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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
BZT52C36T-7 Diodes Incorporated BZT52C36T-7 0.0432
RFQ
 ECAD 2359 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.56% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52 300 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 25.2 V 36 V 90 ohmios
DMN12M8UCA10-7 Diodes Incorporated Dmn12m8uca10-7 0.7000
RFQ
 ECAD 1475 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 10-SMD, sin Plomo DMN12 Mosfet (Óxido de metal) 1.4w X4-DSN3015-10 descascar 31-DMN12M8uca10-7 EAR99 8541.21.0095 5,000 2 canales (dual) Drenaje Común 12V 25A (TA) 2.8mohm @ 6a, 4.5V 1.4V @ 1.11MA 36.4nc @ 4V 2504pf @ 10V Estándar
BZX84C36S-7 Diodes Incorporated BZX84C36S-7 0.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados * Cinta de Corte (CT) Activo BZX84 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1034-BZX84C36S-7DKR EAR99 8541.10.0050 3.000
DMP10H4D2S-13 Diodes Incorporated DMP10H4D2S-13 0.0766
RFQ
 ECAD 8841 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP10 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMP10H4D2S-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 100 V 270MA (TA) 4V, 10V 4.2ohm @ 500 mA, 10V 3V @ 250 µA 1.8 NC @ 10 V ± 20V 87 pf @ 25 V - 380MW (TA)
DMT8030LFDF-7 Diodes Incorporated DMT8030LFDF-7 0.2915
RFQ
 ECAD 6806 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT8030LFDF-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 80 V 7.5a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA 10.4 NC @ 10 V ± 20V 641 pf @ 25 V - 1.2W (TA)
DMT3020LFDB-13 Diodes Incorporated DMT3020LFDB-13 0.1948
RFQ
 ECAD 2005 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMT3020 Mosfet (Óxido de metal) 700MW U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 30V 7.7a (TA) 20mohm @ 9a, 10v 3V @ 250 µA 7NC @ 10V 393pf @ 15V -
DMN3023L-13 Diodes Incorporated DMN3023L-13 0.0930
RFQ
 ECAD 8065 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3023 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN3023L-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 6.2a (TA) 2.5V, 10V 25mohm @ 4a, 10v 1.8V @ 250 µA 18.4 NC @ 10 V ± 20V 873 pf @ 15 V - 900MW (TA)
SBR1A30T5-7 Diodes Incorporated SBR1A30T5-7 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-79, SOD-523 SBR1A30 Super Barrera Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 570 MV @ 1 A 15 ns 200 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 95pf @ 1v, 1 MHz
DMN3032LFDB-7 Diodes Incorporated Dmn3032lfdb-7 0.4000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN3032 Mosfet (Óxido de metal) 1W U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 6.2a 30mohm @ 5.8a, 10V 2V @ 250 µA 10.6nc @ 10V 500pf @ 15V -
DZ23C8V2-7 Diodes Incorporated DZ23C8V2-7 -
RFQ
 ECAD 4838 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos DZ23C8V2 300 MW SOT-23F descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Cátodo Común 8.2 V 7 ohmios
ZXTC2045E6QTA Diodes Incorporated Zxtc2045e6qta 0.2809
RFQ
 ECAD 4095 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 ZXTC2045 700MW Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30V 1.5a 20NA (ICBO) NPN, PNP 375mv @ 15 mA, 750 mA 180 @ 100mA, 2V 265MHz, 195MHz
B330A-13-F Diodes Incorporated B330A-13-F 0.5200
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA B330 Schottky SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 3 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
FMMV105GTA Diodes Incorporated Fmmv105gta -
RFQ
 ECAD 3879 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FMMV105G Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 2.8pf @ 25V, 1 MHz Soltero 30 V 6 C3/C25 350 @ 3V, 50MHz
S1U50700A Diodes Incorporated S1U50700A 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) S1U50700 Un 92 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2,000 5 Ma 700 V 1 A 800 MV 10A @ 60Hz 50 µA 1.7 V 10 µA Puerta sensible
SBRT05U20LP-7B Diodes Incorporated SBRT05U20LP-7B -
RFQ
 ECAD 3907 0.00000000 Diodos incorporados Trenchsbr® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 0402 (1006 Métrica) SBRT05 Super Barrera X1-DFN1006-2 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 390 MV @ 500 Ma 6 ns 50 µA @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C 500mA 14pf @ 20V, 1 MHz
S1JB-13-F Diodes Incorporated S1JB-13-F 0.3400
RFQ
 ECAD 201 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB S1J Estándar SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
DMN65D8LV-13 Diodes Incorporated DMN65D8LV-13 0.0496
RFQ
 ECAD 3115 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN65 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 - Alcanzar sin afectado 31-DMN65D8LV-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 310MA (TA) 5V, 10V 3OHM @ 115MA, 10V 2V @ 250 µA 0.87 NC @ 10 V ± 20V 22 pf @ 25 V - 370MW (TA)
S1VM02600A Diodes Incorporated S1VM02600A -
RFQ
 ECAD 1103 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) S1VM02600 Un 92 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2,000 5 Ma 600 V 1.5 A 800 MV 15A @ 60Hz 200 µA 1.7 V 10 µA Puerta sensible
DMT10H009SPS-13 Diodes Incorporated DMT10H009SPS-13 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 14a (TA), 80a (TC) 10V 8.5mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 2085 pf @ 50 V - 1.3W (TA)
DMT3009UDT-7 Diodes Incorporated DMT3009UDT-7 0.3304
RFQ
 ECAD 2797 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn DMT3009 Mosfet (Óxido de metal) 1.1W (TA), 16W (TC) V-DFN3030-8 (TUPO KS) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT3009UDT-7TR EAR99 8541.29.0095 1.500 2 Fuente Común de Canal N (Dual) 30V 10.6a (TA), 30a (TC) 11.1mohm @ 11a, 10v 1.8V @ 250 µA 14.6nc @ 10V 894pf @ 15V -
DDTC114EE-7-F Diodes Incorporated DDTC114EE-7-F 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-523 Ddtc114 150 MW SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
BZT52C12TQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C12TQ-7-F 0.2700
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.4% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52 300 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 12 V 25 ohmios
DMN3730UFB4-7B Diodes Incorporated DMN3730UFB4-7B 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN3730 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN1006-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 750 mA (TA) 1.8V, 4.5V 460mohm @ 200Ma, 4.5V 950MV @ 250 µA 1.6 NC @ 4.5 V ± 8V 64.3 pf @ 25 V - 470MW (TA)
DMP2900UWQ-13 Diodes Incorporated DMP2900UWQ-13 0.0500
RFQ
 ECAD 8772 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMP2900UWQ-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 20 V 600 mA (TA) 1.8V, 4.5V 750mohm @ 430mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.7 pc @ 4.5 V ± 6V 49 pf @ 16 V - 300MW
DMT47M2LDVQ-7 Diodes Incorporated DMT47M2LDVQ-7 1.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT47 Mosfet (Óxido de metal) 2.34W (TA), 14.8W (TC) PowerDI3333-8 (TUPO UXC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 2 Canal N (Dual) 40V 11.9a (TA), 30.2a (TC) 10.8mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 250 µA 14nc @ 10V 891pf @ 20V -
ZLLS500TA-79 Diodes Incorporated ZLLS500TA-79 -
RFQ
 ECAD 9965 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Schottky Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-zlls500ta-79tr EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 530 MV @ 500 Ma 3 ns 10 µA @ 30 V 150 ° C 700mA 16pf @ 30V, 1 MHz
DDTC114YCAQ-13-F Diodes Incorporated Ddtc114ycaq-13-f 0.0388
RFQ
 ECAD 9985 0.00000000 Diodos incorporados DDTC (Serie R1 ≠ R2) CA Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtc114 200 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DDTC114YCAQ-13-FTR EAR99 8541.21.0075 10,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 5MA, 5V 250 MHz 10 kohms 47 kohms
DMP1555UFA-7B Diodes Incorporated Dmp155555ufa-7b 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMP1555 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN0806-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 12 V 200MA (TA) 1.5V, 4.5V 800MOHM @ 200MA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.84 NC @ 4.5 V ± 8V 55.4 pf @ 10 V - 360MW (TA)
MMBZ5239B-7-G Diodes Incorporated MMBZ5239B-7-G -
RFQ
 ECAD 5607 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MMBZ5239B-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3.000
BAS16HLPQ-7B Diodes Incorporated BAS16HLPQ-7B 0.3500
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0402 (1006 Métrica) BAS16 Estándar X1-DFN1006-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 500 na @ 80 V -65 ° C ~ 150 ° C 215 Ma 1.5pf @ 0v, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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