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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Max Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia @ if, f Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
MMBD5004S-7 Diodes Incorporated MMBD5004S-7 0.4400
RFQ
 ECAD 8457 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD5004 Estándar Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 350 V 300 mA (DC) 1.275 v @ 200 ma 50 ns 150 na @ 240 V -55 ° C ~ 150 ° C
DMN4034SSS-13 Diodes Incorporated DMN4034SSS-13 0.7100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMN4034 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 5.4a (TA) 4.5V, 10V 34mohm @ 6a, 10v 3V @ 250 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 453 pf @ 20 V - 1.56W (TA)
SBRT30A60CTFP Diodes Incorporated SBRT30A60CTFP -
RFQ
 ECAD 3021 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SBRT30 Super Barrera ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados SBRT30A60CTFPDI EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 15A 560 MV @ 15 A 400 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
DMN95H8D5HCTI Diodes Incorporated DMN95H8D5HCTI 1.2500
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA DMN95 Mosfet (Óxido de metal) ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 950 V 2.5A (TC) 10V 7ohm @ 1a, 10v 5V @ 250 µA 7.9 NC @ 10 V ± 30V 470 pf @ 25 V - 30W (TC)
DMN3115UDM-7 Diodes Incorporated DMN3115UDM-7 -
RFQ
 ECAD 4320 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 DMN3115 Mosfet (Óxido de metal) Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 3.2a (TA) 1.5V, 4.5V 60mohm @ 6a, 4.5V 1V @ 250 µA ± 8V 476 pf @ 15 V - 900MW (TA)
SBL1650PT Diodes Incorporated SBL1650PT -
RFQ
 ECAD 2901 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 SBL1650 Schottky Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 16A 700 MV @ 8 A 500 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C
DMP2066LVT-13 Diodes Incorporated DMP2066LVT-13 -
RFQ
 ECAD 9118 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMP2066 Mosfet (Óxido de metal) TSOT-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMP2066LVT-13DITR EAR99 8541.29.0095 10,000 Canal P 20 V 4.5a (TA) 2.5V, 4.5V 45mohm @ 4.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 14.4 NC @ 4.5 V ± 8V 1496 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
BAV99Q-7-F Diodes Incorporated BAV99Q-7-F 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAV99 Estándar Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 75 V 300 mA (DC) 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 2.5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5238BTS-7-F Diodes Incorporated MMBZ5238BTS-7-F 0.1300
RFQ
 ECAD 3988 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5238 200 MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 3 Independientes 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 6.5 V 8.7 V 8 ohmios
MMSZ5258B-7-F Diodes Incorporated MMSZ5258B-7-F 0.2100
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5258 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 27 V 36 V 70 ohmios
BAS21TW-7 Diodes Incorporated BAS21TW-7 0.3800
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BAS21 Estándar Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 3 Independientes 250 V 200MA (DC) 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C
RS1A-13 Diodes Incorporated RS1A-13 -
RFQ
 ECAD 4832 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA RS1A Estándar SMA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
1N5711WS-7-F Diodes Incorporated 1N5711WS-7-F 0.4000
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 1N5711 Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 15 Ma 150 MW 2pf @ 0V, 1 MHz Schottky - Single 70V -
DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated DMP3085LSD-13 0.3700
RFQ
 ECAD 298 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMP3085 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 30V 3.9a 70mohm @ 5.3a, 10v 3V @ 250 µA 11NC @ 10V 563pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
SBR02U100LPQ-7B Diodes Incorporated SBR02U100LPQ-7B 0.1519
RFQ
 ECAD 2912 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0402 (1006 Métrica) SBR02 Super Barrera X1-DFN1006-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 800 MV @ 200 Ma 1 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C 250 Ma -
DMP3010LK3Q-13 Diodes Incorporated DMP3010LK3Q-13 0.9100
RFQ
 ECAD 9755 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMP3010 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 17a (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 10a, 10v 2.1V @ 250 µA 59.2 NC @ 4.5 V ± 20V 6234 pf @ 15 V - 1.7w (TA)
BZT52C3V0S-7-F Diodes Incorporated BZT52C3V0S-7-F 0.3400
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 10 µA @ 1 V 3 V 95 ohmios
T1M5F600AL Diodes Incorporated T1m5f600al 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo T1M5F600 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2,000
SBR40U60CTB-13 Diodes Incorporated SBR40U60CTB-13 -
RFQ
 ECAD 8367 0.00000000 Diodos incorporados SBR® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SBR40 Super Barrera To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 20A 600 MV @ 20 A 500 µA @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5236BS-7-F Diodes Incorporated MMSZ5236BS-7-F 0.2600
RFQ
 ECAD 94 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 MMSZ5236 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 6 V 7.5 V 6 ohmios
S5BC-13-F Diodes Incorporated S5BC-13-F 0.4900
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC S5B Estándar SMC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.15 v @ 5 a 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 5A 40pf @ 4V, 1 MHz
DZT853-13 Diodes Incorporated DZT853-13 -
RFQ
 ECAD 4939 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA DZT853 1 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 100 V 6 A 10NA (ICBO) NPN 340mv @ 500 mA, 5a 100 @ 2a, 2v 130MHz
BZT52C5V6S-7-F-79 Diodes Incorporated BZT52C5V6S-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 5671 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto BZT52 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BZT52C5V6S-7-F-79DI EAR99 8541.10.0050 3.000
PR3005G-T Diodes Incorporated PR3005G-T -
RFQ
 ECAD 5508 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1.200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 3 A 250 ns 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1 MHz
DZT591C-13 Diodes Incorporated DZT591C-13 -
RFQ
 ECAD 1159 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA DZT591 1 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 60 V 1 A 100na PNP 600mv @ 100 mm, 1a 100 @ 500 mA, 5V 150MHz
PR1002-T Diodes Incorporated PR1002-T -
RFQ
 ECAD 9670 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial PR1002 Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
DMP10H400SEQ-13 Diodes Incorporated DMP10H400SEQ-13 0.6900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA DMP10 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 100 V 2.3a (TA), 6a (TC) 4.5V, 10V 250mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 17.5 NC @ 10 V ± 20V 1239 pf @ 25 V - 2W (TA), 13.7W (TC)
B150BE-13 Diodes Incorporated B150BE-13 -
RFQ
 ECAD 7651 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AA, SMB B150 Schottky SMB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 650 MV @ 1 A 100 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 45pf @ 4V, 1MHz
MBRM5100-13-F Diodes Incorporated MBRM5100-13-F -
RFQ
 ECAD 3346 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie PowerMite®3 MBRM5100 Schottky Powermit 3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 810 MV @ 5 A 200 µA @ 100 V -65 ° C ~ 125 ° C 5A -
DMN2005LP4K-7-52 Diodes Incorporated DMN2005LP4K-7-52 0.1002
RFQ
 ECAD 4414 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN2005 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN1006-3 descascar 31-DMN2005LP4K-7-52 EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 300 mA (TA) 1.5V, 4V 1.5ohm @ 10mA, 4V 900mV @ 100 µA ± 10V 37.1 pf @ 10 V - 400MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

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AD9208BBPZ-3000

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