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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BZT52C2V7-13-F Diodes Incorporated BZT52C2V7-13-F 0.2100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 7.41% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 20 µA @ 1 V 2.7 V 100 ohmios
BCP5310TA Diodes Incorporated Bcp5310ta 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BCP5310 2 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 80 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150mA, 2V 150MHz
MMSZ5255BS-7-F Diodes Incorporated MMSZ5255BS-7-F 0.3400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 MMSZ5255 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 21 V 28 V 44 ohmios
BAV99DW-7 Diodes Incorporated BAV99DW-7 -
RFQ
 ECAD 5652 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BAV99 Estándar Sot-363 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 2 Pares 75 V 215MA (DC) 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 2.5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C
DMT67M8LCGQ-13 Diodes Incorporated DMT67M8LCGQ-13 0.4596
RFQ
 ECAD 8248 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT67 Mosfet (Óxido de metal) V-DFN3333-8 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DMT67M8LCGQ-13TR EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 16a (TA), 64.6a (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 37.5 NC @ 10 V ± 20V 2130 pf @ 30 V - 900MW (TC)
RS1BB-13-G Diodes Incorporated RS1BB-13-G -
RFQ
 ECAD 8104 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado RS1BB-13-GDI EAR99 8541.10.0080 3.000
UG3002-T Diodes Incorporated UG3002-T -
RFQ
 ECAD 5763 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1.200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 3 A 50 ns 5 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
1SMB5956B-13 Diodes Incorporated 1SMB5956B-13 0.4600
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5956 3 W SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 3.000 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 152 V 200 V 1200 ohmios
DMC3061SVTQ-7 Diodes Incorporated DMC3061SVTQ-7 0.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMC3061 Mosfet (Óxido de metal) 880MW TSOT-26 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 30V 3.4a (TA), 2.7a (TA) 60mohm @ 3.1a, 10v, 95mohm @ 2.7a, 10v 1.8V @ 250 µA, 2.2V @ 250 µA 6.6nc @ 10V, 6.8nc @ 10V 278pf @ 15V, 287pf @ 15V -
FMMD914TA Diodes Incorporated Fmmd914ta -
RFQ
 ECAD 5279 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Fmmd914 Estándar Sot-23-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 75 V 1 V @ 10 Ma 8 ns 25 na @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 75 Ma 4PF @ 0V, 1MHz
MURS160-13-F Diodes Incorporated MURS160-13-F 0.4000
RFQ
 ECAD 4278 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Murs160 Estándar SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.25 v @ 1 a 50 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
AZ23C3V6-7 Diodes Incorporated AZ23C3V6-7 -
RFQ
 ECAD 2332 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C3V6 300 MW Sot-23-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 3.6 V 95 ohmios
US1D-13 Diodes Incorporated US1D-13 -
RFQ
 ECAD 1831 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA US1D Estándar SMA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
MBR10100CS2-G1 Diodes Incorporated MBR10100CS2-G1 -
RFQ
 ECAD 7995 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBR1010 Schottky Un 263-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 5A 850 MV @ 5 A 100 µA @ 100 V 150 ° C (Máximo)
MMSZ5248B-7 Diodes Incorporated MMSZ5248B-7 -
RFQ
 ECAD 5197 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5248B 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 14 V 18 V 21 ohmios
MMBZ5227B-7-G Diodes Incorporated MMBZ5227B-7-G -
RFQ
 ECAD 1996 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-MMBZ5227B-7-GTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 15 µA @ 1 V 3.6 V 24 ohmios
BZT52C3V3-7 Diodes Incorporated BZT52C3V3-7 -
RFQ
 ECAD 6481 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.3 V 95 ohmios
DMN24H3D5L-13 Diodes Incorporated DMN24H3D5L-13 0.1701
RFQ
 ECAD 8408 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN24 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN24H3D5L-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 240 V 480MA (TA) 3.3V, 10V 3.5ohm @ 300 mA, 10V 2.5V @ 250 µA 6.6 NC @ 10 V ± 20V 188 pf @ 25 V - 760MW (TA)
DMN2310UFD-7 Diodes Incorporated DMN2310UFD-7 0.0724
RFQ
 ECAD 8814 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-Powerudfn DMN2310 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN1212-3 (TUPO C) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN2310UFD-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 1.7a (TA) 1.5V, 4.5V 240mohm @ 1a, 4.5V 950MV @ 250 µA 0.7 NC @ 4.5 V ± 8V 38 pf @ 10 V - 670MW (TA)
SDT5100LP5-13 Diodes Incorporated SDT5100LP5-13 0.4100
RFQ
 ECAD 7754 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 Sdt5100 Schottky Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 820 MV @ 5 A 4 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
BZT52C47-7-F Diodes Incorporated BZT52C47-7-F 0.2100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 100 na @ 35 V 47 V 100 ohmios
ZXMN6A08KTC Diodes Incorporated Zxmn6a08ktc 0.6500
RFQ
 ECAD 2605 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 ZXMN6 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 5.36a (TA) 4.5V, 10V 80mohm @ 4.8a, 10V 3V @ 250 µA 5.8 NC @ 10 V ± 20V 459 pf @ 40 V - 2.12W (TA)
BZT52C4V7-7 Diodes Incorporated BZT52C4V7-7 -
RFQ
 ECAD 4008 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 2 V 4.7 V 80 ohmios
MMSZ5225BS-7 Diodes Incorporated MMSZ5225BS-7 -
RFQ
 ECAD 3244 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 MMSZ5225B 200 MW Sod-323 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 µA @ 1 V 3 V 30 ohmios
RS3KB-13 Diodes Incorporated Rs3kb-13 -
RFQ
 ECAD 9914 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB Rs3k Estándar SMB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 3 A 500 ns 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1 MHz
BZX84C12W-7 Diodes Incorporated BZX84C12W-7 -
RFQ
 ECAD 4292 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW Sot-323 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 12 V 25 ohmios
SBL6030PT Diodes Incorporated SBL6030PT -
RFQ
 ECAD 4501 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 SBL6030 Schottky Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 60A 550 MV @ 30 A 20 Ma @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5226BS-7-F Diodes Incorporated MMBZ5226BS-7-F 0.4100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5226 200 MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 2 Independientes 900 MV @ 10 Ma 25 µA @ 1 V 3.3 V 28 ohmios
1N5223B-T Diodes Incorporated 1N5223B-T -
RFQ
 ECAD 2815 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5223 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 75 µA @ 1 V 2.7 V 30 ohmios
DMTH6010LPS-13 Diodes Incorporated DMTH6010LPS-13 0.4925
RFQ
 ECAD 1965 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH6010 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 13.5A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 41.3 NC @ 10 V ± 20V 2090 pf @ 30 V - 2.6W (TA), 136W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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