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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DXTN22040DFG-7 Diodes Incorporated DXTN22040DFG-7 0.6400
RFQ
 ECAD 2085 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn 1.1 W PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 40 V 2 A 50NA NPN 600mv @ 300mA, 3A 300 @ 500 mA, 2V 198MHz
DMTH15H017SPS-13 Diodes Incorporated DMTH15H017SPS-13 0.6125
RFQ
 ECAD 7792 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH15 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH15H017SPS-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 150 V 11a (TA), 61a (TC) 8V, 10V 19mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 2344 pf @ 75 V - 1.5W (TA), 107W (TC)
FZT1051ATA Diodes Incorporated FZT1051ATA 0.8100
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FZT1051 2.5 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 40 V 5 A 10NA NPN 340mv @ 100 mm, 5a 270 @ 1a, 2v 155MHz
DFLS1150Q-7 Diodes Incorporated DFLS1150Q-7 0.5600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie PowerDI®123 DFLS1150 Schottky PowerDi ™ 123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 820 MV @ 1 A -55 ° C ~ 175 ° C 1A 28pf @ 5V, 1 MHz
DSC08065FP Diodes Incorporated DSC08065FP 4.6350
RFQ
 ECAD 6394 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paquete completo, Pestaña aislada DSC08 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY ITO-220AC (TUPO WX) descascar Alcanzar sin afectado 31-DSC08065FP EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.7 V @ 8 A 0 ns 230 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A 295pf @ 100mv, 1 MHz
ZXM66N03N8TA Diodes Incorporated Zxm66n03n8ta -
RFQ
 ECAD 9602 0.00000000 Diodos incorporados - Digi-Reel® Obsoleto Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 9a (TA) 15mohm @ 7.3a, 10v 1V @ 250 µA -
B245BE-13 Diodes Incorporated B245BE-13 -
RFQ
 ECAD 7788 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AA, SMB B245 Schottky SMB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 500 MV @ 2 A 200 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 93pf @ 4V, 1MHz
ZTX948STZ Diodes Incorporated Ztx948stz 0.4970
RFQ
 ECAD 5837 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta de Corte (CT) Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-línea-3, clientes potenciales formados ZTX948 1.2 W Línea electálica (compatible con 92) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 2,000 20 V 4.5 A 50NA (ICBO) PNP 310MV @ 300 Ma, 5A 100 @ 1a, 1v 80MHz
ZVN4424ASTOA Diodes Incorporated Zvn4424astoa -
RFQ
 ECAD 5815 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 240 V 260MA (TA) 2.5V, 10V 5.5ohm @ 500 mA, 10V 1.8V @ 1MA ± 40V 200 pf @ 25 V - 750MW (TA)
ZVN4306GVTC Diodes Incorporated ZVN4306GVTC -
RFQ
 ECAD 4898 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 V 2.1a (TA) 5V, 10V 330mohm @ 3a, 10v 3V @ 1MA ± 20V 350 pf @ 25 V - 3W (TA)
FZT948TA Diodes Incorporated Fzt948ta 0.9900
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FZT948 3 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 20 V 6 A 50NA (ICBO) PNP 450mv @ 250 Ma, 6a 100 @ 1a, 1v 80MHz
DDZ9698Q-13 Diodes Incorporated DDZ9698Q-13 -
RFQ
 ECAD 4226 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 DDZ9698 500 MW SOD-123 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DDZ9698Q-13TR EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 8.4 V 11 V
DMN4800LSSQ-13 Diodes Incorporated DMN4800LSSQ-13 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMN4800 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 8.6a (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 9a, 10v 1.6V @ 250 µA 8.7 NC @ 5 V ± 25V 798 pf @ 10 V - 1.46W (TA)
SBR3U60P5Q-13 Diodes Incorporated SBR3U60P5Q-13 0.1776
RFQ
 ECAD 9265 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 SBR3U60 Super Barrera Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 60 V 620 MV @ 3 A 100 µA @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
DMN2008LFU-13 Diodes Incorporated DMN2008LFU-13 0.2381
RFQ
 ECAD 7875 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Ufdfn Pad Expunesta DMN2008 Mosfet (Óxido de metal) 1W U-DFN2030-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 14.5a 5.4mohm @ 5.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 42.3nc @ 10V 1418pf @ 10V -
DMN3009LFVW-13 Diodes Incorporated DMN3009LFVW-13 0.2200
RFQ
 ECAD 3060 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn DMN3009 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 60A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 15 V - 1W (TA)
SDT3045VCT Diodes Incorporated SDT3045VCT 0.6976
RFQ
 ECAD 8587 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SDT3045 Schottky Un 220-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-SDT3045VCT EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 500 MV @ 15 A 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
DDTC124XE-7 Diodes Incorporated Ddtc124xe-7 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Activo Ddtc124 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
DDTC143ZCA-7-F Diodes Incorporated DDTC143ZCA-7-F 0.1900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC143 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 47 kohms
MMBZ5221B-7 Diodes Incorporated MMBZ5221B-7 -
RFQ
 ECAD 2279 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5221B 350 MW Sot-23-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 µA @ 1 V 2.4 V 30 ohmios
BCM857BV-7 Diodes Incorporated BCM857BV-7 0.4400
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 BCM857 357MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45V 100mA 15NA (ICBO) 2 PNP (dual) 400mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 175MHz
FMMT625QTA Diodes Incorporated Fmmt625qta 0.2193
RFQ
 ECAD 6471 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 625 MW Sot-23-3 - Alcanzar sin afectado 31-FMMT625QTATR EAR99 8541.21.0075 3.000 150 V 1 A 100na NPN 300mv @ 50 mm, 1a 300 @ 200MA, 10V 135MHz
B350B-13-F Diodes Incorporated B350B-13-F 0.5500
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB B350 Schottky SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 3 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
MMST6427-7 Diodes Incorporated MMST6427-7 -
RFQ
 ECAD 7700 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 MMST6427 200 MW Sot-323 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 40 V 500 mA 1 µA NPN - Darlington 1.5V @ 500 µA, 500 mA 20000 @ 100MA, 5V -
DMT10H015LPS-13 Diodes Incorporated DMT10H015LPS-13 1.0500
RFQ
 ECAD 4977 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 7.3a (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 20a, 10v 3.5V @ 250 µA 33.3 NC @ 10 V ± 20V 1871 pf @ 50 V - 1.3W (TA), 46W (TC)
PD3S130L-7-2477 Diodes Incorporated PD3S130L-7-2477 -
RFQ
 ECAD 5375 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela La Última Vez Que Compre Montaje en superficie PowerDi ™ 323 Schottky PowerDi ™ 323 - 31-PD3S130L-7-2477 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 420 MV @ 1 A 1.5 Ma @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C 1A 40pf @ 10V, 1 MHz
BSN20Q-7 Diodes Incorporated BSN20Q-7 0.4200
RFQ
 ECAD 683 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSN20 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50 V 500 mA (TA) 4.5V, 10V 1.8ohm @ 220 mm, 10v 1.5V @ 250 µA 0.8 NC @ 10 V ± 20V 40 pf @ 10 V - 600MW (TA), 920MW (TC)
ZXTP718MATA Diodes Incorporated Zxtp718mata 0.5300
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UDFN Zxtp718 3 W DFN2020B-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 20 V 3.5 A 25NA PNP 300mv @ 350 mm, 3.5a 150 @ 2a, 2v 180MHz
1N5817M-13 Diodes Incorporated 1N5817M-13 -
RFQ
 ECAD 7196 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N5817 Schottky Asignar descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 450 MV @ 1 A 1 ma @ 20 V -60 ° C ~ 125 ° C 1A -
DMTH4008LFDFWQ-7 Diodes Incorporated DMTH4008LFDFWQ-7 0.6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMTH4008 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (SWP) (TUPO F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 40 V 11.6a (TA) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 14.2 NC @ 10 V ± 20V 1030 pf @ 20 V - 990MW (TA)
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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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