA 0.23 NC @ 4.5 V ± 20V 50 pf @ 25 V - 370MW (TA)
DMN5L06VK-13A Diodes Incorporated DMN5L06VK-13A -
RFQ
ECAD 7186 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN5L06 Mosfet (Óxido de metal) 250MW SOT-563 descascar 31-DMN5L06VK-13A EAR99 8541.21.0095 1 2 Canal N (Dual) 50V 280MA (TA) 2ohm @ 50 mm, 5V 1.2V @ 250 µA - 50pf @ 25V -
FMMT493W Diodes Incorporated Fmmt493w -
RFQ
ECAD 4652 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 500 MW SOT-23 (TUPO DN) - 31-FMMT493W EAR99 8541.21.0075 1 100 V 1 A 100na NPN 600mv @ 100 mm, 1a 100 @ 250mA, 10V 150MHz
BSS84V-7-79 Diodes Incorporated BSS84V-7-79 -
RFQ
ECAD 7980 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 BSS84 Mosfet (Óxido de metal) 150MW (TA) SOT-563 - 31-BSS84V-7-79 EAR99 8541.21.0095 1 2 Canal P (Dual) 50V 130MA (TA) 10ohm @ 100 mapa, 5V 2v @ 1 mapa - 45pf @ 25V -
FZT857XDW Diodes Incorporated FZT857XDW -
RFQ
ECAD 5233 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1.6 W SOT-223-3 - 31-FZT857XDW EAR99 8541.29.0095 1 300 V 3.5 A 50NA NPN 345mv @ 600mA, 3.5a 100 @ 500 Ma, 10v 80MHz
DMN53D0LT-7 Diodes Incorporated DMN53D0LT-7 0.3900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 DMN53 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DMN53D0LT-7 EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 50 V 350MA (TA) 2.5V, 10V 1.6ohm @ 500 mA, 10V 1.5V @ 250 µA 0.6 NC @ 4.5 V ± 20V 46 pf @ 25 V - 300MW (TA)
RS1KP1-7 Diodes Incorporated Rs1kp1-7 -
RFQ
ECAD 3135 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs1k Estándar SMA - Alcanzar sin afectado 31-RS1KP1-7 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6pf @ 4V, 1 MHz
DMP2110UFDBQ-7 Diodes Incorporated DMP2110UFDBQ-7 0.4600
RFQ
ECAD 1496 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMP2110 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 3.5a (TA) 2.5V, 4.5V 80mohm @ 2.8a, 4.5V 1V @ 250 µA 6 NC @ 4.5 V ± 10V 443 pf @ 10 V - 800MW (TA)
DMP2070U-7 Diodes Incorporated DMP2070U-7 0.5100
RFQ
ECAD 876 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2070 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 4.6a (TC) 1.8V, 4.5V 44mohm @ 2a, 4.5V 950MV @ 250 µA 8.2 NC @ 10 V ± 8V 118 pf @ 10 V - 830MW
G15H150D5 Diodes Incorporated G15H150D5 0.6300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 Schottky Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-G15H150D5TR EAR99 8541.10.0080 5,000 150 V 860 MV @ 15 A 20 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A 905pf @ 4V, 1MHz
DTH810D Diodes Incorporated DTH810D 0.9300
RFQ
ECAD 48 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Estándar TO220AC (TUPO WX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DTH810D EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 2 V @ 8 A 85 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 40pf @ 4V, 1 MHz
DTH1206D Diodes Incorporated DTH1206D 1.0100
RFQ
ECAD 45 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Estándar TO220AC (TUPO WX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DTH1206D EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.9 v @ 12 a 30 ns 45 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A -
GBP308 Diodes Incorporated GBP308 0.5800
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBP Estándar GBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31 GBP308 EAR99 8541.10.0080 35 1.05 V @ 1.5 A 5 µA @ 800 V 3 A Fase única 800 V
MURS360B Diodes Incorporated Murs360b 0.4700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.25 v @ 3 a 50 ns 3 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
SD09A240E Diodes Incorporated SD09A240E 0.3600
RFQ
ECAD 5682 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo SD09A240 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 5,000
STPF1020CTSW Diodes Incorporated STPF1020CTSW 0.5400
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-STPF1020CTSW EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 10A 1.25 V @ 10 A 30 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
SD1A240G Diodes Incorporated Sd1a240g 0.4300
RFQ
ECAD 8551 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo SD1A240 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 4.000
STPR2040 Diodes Incorporated STPR2040 1.0700
RFQ
ECAD 48 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 STPR20 Estándar TO220AB (TUPO WX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-STPR2040 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 10A 1.3 V @ 10 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
STPR860D Diodes Incorporated STPR860D 0.6600
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-STPR860D EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 5A (IO) 600 V 1.5 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 60pf @ 4V, 1MHz
GBP406 Diodes Incorporated GBP406 0.6300
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBP Estándar GBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31 GBP406 EAR99 8541.10.0080 35 1 v @ 2 a 5 µA @ 600 V 4 A Fase única 600 V
GBP306 Diodes Incorporated GBP306 0.5800
RFQ
ECAD 35 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBP Estándar GBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31 GBP306 EAR99 8541.10.0080 35 1.05 V @ 1.5 A 5 µA @ 600 V 3 A Fase única 600 V
STPR2030 Diodes Incorporated STPR2030 1.0700
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 STPR20 Estándar TO220AB (TUPO WX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-STPR2030 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 300 V 10A 1.3 V @ 10 A 35 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C
FS2MED-7 Diodes Incorporated FS2MED-7 0.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AA Estándar DO-219AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 2 a 1 µs 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 12.3pf @ 4V, 1MHz
DTH8L06FP Diodes Incorporated DTH8L06FP 1.1000
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paquete completo, Pestaña aislada Estándar ITO-220AC (TUPO WX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DTH8L06FP EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 8 A 70 ns 8 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
FUS1JE-7 Diodes Incorporated Fus1je-7 0.3400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AA Estándar F1A (DO219AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 18pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock