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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
SBL860 Diodes Incorporated SBL860 -
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 ECAD 2768 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 8 A 500 µA @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C 8A -
2N7002H-7 Diodes Incorporated 2N7002H-7 0.2600
RFQ
 ECAD 5469 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 170MA (TA) 5V 7.5ohm @ 50 mm, 5V 3V @ 250 µA 0.35 NC @ 4.5 V ± 20V 26 pf @ 25 V - 370MW (TA)
DSS4160FDBQ-7 Diodes Incorporated DSS4160FDBQ-7 0.5900
RFQ
 ECAD 8964 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DSS4160 405MW U-DFN2020-6 (TUPO B) - 31-DSS4160FDBQ-7 EAR99 8541.29.0075 3.000 60V 1A 100NA (ICBO) 2 NPN (dual) 240mv @ 50 mm, 1a 290 @ 100mA, 2V 175MHz
S3DB Diodes Incorporated S3DB -
RFQ
 ECAD 6466 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar SMB descascar Alcanzar sin afectado 31-s3dB EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.15 v @ 3 a 2 µs 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
ZHCS2000TA-2477 Diodes Incorporated ZHCS2000TA-2477 -
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 ECAD 5221 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela La Última Vez Que Compre Montaje en superficie Sot-23-6 Schottky Sot-26 - 31-ZHCS2000TA-2477 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 2 A 5.5 ns 300 µA @ 30 V 125 ° C 2A 50pf @ 25V, 1 MHz
1N4448-T Diodes Incorporated 1N4448-T -
RFQ
 ECAD 2805 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4448 Estándar Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 75 V 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C 150 Ma 4PF @ 0V, 1MHz
DMT6009LFG-13 Diodes Incorporated DMT6009LFG-13 0.4410
RFQ
 ECAD 4474 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT6009 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMT6009LFG-13DI EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 11a (TA), 34A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 13.5a, 10V 2V @ 250 µA 33.5 NC @ 10 V ± 16V 1925 pf @ 30 V - 2.08W (TA), 19.2W (TC)
DDZ4V7BSF-7 Diodes Incorporated DDZ4V7BSF-7 -
RFQ
 ECAD 7845 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Ddz4v7 500 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 10 µA @ 1 V 4.68 V 130 ohmios
ZXMD63P02XTC Diodes Incorporated Zxmd63p02xtc -
RFQ
 ECAD 4193 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) ZXMD63 Mosfet (Óxido de metal) 1.04W 8-MSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal P (Dual) 20V - 270mohm @ 1.2a, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 5.25nc @ 4.5V 290pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
DMP22D5UDA-7B Diodes Incorporated Dmp22d5uda-7b 0.0376
RFQ
 ECAD 8160 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo DMP22 Mosfet (Óxido de metal) - X2-DFN0806-6 descascar 31-DMP22D5UDA-7B EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal P (Dual) 20V 350MA (TA) 1.9ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.3NC @ 4.5V 17pf @ 15V Estándar
DMTH4001SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH4001SPSQ-13 -
RFQ
 ECAD 4730 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH4001 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo K) descascar 31-DMTH4001SPSQ-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 225a (TC) 10V 1mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 144 NC @ 10 V ± 20V 10787 pf @ 20 V - 3.1W (TA), 187.5W (TC)
1N5256B-T Diodes Incorporated 1N5256B-T -
RFQ
 ECAD 3434 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5256 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 23 V 30 V 49 ohmios
DMC3032LFDB-7 Diodes Incorporated Dmc3032lfdb-7 0.1431
RFQ
 ECAD 8081 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMC3032 Mosfet (Óxido de metal) 800MW U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar 31-DMC3032LFDB-7 EAR99 8541.21.0095 3.000 N y p-canal complementario 30V 5.3a (TA), 3.4a (TA) 30mohm @ 5.8a, 10v, 70mohm @ 3.8a, 10v 2V @ 250 µA, 2.1V @ 250 µA 10.6nc @ 10V, 7.8nc @ 10V 500pf @ 15V, 336pf @ 25V Estándar
DMN33D8LV-7 Diodes Incorporated DMN33D8LV-7 0.4600
RFQ
 ECAD 6522 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN33 Mosfet (Óxido de metal) 430MW (TA) SOT-563 descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 350MA (TA) 2.4ohm @ 250 mA, 10V 1.5V @ 100 µA 1.23nc @ 10V 48pf @ 5V -
DMT3006LFVQ-13 Diodes Incorporated DMT3006LFVQ-13 0.2893
RFQ
 ECAD 2247 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT3006 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (Tipo UX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 60A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 9a, 10v 3V @ 250 µA 16.7 NC @ 10 V ± 20V 1155 pf @ 15 V - 1W (TA)
APD360VPTR-E1 Diodes Incorporated APD360VPTR-E1 -
RFQ
 ECAD 4992 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero DO-201AA, DO-27, AXIAL APD360 Schottky DO-27 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 680 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V -65 ° C ~ 125 ° C 3A -
DMNH15H110SK3-13 Diodes Incorporated DMNH15H110SK3-13 -
RFQ
 ECAD 3794 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMNH15 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMNH15H110SK3-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 150 V 18a (TC) 6V, 10V 97mohm @ 2a, 10v 4V @ 250 µA 25.5 NC @ 10 V ± 20V 987 pf @ 75 V - 2W (TA)
BSS138DWK-13 Diodes Incorporated BSS138DWK-13 0.0379
RFQ
 ECAD 7859 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BSS138 Mosfet (Óxido de metal) 330MW Sot-363 descascar Alcanzar sin afectado 31-BSS138DWK-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 50V 310MA (TA) 2.6ohm @ 200 MMA, 10V 1.5V @ 250 µA 0.8nc @ 10V 22pf @ 25V -
BZT585B3V6TQ-13 Diodes Incorporated BZT585B3V6TQ-13 0.0417
RFQ
 ECAD 2420 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT585 350 MW Sod-523 descascar Alcanzar sin afectado 31-BZT585B3V6TQ-13TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 100 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 V 90 ohmios
DDZ27DSF-7 Diodes Incorporated DDZ27DSF-7 0.0531
RFQ
 ECAD 7375 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 2.5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F DDZ27 500 MW Sod-323f descascar Alcanzar sin afectado 31-DDZ27DSF-7TR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 70 na @ 25 V 26.97 V 70 ohmios
RDBF258-13 Diodes Incorporated RDBF258-13 0.2272
RFQ
 ECAD 9868 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-smd, planos de cables RDBF258 Estándar DBF - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 1.3 V @ 2.5 A 5 µA @ 800 V 2.5 A Fase única 800 V
DMP3056LVT-13 Diodes Incorporated DMP3056LVT-13 -
RFQ
 ECAD 9490 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) - - DMP3056 Mosfet (Óxido de metal) - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 Canal P 30 V 4.3a (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 6a, 10v 2.1V @ 250 µA 11.8 NC @ 10 V ± 25V 642 pf @ 25 V - 1.38w
BZX84C3V0-7-G Diodes Incorporated BZX84C3V0-7-G -
RFQ
 ECAD 8897 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto BZX84 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BZX84C3V0-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3.000
BZX84C2V4TS-7-F Diodes Incorporated BZX84C2V4TS-7-F 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BZX84 200 MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 3 Independientes 900 MV @ 10 Ma 50 µA @ 1 V 2.4 V 100 ohmios
MMSZ5257BQ-7-F Diodes Incorporated MMSZ5257BQ-7-F 0.0365
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5257 370 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-MMSZ5257BQ-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 25 V 33 V 58 ohmios
MBR10150CT Diodes Incorporated MBR10150CT -
RFQ
 ECAD 6242 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 MBR10150 Schottky Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados MBR10150CTDI EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 5A 890 MV @ 5 A 500 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C
PDS360-13 Diodes Incorporated PDS360-13 1.1900
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 PDS360 Schottky Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 620 MV @ 3 A 150 µA @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
SD1A240E Diodes Incorporated SD1A240E 0.4100
RFQ
 ECAD 8678 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo SD1A240 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 5,000
DMN6140L-13-52 Diodes Incorporated DMN6140L-13-52 0.0462
RFQ
 ECAD 8898 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN6140 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 31-DMN6140L-13-52 EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 60 V 1.6a (TA) 4.5V, 10V 140mohm @ 1.8a, 10V 3V @ 250 µA 8.6 NC @ 10 V ± 20V 315 pf @ 40 V - 700MW (TA)
AZ23C3V6-7-F Diodes Incorporated AZ23C3V6-7-F 0.3500
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C3V6 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 3.6 V 95 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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