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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)
PR1505-T	-	RFQ	6805	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	PR1505	Estándar		Do-15	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	4.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V	1.2 V @ 1.5 A	250 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
DMN3029LFG-13	0.1514	RFQ	5998	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	DMN3029	Mosfet (Óxido de metal)		PowerDI3333-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.21.0095	3.000			N-canal	30 V	5.3a (TA)	4.5V, 10V	18.6mohm @ 10a, 10v	1.8V @ 250 µA	11.3 NC @ 10 V	± 25V	580 pf @ 15 V	-	1W (TA)
DMN13H750S-13	0.1701	RFQ	7690	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DMN13	Mosfet (Óxido de metal)		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	DMN13H750S-13DI	EAR99	8541.21.0095	10,000			N-canal	130 V	1a (TA)	6V, 10V	750mohm @ 2a, 10v	4V @ 250 µA	5.6 NC @ 10 V	± 20V	231 pf @ 25 V	-	770MW (TA)
DCX68-13	-	RFQ	8419	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA	DCX68		1 W	SOT-89-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	2.500																					20 V	1 A	100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 100 mm, 1a	85 @ 500mA, 1V	330MHz
Rs1jdf-13	0.0637	RFQ	3015	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	2-SMD, Plano Plano	RS1J	Estándar		D-Flat	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												600 V	1.3 V @ 1 A	250 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	6pf @ 4V, 1 MHz
DDTC123TUA-7-F	0.0435	RFQ	2730	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	DDTC123		200 MW	Sot-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																					50 V	100 mA	500NA (ICBO)			NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 5 mA	100 @ 1 mapa, 5v	250 MHz	2.2 kohms
DCX51-16-13	-	RFQ	7213	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA	DCX51		1 W	SOT-89-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	2.500																					45 V	1 A	100NA (ICBO)			PNP	500mv @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150mA, 2V	200MHz
DMN6040SFDE-7	0.6000	RFQ	42	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-Powerudfn	DMN6040	Mosfet (Óxido de metal)		U-DFN2020-6 (TUPO E)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000			N-canal	60 V	5.3a (TA)	4.5V, 10V	38mohm @ 4.3a, 10V	3V @ 250 µA	22.4 NC @ 10 V	± 20V	1287 pf @ 25 V	-	660MW (TA)
DXT5401-13	0.4100	RFQ	2	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA	DXT5401		1 W	SOT-89-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	2.500																					150 V	600 mA	50NA (ICBO)			PNP	500mV @ 5 mm, 50 Ma	60 @ 10mA, 5V	100MHz
DDZ9707-7	0.0630	RFQ	4477	Diodos incorporados	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123	DDZ9707		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000															900 MV @ 10 Ma		50 na @ 15.2 V							20 V
BZT52C6V8-7-G	-	RFQ	1755	Diodos incorporados	*	Tape & Reel (TR)	Obsoleto					BZT52				-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	BZT52C6V8-7-GDI	EAR99	8541.10.0050	3.000
BZX84C18-7	-	RFQ	2907	Diodos incorporados	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300 MW	Sot-23-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000															900 MV @ 10 Ma		100 na @ 12.6 V							18 V	45 ohmios
BC858C-7-F	0.2000	RFQ	2	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BC858		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																					30 V	100 mA	15NA			PNP	650mv @ 5 mm, 100 mapa	420 @ 2mA, 5V	200MHz
BSS123Q-13	0.2600	RFQ	17	Diodos incorporados	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BSS123	Mosfet (Óxido de metal)		Sot-23-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	10,000			N-canal	100 V	170MA (TA)	4.5V, 10V	6ohm @ 170ma, 10v	2v @ 1 mapa		± 20V	60 pf @ 25 V	-	300MW (TA)
SBL1650	-	RFQ	5695	Diodos incorporados	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2		Schottky		TO20AC	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												50 V	750 MV @ 16 A		1 ma @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
Dmp31d7lvq-7	0.4500	RFQ	2	Diodos incorporados	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	DMP31	Mosfet (Óxido de metal)	500MW (TA)	SOT-563	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal P (Dual)			30V	620 Ma (TA)		900mohm @ 420 mm, 10V	2.6V @ 250 µA	0.8nc @ 10V		19pf @ 15V	Estándar
US1JDF-13	0.3700	RFQ	8	Diodos incorporados	D-Flat	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	2-SMD, Plano Plano	US1J	Estándar		D-Flat	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												600 V	1.7 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
Ddtc115tka-7-f	-	RFQ	2977	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Ddtc115		200 MW	SC-59-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																					50 V	100 mA	500NA (ICBO)			NPN - Pre -Sesgado	300mV @ 100 µA, 1 mA	100 @ 1 mapa, 5v	250 MHz	100 kohms
BZT52C2V7TQ-7-F	-	RFQ	2586	Diodos incorporados	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 7.41%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	BZT52		300 MW	Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000															900 MV @ 10 Ma		20 µA @ 1 V							2.7 V	100 ohmios
DDTA143ECA-7-F	0.0386	RFQ	9623	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Ddta143		200 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																					50 V	100 mA	500NA			PNP - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	20 @ 10mA, 5V	250 MHz	4.7 kohms	4.7 kohms
MMBZ5221BT-7-F	0.0736	RFQ	4099	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOT-523	MMBZ5221		150 MW	SOT-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000															900 MV @ 10 Ma		100 µA @ 1 V							2.4 V	30 ohmios
ES2B-13	-	RFQ	1411	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	ES2B	Estándar		SMB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												100 V	920 MV @ 2 A	25 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	25pf @ 4V, 1 MHz
FZT600TC	-	RFQ	1648	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	FZT600		2 W	SOT-223-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	Q3294255	EAR99	8541.29.0075	4.000																					140 V	2 A	10 µA			NPN - Darlington	1.2V @ 10mA, 1A	2000 @ 500mA, 10V	250MHz
BZX84C30T-7-F	0.0630	RFQ	7837	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 7%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOT-523	BZX84		150 MW	SOT-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000															900 MV @ 10 Ma		100 na @ 21 V							30 V	80 ohmios
SMAZ36-13-F	0.4700	RFQ	66	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaz36		1 W	SMA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0050	5,000															1.2 v @ 200 ma		500 na @ 27.4 V							36 V	40 ohmios
Bss138ta	0.4100	RFQ	2844	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BSS138	Mosfet (Óxido de metal)		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000			N-canal	50 V	200MA (TA)	10V	3.5ohm @ 220 mm, 10V	1.5V @ 250 µA		± 20V	50 pf @ 10 V	-	300MW (TA)
SBR8U60P5-13	0.9100	RFQ	34	Diodos incorporados	SBR®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Powerdi ™ 5	SBR8U60	Super Barrera		Powerdi ™ 5	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	5,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												60 V	530 MV @ 8 A		600 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C	8A	-
BZT52C10LP-7B-79	-	RFQ	5988	Diodos incorporados	*	Tape & Reel (TR)	Obsoleto					BZT52				-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	BZT52C10LP-7B-79DI	EAR99	8541.10.0050	3.000
BC857BLP4-7B	0.4600	RFQ	9918	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-xfdfn	BC857		250 MW	X2-DFN1006-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	10,000																					45 V	100 mA	15NA (ICBO)			PNP	650mv @ 5 mm, 100 mapa	220 @ 2mA, 5V	100MHz
DMT43M8LFV-7	0.3557	RFQ	5176	Diodos incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	DMT43	Mosfet (Óxido de metal)		PowerDI3333-8 (Tipo UX)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000			N-canal	40 V	87a (TC)	4.5V, 10V	4mohm @ 20a, 10v	2.5V @ 250 µA	44.4 NC @ 10 V	± 20V	3213 pf @ 20 V	-	2.25W (TA)