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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | SDM1U60P1-7 | - | ![]() | 3784 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | PowerDI®123 | Schottky | PowerDi ™ 123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 500 MV @ 1 A | 100 µA @ 60 V | - | 1A | 52pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT3009LFVW-7 | 0.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | 8Powervdfn | DMT3009 | Mosfet (Óxido de metal) | PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 30 V | 12A (TA), 50A (TC) | 3.8V, 10V | 11mohm @ 14.4a, 10V | 3V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 823 pf @ 15 V | - | 2.3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
Zxmp6a13gta | 0.7400 | ![]() | 6887 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | ZXMP6A13 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 60 V | 1.7a (TA) | 4.5V, 10V | 390mohm @ 900 mA, 10V | 1V @ 250 µA | 5.9 NC @ 10 V | ± 20V | 219 pf @ 30 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9709T-7 | 0.4500 | ![]() | 558 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | DDZ9709 | 150 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 18.2 V | 24 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5400G-T | 0.3700 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | 1N5400 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 v @ 3 a | 2 µs | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 40pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMNH6035SPDWQ-13 | 0.6174 | ![]() | 7825 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | 8-Powertdfn | DMNH6035 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.4W (TA), 68W (TC) | PowerDI5060-8 (Tipo R) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | DMNH6035SPDWQ-13DI | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 33A (TC) | 35mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 16NC @ 10V | 879pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||
BAS70W-05-7 | - | ![]() | 4227 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BAS70 | Schottky | Sot-323 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 70 V | 70MA (DC) | 1 V @ 15 Ma | 5 ns | 100 na @ 50 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4933G-T | 0.0625 | ![]() | 7163 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4933 | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.2 v @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
DMP2035UVT-7 | 0.4900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | DMP2035 | Mosfet (Óxido de metal) | TSOT-26 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 35mohm @ 4a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 23.1 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2400 pf @ 10 V | - | 1.2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C12-7-G | - | ![]() | 8027 | 0.00000000 | Diodos incorporados | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | BZT52 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | BZT52C12-7-GDI | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDM8M100P5-13 | - | ![]() | 6683 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Powerdi ™ 5 | Schottky | Powerdi ™ 5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 8 A | 1.5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | 168pf @ 4V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB860-B | - | ![]() | 7415 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Una granela | Obsoleto | - | Alcanzar sin afectado | 31-SB860-B | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APD260VD-E1 | - | ![]() | 9602 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | APD260 | Schottky | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 500 MV @ 2 A | 500 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP2540UCB9-7 | - | ![]() | 5818 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 9-UFBGA, WLBGA | DMP2540 | Mosfet (Óxido de metal) | U-WLB1515-9 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 25 V | 4A (TA) | 1.8V, 4.5V | 40mohm @ 2a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 6 NC @ 4.5 V | -6v | 450 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SF10JG-T | - | ![]() | 5265 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.5 v @ 1 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP6050SPS-13 | 0.7000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | DMP6050 | Mosfet (Óxido de metal) | PowerDI5060-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 5.7a (TA) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 2163 pf @ 30 V | - | 1.3w | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5398S-T | - | ![]() | 4398 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5398 | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 20pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV116S92-7 | - | ![]() | 6105 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Sod-923 | BAV116 | Estándar | Sod-923 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 85 V | 1.25 V @ 150 Ma | 3 µs | 5 na @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 215 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTH1206FP | 0.9600 | ![]() | 4700 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | Estándar | ITO-220AC (TUPO WX) | descascar | Alcanzar sin afectado | 31-DTH1206FP | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.9 v @ 12 a | 30 ns | 45 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
BSS84-7-F-50 | 0.0350 | ![]() | 9976 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS84 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-3 | descascar | 1 (ilimitado) | 31-BSS84-7-F-50 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 50 V | 130MA (TA) | 5V | 10ohm @ 100 mapa, 5V | 2v @ 1 mapa | 0.59 NC @ 10 V | ± 20V | 45 pf @ 25 V | - | 300MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMNH10H021SPSW-13 | 0.6825 | ![]() | 1162 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | 8-Powertdfn | DMNH10 | Mosfet (Óxido de metal) | PowerDI5060-8 (Tipo UX) | descascar | Alcanzar sin afectado | 31-DMNH10H021SPSW-13TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 58a (TC) | 10V | 28mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 20V | 3789 pf @ 50 V | - | 1.8w | |||||||||||||||||||||||||
DZ23C16-7-F | 0.4100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par Cátodo Común | 16 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B320AE-13 | 0.3700 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | B320 | Schottky | SMA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 3 A | 100 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 140pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP3028LK3-13 | 0.5900 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | DMP3028 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 27a (TC) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 7a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1241 pf @ 15 V | - | 1.6w (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Zxtn25100dzta-50 | 0.1404 | ![]() | 3001 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | Zxtn25100 | 1.1 W | SOT-89-3 | descascar | 31-ZXTN25100DZTA-50 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 100 V | 2.5 A | 100na | NPN | 345mv @ 250 mA, 2.5a | 300 @ 10mA, 2V | 175MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR10U200P5-13D | 1.3300 | ![]() | 8013 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Powerdi ™ 5 | SBR10 | Super Barrera | Powerdi ™ 5 | descascar | 31-SBR10U200P5-13D | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 880 MV @ 10 A | 100 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C39-7-G | - | ![]() | 2293 | 0.00000000 | Diodos incorporados | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | BZX84 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | BZX84C39-7-GDI | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN3401LVQ-13 | 0.3200 | ![]() | 8404 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | DMN3401 | Mosfet (Óxido de metal) | 490MW (TA) | SOT-563 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 800 mA (TA) | 400mohm @ 590mA, 10V | 1.6V @ 100 µA | 1.2NC @ 10V | 50pf @ 15V | Estándar | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B550CQ-13-F | 0.6200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | B550 | Schottky | SMC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 700 MV @ 5 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 300pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
DZT953-13 | - | ![]() | 6246 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | DZT953 | 1 W | SOT-223-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 100 V | 5 A | 50NA (ICBO) | PNP | 420mv @ 400mA, 4A | 100 @ 1a, 1v | 125MHz |
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