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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DSS3515MQ-7 Diodes Incorporated DSS3515MQ-7 0.3300
RFQ
 ECAD 8553 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN 400 MW X1-DFN1006-3 descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 15 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 250 mv @ 50 mm, 500 mA 200 @ 10mA, 2V 340MHz
DMT3020UFDB-13 Diodes Incorporated DMT3020UFDB-13 0.1581
RFQ
 ECAD 4946 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMT3020 Mosfet (Óxido de metal) 860MW U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT3020UFDB-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 Vecino del canal 30V 6.5a (TA) 21mohm @ 6a, 10v 1.7V @ 250 µA 8.8nc @ 10V 383pf @ 15V -
GBJ35JL-F Diodes Incorporated GBJ35JL-F 10.0007
RFQ
 ECAD 5352 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ Estándar GBJ descascar Alcanzar sin afectado 31-GBJ35JL-F EAR99 8541.10.0080 15 920 MV @ 17.5 A 10 µA @ 600 V 35 A Fase única 600 V
BAS40TWQ-7-F Diodes Incorporated BAS40TWQ-7-F 0.1096
RFQ
 ECAD 7330 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BAS40 Schottky Sot-363 - Alcanzar sin afectado 31-BAS40TWQ-7-FTR EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 3 Independientes 40 V 200MA (DC) 1 V @ 40 Ma 5 ns 200 na @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C
SBR40U200CTBQ-13 Diodes Incorporated SBR40U200CTBQ-13 1.6062
RFQ
 ECAD 4793 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SBR40 Super Barrera To-263ab (d²pak) descascar Alcanzar sin afectado 31-SBR40U200CTBQ-13TR EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 20A 930 MV @ 20 A 26 ns 200 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C
SDT20100GCTFP Diodes Incorporated Sdt20100gctfp 0.7096
RFQ
 ECAD 1266 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Sdt20100 Schottky ITO220AB (TUPO WX) descascar Alcanzar sin afectado 31-SDT20100GCTFP EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 720 MV @ 10 A 30 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C27Q-7-F Diodes Incorporated BZT52C27Q-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 7.04% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52 370 MW SOD-123 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 18.9 V 27 V 80 ohmios
DMN3069L-7 Diodes Incorporated DMN3069L-7 0.0760
RFQ
 ECAD 7158 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3069 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN3069L-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 5.3a (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 4a, 10v 1.8V @ 250 µA 8.1 NC @ 10 V ± 20V 309 pf @ 15 V - 800MW
MMBZ5242BQ-7-F Diodes Incorporated MMBZ5242BQ-7-F 0.1900
RFQ
 ECAD 5794 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 9.1 V 12 V 30 ohmios
BCX5616QTC Diodes Incorporated Bcx5616qtc 0.0945
RFQ
 ECAD 1381 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX5616 1 W SOT-89-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-BCX5616QTCTR EAR99 8541.29.0075 4.000 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 150MHz
BZX84C12Q-7-F Diodes Incorporated BZX84C12Q-7-F 0.0357
RFQ
 ECAD 7399 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.42% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-BZX84C12Q-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 12 V 25 ohmios
MMBZ5237BQ-7-F Diodes Incorporated MMBZ5237BQ-7-F 0.0337
RFQ
 ECAD 7585 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-MMBZ5237BQ-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 6.5 V 8.2 V 8 ohmios
2N7002DWK-7 Diodes Incorporated 2N7002DWK-7 0.0600
RFQ
 ECAD 8823 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) 330MW (TA) Sot-363 descascar Alcanzar sin afectado 31-2N7002DWK-7TR EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 261MA (TA) 3ohm @ 200Ma, 10V 2V @ 250 µA 1.04nc @ 10V 41pf @ 30V -
BZT52C9V1SQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C9V1SQ-7-F 0.0359
RFQ
 ECAD 8466 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.04% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW Sod-323 descascar Alcanzar sin afectado 31-BZT52C9V1SQ-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 200 na @ 6 V 9.1 V 15 ohmios
DMC3060LVTQ-7 Diodes Incorporated DMC3060LVTQ-7 0.1521
RFQ
 ECAD 3613 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMC3060 Mosfet (Óxido de metal) 830MW (TA) TSOT-26 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMC3060LVTQ-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 Vecino del canal 30V 3.6a (TA), 2.8a (TA) 60mohm @ 3.1a, 10v, 95mohm @ 2.7a, 10v 1.8V @ 250 µA, 2.1V @ 250 µA 11.3nc @ 10V, 8.6nc @ 10V 395pf @ 15V, 324pf @ 15V -
DMTH3002LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH3002LPSQ-13 0.5592
RFQ
 ECAD 6944 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo K) - Alcanzar sin afectado 31-DMTH3002LPSQ-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 240a (TC) 4.5V, 10V 1.6mohm @ 25A, 10V 2v @ 1 mapa 77 NC @ 10 V ± 16V 5000 pf @ 15 V - 1.2W (TA), 136W (TC)
B340AQ-13-F Diodes Incorporated B340AQ-13-F 0.1156
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA B340 Schottky SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-B340AQ-13-FTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 3 A 14 ns 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
SB1100 Diodes Incorporated SB1100 -
RFQ
 ECAD 4519 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto descascar 31-SB1100TR EAR99 8541.10.0080 1
DCX114EUQ-13-F Diodes Incorporated DCX114EUQ-13-F 0.0528
RFQ
 ECAD 9872 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101, DCX (XXXX) U Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DCX114 200MW Sot-363 descascar Alcanzar sin afectado 31-DCX114EUQ-13-FTR EAR99 8541.21.0075 10,000 50V 100mA 500NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 kohms 10 kohms
BZX84C5V6Q-7-F Diodes Incorporated BZX84C5V6Q-7-F 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 7.14% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 2 V 5.6 V 40 ohmios
SDT10H50P5-13D Diodes Incorporated SDT10H50P5-13D 0.2010
RFQ
 ECAD 6332 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 Schottky Powerdi ™ 5 descascar Alcanzar sin afectado 31-SDT10H50P5-13DTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 450 MV @ 10 A 300 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
1N5408G-FM25 Diodes Incorporated 1N5408G-FM25 -
RFQ
 ECAD 8802 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5408 Estándar Do-201ad - Alcanzar sin afectado 31-1N5408G-FM25 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 3 a 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
S2BF Diodes Incorporated S2BF -
RFQ
 ECAD 7786 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar SMB - Alcanzar sin afectado 31-s2bf EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.15 V @ 1.5 A 5 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 1.5a 20pf @ 4V, 1 MHz
S3D Diodes Incorporated S3d -
RFQ
 ECAD 1396 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar SMC descascar Alcanzar sin afectado 31-S3D EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.15 v @ 3 a 2 µs 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
S1AF Diodes Incorporated S1AF -
RFQ
 ECAD 2707 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar SMA - Alcanzar sin afectado 31-S1AF EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
D3G Diodes Incorporated D3g -
RFQ
 ECAD 3740 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero T1, axial D3g Estándar T-1 descascar 31-d3g Obsoleto 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
S3BB Diodes Incorporated S3BB -
RFQ
 ECAD 7542 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar SMB descascar Alcanzar sin afectado 31-s3bb EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.15 v @ 3 a 2 µs 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
PR3007-A52 Diodes Incorporated PR3007-A52 -
RFQ
 ECAD 4676 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Estándar 6-SMD - 31-PR3007-A52 Obsoleto 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 3 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1 MHz
1N5402 Diodes Incorporated 1N5402 -
RFQ
 ECAD 7560 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5402 Estándar Do-201ad descascar 31-1N5402 Obsoleto 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.2 v @ 3 a 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A 50pf @ 4V, 1 MHz
LSC06065Q8 Diodes Incorporated LSC06065Q8 -
RFQ
 ECAD 8746 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto Montaje en superficie 4-Powertsfn Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY DFN8080 descascar 31-LSC06065Q8 Obsoleto 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.7 v @ 6 a 0 ns 200 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 6A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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