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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DSC05120FP Diodes Incorporated DSC05120FP 6.0400
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paquete completo, Pestaña aislada Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY ITO-220AC (TUPO WX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DSC05120FP EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.7 V @ 5 A 0 ns 190 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 5A 318pf @ 100mv, 1 MHz
MURS460C Diodes Incorporated Murs460c 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar SMC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.28 v @ 4 a 50 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 40pf @ 4V, 1 MHz
DMTH4014LDVW-7 Diodes Incorporated DMTH4014LDVW-7 0.2426
RFQ
 ECAD 3002 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMTH4014 Mosfet (Óxido de metal) 1.16W (TA) PowerDI3333-8 (TUPO UXD) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH4014LDVW-7TR EAR99 8541.29.0095 2,000 2 Canal N (Dual) 40V 10.2a (TA), 27.5a (TC) 15mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 11.2NC @ 10V 750pf @ 20V -
BAV20WQ-7-F Diodes Incorporated BAV20WQ-7-F 0.0375
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 Bav20 Estándar SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-BAV20WQ-7-FTR EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 400mA 5PF @ 0V, 1MHz
DDTC114ECAQ-7-F Diodes Incorporated DDTC114ECAQ-7-F 0.0375
RFQ
 ECAD 2483 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtc114 200 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DDTC114ECAQ-7-FTR EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 35 @ 5MA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
DMN53D0LDWQ-13 Diodes Incorporated DMN53D0LDWQ-13 0.0927
RFQ
 ECAD 5020 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMN53 Mosfet (Óxido de metal) 400MW (TA) Sot-363 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN53D0LDWQ-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 50V 460MA (TA) 1.6ohm @ 500 mA, 10V 1.5V @ 250 µA 1.4nc @ 10V 49.5pf @ 25V -
DMN2053UFDB-13 Diodes Incorporated DMN2053UFDB-13 0.0912
RFQ
 ECAD 6677 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN2053 Mosfet (Óxido de metal) 820MW (TA) U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN2053UFDB-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 20V 4.6a (TA) 35mohm @ 5a, 4.5V 1V @ 250 µA 7.7nc @ 10V 369pf @ 10V -
DZ23C15Q-7-F Diodes Incorporated DZ23C15Q-7-F 0.0738
RFQ
 ECAD 8535 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.12% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DZ23C15Q-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Cátodo Común 14.7 V 30 ohmios
ZXTC6717MCQTA Diodes Incorporated Zxtc6717mcqta 0.3864
RFQ
 ECAD 5658 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn ZXTC6717 1.13W W-DFN3020-8 descascar Alcanzar sin afectado 31-ZXTC6717MCQTATR EAR99 8541.29.0075 3.000 15V, 12V 4.5a, 4a 100na NPN, complementario de PNP 310MV @ 50MA, 4.5A / 310MV @ 150MA, 4A 300 @ 200MA, 2V / 300 @ 100MA, 2V 120MHz, 110MHz
DCX114EUQ-13-F Diodes Incorporated DCX114EUQ-13-F 0.0528
RFQ
 ECAD 9872 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101, DCX (XXXX) U Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DCX114 200MW Sot-363 descascar Alcanzar sin afectado 31-DCX114EUQ-13-FTR EAR99 8541.21.0075 10,000 50V 100mA 500NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 kohms 10 kohms
BZX84C5V6Q-7-F Diodes Incorporated BZX84C5V6Q-7-F 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 7.14% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 2 V 5.6 V 40 ohmios
SDT10H50P5-13D Diodes Incorporated SDT10H50P5-13D 0.2010
RFQ
 ECAD 6332 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 Schottky Powerdi ™ 5 descascar Alcanzar sin afectado 31-SDT10H50P5-13DTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 450 MV @ 10 A 300 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
DMP1011LFVQ-7 Diodes Incorporated Dmp1011lfvq-7 0.2024
RFQ
 ECAD 9225 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn DMP1011 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar Alcanzar sin afectado 31-DMP1011LFVQ-7TR EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 12 V 13a (TA), 19a (TC) 2.5V, 4.5V 11.7mohm @ 12a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 9.5 NC @ 6 V -6v 913 pf @ 6 V - 1.05W
DMN10H6D2LFDB-7 Diodes Incorporated Dmn10h6d2lfdb-7 0.0869
RFQ
 ECAD 8712 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN10 Mosfet (Óxido de metal) 700MW (TA) U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN10H6D2LFDB-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 100V 270MA (TA) 6ohm @ 190ma, 10v 2v @ 1 mapa 1.2NC @ 10V 41pf @ 50V -
DMTH8028LFVWQ-13 Diodes Incorporated DMTH8028LFVWQ-13 0.2678
RFQ
 ECAD 6738 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH8028LFVWQ-13TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 80 V 27a (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA 10.4 NC @ 10 V ± 20V 631 pf @ 40 V - 1.5W (TA)
BAS70-04Q-13-F Diodes Incorporated BAS70-04Q-13-F 0.0372
RFQ
 ECAD 5439 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS70 Schottky Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-BAS70-04Q-13-FTR EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 1 par 70 V 70MA (DC) 1 V @ 15 Ma 5 ns 100 na @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C
DMJ65H430SCTI Diodes Incorporated DMJ65H430SCTI -
RFQ
 ECAD 1265 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA DMJ65 Mosfet (Óxido de metal) ITO220AB-N (TUPO HE) - Alcanzar sin afectado 31-DMJ65H430SCTI EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 14a (TC) 10V 430mohm @ 5a, 10v 5V @ 250 µA 24.5 NC @ 10 V ± 30V 775 pf @ 100 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
DMTH84M1SPS-13 Diodes Incorporated DMTH84M1SPS-13 0.8379
RFQ
 ECAD 6708 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH84 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH84M1SPS-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 V 100A (TC) 6V, 10V 4mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 4209 pf @ 40 V - 1.6W (TA), 136W (TC)
DMT6006LK3-13 Diodes Incorporated DMT6006LK3-13 0.3508
RFQ
 ECAD 7132 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT6006LK3-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 88a (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 34.9 NC @ 10 V ± 20V 2162 pf @ 30 V - 3.1W (TA), 89.3W (TC)
DMN62D0UDWQ-13 Diodes Incorporated DMN62D0UDWQ-13 0.4700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMN62 Mosfet (Óxido de metal) 320MW (TA) Sot-363 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 60V 350MA (TA) 2ohm @ 100 mm, 4.5V 1.1V @ 250 µA 0.5nc @ 4.5V 32pf @ 30V -
DMT8008SCT Diodes Incorporated DMT8008SCT 1.1132
RFQ
 ECAD 8439 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 DMT8008 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT8008SCT EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 80 V 111a (TC) 10V 7.5mohm @ 30a, 10v 4V @ 1MA 34 NC @ 10 V ± 20V 1950 pf @ 40 V - 2.4W (TA), 167W (TC)
BAT1000Q-7-F Diodes Incorporated BAT1000Q-7-F 0.2246
RFQ
 ECAD 5564 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAT1000 Schottky Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-bat1000Q-7-FTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 1 A 12 ns 100 µA @ 30 V -40 ° C ~ 125 ° C 1A 175pf @ 0V, 1 MHz
SDT2L40CP3-7B Diodes Incorporated SDT2L40CP3-7B 0.0916
RFQ
 ECAD 9422 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) Schottky X3-DSN1608-2 descascar Alcanzar sin afectado 31-SDT2L40CP3-7BTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 520 MV @ 2 A 150 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 285pf @ 4V, 1MHz
BZX84C3V3Q-7-F Diodes Incorporated BZX84C3V3Q-7-F 0.0357
RFQ
 ECAD 6775 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.06% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-BZX84C3V3Q-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.3 V 95 ohmios
MMBZ5252BQ-7-F Diodes Incorporated MMBZ5252BQ-7-F 0.0337
RFQ
 ECAD 7776 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-MMBZ5252BQ-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 18 V 24 V 33 ohmios
DCX124EUQ-13R-F Diodes Incorporated DCX124EUQ-13R-F 0.0528
RFQ
 ECAD 9375 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101, DCX (XXXX) U Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DCX124 200MW Sot-363 descascar Alcanzar sin afectado 31-DCX124EUQ-13R-FTR EAR99 8541.21.0075 10,000 50V 100mA 500NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 60 @ 5MA, 5V 250MHz 22 kohms 22 kohms
DMTH4014SPSWQ-13 Diodes Incorporated DMTH4014SPSWQ-13 0.2452
RFQ
 ECAD 5215 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo UX) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH4014SPSWQ-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 43.5a (TC) 10V 14.8mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 10.6 NC @ 10 V ± 20V 805 pf @ 20 V - 4W (TA), 46.9W (TC)
DMT10H9M9SCT Diodes Incorporated DMT10H9M9SCT 1.1212
RFQ
 ECAD 3658 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 DMT10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT10H9M9SCT EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 99a (TC) 6V, 10V 8.8mohm @ 20a, 10v 3.9V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 2085 pf @ 50 V - 2.3W (TA), 156W (TC)
BZX84C3V9Q-7-F Diodes Incorporated BZX84C3V9Q-7-F 0.0357
RFQ
 ECAD 3653 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.13% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-BZX84C3V9Q-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 1 V 3.9 V 90 ohmios
DMN2310U-7 Diodes Incorporated DMN2310U-7 0.0373
RFQ
 ECAD 9386 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2310 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN2310U-7TR EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 1.6a (TA) 1.8V, 4.5V 175mohm @ 300mA, 4.5V 950MV @ 250 µA 0.7 NC @ 4.5 V ± 8V 38 pf @ 10 V - 480MW (TA)
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    2000+

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