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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DMT6015LFVW-7 Diodes Incorporated DMT6015LFVW-7 0.1959
RFQ
 ECAD 8216 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT6015LFVW-7TR EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 10a (TA), 31.8a (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 15.7 NC @ 10 V ± 16V 808 pf @ 30 V - 2.8W (TA), 28.4W (TC)
DSC08065D1 Diodes Incorporated DSC08065D1 2.6467
RFQ
 ECAD 4054 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DSC08 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-252 (TUPO WX) descascar Alcanzar sin afectado 31-DSC08065D1TR EAR99 8541.10.0080 2.500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.7 V @ 8 A 0 ns 230 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A 295pf @ 100mv, 1 MHz
BZX84C8V2Q-7-F Diodes Incorporated BZX84C8V2Q-7-F 0.0357
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.1% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-BZX84C8V2Q-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 700 na @ 5 V 8.2 V 15 ohmios
ZHCS500QTA Diodes Incorporated Zhcs500qta 0.1708
RFQ
 ECAD 2796 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Schottky Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-ZHCS500QTATR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 500 Ma 10 ns 40 µA @ 30 V 125 ° C 1A 20pf @ 25V, 1 MHz
DMT10H052LFDF-7 Diodes Incorporated DMT10H052LFDF-7 0.1686
RFQ
 ECAD 5503 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMT10 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT10H052LFDF-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 5A (TA) 4.5V, 10V 52mohm @ 4a, 10v 3V @ 250 µA 5.4 NC @ 10 V ± 20V 258 pf @ 50 V - 800MW (TA)
DMP4047SSDQ-13 Diodes Incorporated DMP4047SSDQ-13 0.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMP4047 Mosfet (Óxido de metal) 1.3W (TA) 8-SO - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 40V 5.1a (TA) 45mohm @ 4.4a, 10V 3V @ 250 µA 21.5nc @ 10V 1154pf @ 20V -
S8MCQ-13 Diodes Incorporated S8MCQ-13 0.2786
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC S8MC Estándar SMC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-S8MCQ-13TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 985 MV @ 8 A 2.7 µs 10 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C 8A 45pf @ 4V, 1MHz
ADTC124EUAQ-13 Diodes Incorporated ADTC124EUAQ-13 0.0393
RFQ
 ECAD 2523 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 ADTC124 330 MW Sot-323 descascar Alcanzar sin afectado 31-ADTC124EUAQ-13TR EAR99 8541.21.0075 10,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5MA, 5V 250 MHz 22 kohms 22 kohms
BAS16LPQ-7B Diodes Incorporated BAS16LPQ-7B 0.0323
RFQ
 ECAD 2676 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0402 (1006 Métrica) BAS16 Estándar X1-DFN1006-2 descascar Alcanzar sin afectado 31-BAS16LPQ-7BTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 75 V 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C 300mA 2pf @ 0V, 1 MHz
BZX84C5V6Q-13-F Diodes Incorporated BZX84C5V6Q-13-F 0.0280
RFQ
 ECAD 3718 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 7.14% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-BZX84C5V6Q-13-FTR EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 2 V 5.6 V 40 ohmios
BZX84B4V3Q-7-F Diodes Incorporated BZX84B4V3Q-7-F 0.0382
RFQ
 ECAD 5030 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-BZX84B4V3Q-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 1 V 4.3 V 90 ohmios
BCP5616TTA Diodes Incorporated Bcp5616tta 0.4000
RFQ
 ECAD 950 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BCP5616 2.5 W SOT-223-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 150MHz
BAV199TQ-7-F Diodes Incorporated BAV199TQ-7-F 0.0736
RFQ
 ECAD 4494 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-523 BAV199 Estándar SOT-523 descascar Alcanzar sin afectado 31-BAV199TQ-7-FTR EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 85 V 215MA (DC) 1.25 V @ 150 Ma 3 µs 5 na @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C
DMTH8008LFG-7 Diodes Incorporated DMTH8008LFG-7 0.4973
RFQ
 ECAD 5201 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH8008LFG-7TR EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 80 V 17A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 6.9mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 1MA 37.7 NC @ 10 V ± 20V 2254 pf @ 40 V - 1.2W (TA), 50W (TC)
DMN3060LW-13 Diodes Incorporated DMN3060LW-13 0.0602
RFQ
 ECAD 1240 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN3060 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN3060LW-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 2.6a (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 3.1a, 10V 1.8V @ 250 µA 5.6 NC @ 4.5 V ± 12V 395 pf @ 15 V - 500MW (TA)
BZX84C8V2Q-13-F Diodes Incorporated BZX84C8V2Q-13-F 0.0280
RFQ
 ECAD 1751 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.1% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-BZX84C8V2Q-13-FTR EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 700 na @ 5 V 8.2 V 15 ohmios
SDT4U40EP3-7B Diodes Incorporated SDT4U40EP3-7B 0.1022
RFQ
 ECAD 6446 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) Schottky X3-TSN1608-2 descascar Alcanzar sin afectado 31-SDT4U40EP3-7BTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 4 A 150 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 295pf @ 4V, 1MHz
DMTH8004LPS-13 Diodes Incorporated DMTH8004LPS-13 0.8379
RFQ
 ECAD 1933 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH8004LPS-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 V 100A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10v 2.8V @ 250 µA 81 NC @ 10 V ± 20V 4979 pf @ 40 V - 1.5W (TA), 125W (TC)
BZX84B36Q-7-F Diodes Incorporated BZX84B36Q-7-F 0.0382
RFQ
 ECAD 9665 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-BZX84B36Q-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 25.2 V 36 V 90 ohmios
DMTH8008LFG-13 Diodes Incorporated DMTH8008LFG-13 0.4973
RFQ
 ECAD 4753 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH8008LFG-13TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 80 V 17A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 6.9mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 1MA 37.7 NC @ 10 V ± 20V 2254 pf @ 40 V - 1.2W (TA), 50W (TC)
DMN4034SSSQ-13 Diodes Incorporated DMN4034SSSQ-13 0.2741
RFQ
 ECAD 5476 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMN4034 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN4034SSSQ-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 6.5a (TA) 4.5V, 10V 34mohm @ 6a, 10v 3V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 920 pf @ 20 V - 1.4W (TA)
DMT69M5LFVWQ-13 Diodes Incorporated DMT69M5LFVWQ-13 0.3567
RFQ
 ECAD 8341 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT69M5LFVWQ-13TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 14.8a (TA), 40.6a (TC) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 13.5a, 10v 2.5V @ 250 µA 28.4 NC @ 10 V ± 20V 1406 pf @ 30 V - 2.74W (TA), 20.5W (TC)
ZXTC4591AMCQTA Diodes Incorporated Zxtc4591amcqta 0.4017
RFQ
 ECAD 6294 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn ZXTC4591 1.5w W-DFN3020-8 descascar Alcanzar sin afectado 31-zxtc4591amcqtatr EAR99 8541.29.0075 3.000 40V 2.5a, 2a 100na NPN, PNP 500mv @ 100 mm, 1a 300 @ 500 mA, 5V / 300 @ 100 mA, 5V 150MHz
BZT52C12Q-7-F Diodes Incorporated BZT52C12Q-7-F 0.0384
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.42% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52 370 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-BZT52C12Q-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 12 V 25 ohmios
DMN2710UWQ-7 Diodes Incorporated DMN2710UWQ-7 0.0564
RFQ
 ECAD 4236 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN2710 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DMN2710UWQ-7TR EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 900 mA (TA) 1.8V, 4.5V 450mohm @ 600mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.6 NC @ 4.5 V ± 6V 42 pf @ 16 V - 470MW (TA)
DXTP3C100PD-13 Diodes Incorporated DXPP3C100PD-13 0.2411
RFQ
 ECAD 9012 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DXPP3C100 1.76W PowerDI5060-8 (TUPO UXD) descascar Alcanzar sin afectado 31-DXPP3C100PD-13TR EAR99 8541.29.0075 2.500 100V 3A 100na 2 PNP (dual) 325mv @ 200Ma, 2a 170 @ 500 mA, 10V 100MHz
ZXMN10A08E6QTA Diodes Incorporated Zxmn10a08e6qta 0.3561
RFQ
 ECAD 3806 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Sot-26 - Alcanzar sin afectado 31-ZXMN10A08E6QTATR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 1.5a (TA) 6V, 10V 250mohm @ 3.2a, 10V 4V @ 250 µA 7.7 NC @ 10 V ± 20V 405 pf @ 50 V - 1.1W (TA)
MMBZ5231BQ-7-F Diodes Incorporated MMBZ5231BQ-7-F 0.0337
RFQ
 ECAD 8859 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-MMBZ5231BQ-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 2 V 5.1 V 17 ohmios
SDT15150VP5-7 Diodes Incorporated SDT15150VP5-7 0.2610
RFQ
 ECAD 8782 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 Schottky Powerdi ™ 5 descascar Alcanzar sin afectado 31-SDT15150VP5-7TR EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1 V @ 15 A 80 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A -
BSS8402DWQ-13 Diodes Incorporated BSS8402DWQ-13 0.1273
RFQ
 ECAD 3508 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BSS8402 Mosfet (Óxido de metal) 200MW (TA) Sot-363 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-BSS8402DWQ-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 N y p-canal complementario 60V, 50V 115MA (TA), 130MA (TA) 13.5ohm @ 500 mA, 10V, 10ohm @ 100 mA, 5V 2.5V @ 250 µA, 2V @ 1 mA - 50pf @ 25V, 45pf @ 25V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

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AD9208BBPZ-3000

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