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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
PD3Z284C9V1-7 Diodes Incorporated PD3Z284C9V1-7 0.1465
RFQ
 ECAD 5989 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.04% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie PowerDi ™ 323 500 MW PowerDi ™ 323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado PD3Z284C9V1DIDKR EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 500 na @ 6 V 9.1 V 10 ohmios
DXTN03100CFG-7 Diodes Incorporated DXTN03100CFG-7 0.6600
RFQ
 ECAD 6671 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn 1.2 W PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 100 V 5 A 20NA NPN 220MV @ 500 Ma, 5A 200 @ 1a, 2v 140MHz
DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated Dmn3035lwn-7 0.4900
RFQ
 ECAD 8625 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN3035 Mosfet (Óxido de metal) 770MW V-DFN3020-8 (TUPO N) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 5.5a 35mohm @ 4.8a, 10V 2V @ 250 µA 9.9nc @ 10V 399pf @ 15V -
DMN3032LFDBWQ-13 Diodes Incorporated DMN3032LFDBWQ-13 0.2608
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN3032 Mosfet (Óxido de metal) 820MW U-DFN2020-6 (SWP) Tipo B descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN3032LFDBWQ-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 30V 5.5a (TA) 30mohm @ 5.8a, 10V 2V @ 250 µA 10.6nc @ 10V 500pf @ 15V -
2N7002DWK-13 Diodes Incorporated 2N7002DWK-13 0.0444
RFQ
 ECAD 2078 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) 330MW (TA) Sot-363 descascar Alcanzar sin afectado 31-2N7002DWK-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 60V 261MA (TA) 3ohm @ 200Ma, 10V 2V @ 250 µA 1.04nc @ 10V 41pf @ 30V -
ZDC833ATC Diodes Incorporated ZDC833ATC -
RFQ
 ECAD 5382 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZDC833A Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado ZDC833ATC-NDR EAR99 8541.10.0080 10,000 36.3pf @ 2v, 1 MHz 1 par Cátodo Común 25 V 6.5 C2/C20 200 @ 3V, 50MHz
DMT10H009LFG-13 Diodes Incorporated DMT10H009LFG-13 0.4980
RFQ
 ECAD 3304 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 31-DMT10H009LFG-13TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 13A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 2361 pf @ 50 V - 2W (TA), 30W (TC)
DMT68M8LFV-13 Diodes Incorporated DMT68M8LFV-13 0.2878
RFQ
 ECAD 4241 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT68 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (Tipo UX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMT68M8LFV-13DI EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 54.1a (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 13.5a, 10v 3V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 2078 pf @ 30 V - 2.7W (TA), 41.7W (TC)
DMTH41M8SPS-13 Diodes Incorporated DMTH41M8SPS-13 0.8177
RFQ
 ECAD 5708 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH41 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo K) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMTH41M8SPS-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 100A (TC) 10V 1.8mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 79.5 NC @ 10 V ± 20V 6968 pf @ 20 V - 3.03W
DMPH6050SFG-13 Diodes Incorporated DMPH6050SFG-13 0.2482
RFQ
 ECAD 1422 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DMPH6050 Mosfet (Óxido de metal) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMPH6050SFG-13DI EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 6.1a (TA), 18a (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 7a, 10v 3V @ 250 µA 24.1 NC @ 10 V ± 20V 1293 pf @ 30 V - 3.2W
BAT54LP-7B-2477 Diodes Incorporated BAT54LP-7B-2477 -
RFQ
 ECAD 7166 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela La Última Vez Que Compre Montaje en superficie 0402 (1006 Métrica) Schottky X1-DFN1006-2 - 31-bat54lp-7b-2477 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 10pf @ 1v, 1 MHz
DMP57D5UFB-7 Diodes Incorporated DMP57D5UFB-7 -
RFQ
 ECAD 2080 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 50 V 200MA (TA) 2.5V, 4V 6ohm @ 100 mm, 4V 1V @ 250 µA ± 8V 29 pf @ 4 V - 425MW (TA)
GBJ1006 Diodes Incorporated GBJ1006 -
RFQ
 ECAD 7071 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Descontinuado en sic -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ1006 Estándar GBJ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado GBJ1006DI EAR99 8541.10.0080 15 1.05 v @ 5 a 10 µA @ 600 V 10 A Fase única 600 V
ZXTN25020DGTA Diodes Incorporated Zxtn25020dgta 0.8100
RFQ
 ECAD 4115 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZXTN25020 3 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 20 V 7 A 50NA (ICBO) NPN 290mv @ 700 Ma, 7a 300 @ 10mA, 2V 215MHz
DMN2025UFDB-7 Diodes Incorporated DMN2025UFDB-7 0.1447
RFQ
 ECAD 6911 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN2025 Mosfet (Óxido de metal) 700MW (TA) U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 6a (TA) 25mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 250 µA 12.3nc @ 10V 486pf @ 10V -
DMN2028UFDF-13 Diodes Incorporated DMN2028UFDF-13 0.1218
RFQ
 ECAD 7849 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN2028 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN2028UFDF-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 20 V 7.9a (TA) 1.5V, 4.5V 25mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 250 µA 18 NC @ 8 V ± 8V 907 pf @ 10 V - 660MW (TA)
DMP4025SFGQ-13 Diodes Incorporated DMP4025SFGQ-13 0.5900
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP4025 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 40 V 7.2a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 3a, 10v 1.8V @ 250 µA 33.7 NC @ 10 V ± 20V 1643 pf @ 20 V - 810MW (TA)
DDZ39FQ-7 Diodes Incorporated Ddz39fq-7 -
RFQ
 ECAD 8845 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 DDZ39 310 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 30 V 39 V 85 ohmios
GBU1001 Diodes Incorporated GBU1001 1.5200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU1001 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 20 1 v @ 5 a 5 µA @ 100 V 10 A Fase única 100 V
GBU1010 Diodes Incorporated GBU1010 1.5200
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU1010 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 20 1 v @ 5 a 5 µA @ 1000 V 10 A Fase única 1 kV
GBU402 Diodes Incorporated GBU402 1.1400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU402 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 20 1 v @ 2 a 5 µA @ 200 V 4 A Fase única 200 V
GBU6005 Diodes Incorporated GBU6005 1.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU6005 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 20 1 v @ 3 a 5 µA @ 50 V 6 A Fase única 50 V
KBJ410G Diodes Incorporated KBJ410G 0.9290
RFQ
 ECAD 9754 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBJ KBJ410 Estándar KBJ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 20 1 v @ 2 a 5 µA @ 1000 V 4 A Fase única 1 kV
PBPC803 Diodes Incorporated PBPC803 -
RFQ
 ECAD 5892 0.00000000 Diodos incorporados - Caja Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrados, PBPC-8 Estándar PBPC-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 150 1.1 v @ 4 a 10 µA @ 200 V 6 A Fase única 200 V
PBPC806 Diodes Incorporated PBPC806 -
RFQ
 ECAD 2851 0.00000000 Diodos incorporados - Caja Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrados, PBPC-8 Estándar PBPC-8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 150 1.1 v @ 4 a 10 µA @ 800 V 6 A Fase única 800 V
DF10S-T Diodes Incorporated DF10S-T 0.5100
RFQ
 ECAD 487 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DF10 Estándar DF-S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1.500 1.1 v @ 1 a 10 µA @ 1000 V 1 A Fase única 1 kV
DF1508M Diodes Incorporated DF1508M -
RFQ
 ECAD 6173 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 EDIP (0.300 ", 7.62 mm) DF1508 Estándar DFM descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 800 V 1.5 A Fase única 800 V
SD830-T Diodes Incorporated SD830-T -
RFQ
 ECAD 9317 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1.200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 8 A 1 ma @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C 8A -
DDZ12CS-7 Diodes Incorporated DDZ12CS-7 0.3000
RFQ
 ECAD 375 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 2.53% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 DDZ12 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 9.1 V 12 V 12 ohmios
DMB53D0UDW-7 Diodes Incorporated DMB53D0UDW-7 -
RFQ
 ECAD 3221 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto 45V NPN, 50V N-Canal Propósito general Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMB53 Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 PNP de 100 Ma, 160 Ma N-Canal NPN, N-Canal
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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