SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
1N4004L-T Diodes Incorporated 1N4004L-T -
RFQ
ECAD 6330 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4004 Estándar Do-41 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados In4004l-t EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
DF1502S-T Diodes Incorporated DF1502S-T 0.5100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DF1502 Estándar DF-S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1.500 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 200 V 1.5 A Fase única 200 V
DGTD65T40S2PT Diodes Incorporated DGTD65T40S2PT -
RFQ
ECAD 8658 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 DGTD65 Estándar 230 W To-247 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 450 400V, 40a, 10ohm, 15V 60 ns Parada de Campo 650 V 80 A 120 A 2.3V @ 15V, 40A 500 µJ (Encendido), 400 µJ (apaguado) 60 NC 6ns/55ns
ADTA144ECAQ-7 Diodes Incorporated ADTA144ECAQ-7 0.0337
RFQ
ECAD 6367 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ADTA144 310 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA - PNP - Pre -Sesgado - - 250 MHz 47 kohms 47 kohms
ZXMN3F31DN8TA Diodes Incorporated Zxmn3f31dn8ta 0.8700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMN3 Mosfet (Óxido de metal) 1.8w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 2 Canal N (Dual) 30V 5.7a 24mohm @ 7a, 10v 3V @ 250 µA 12.9nc @ 10V 608pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
2DA1774QLP-7B Diodes Incorporated 2DA1774QLP-7B 0.0775
RFQ
ECAD 6809 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN 2DA1774 250 MW X1-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 40 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 200 MV a 5 mm, 50 Ma 120 @ 1 MMA, 6V 100MHz
DDZ9691T-7 Diodes Incorporated DDZ9691T-7 0.4500
RFQ
ECAD 9595 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 DDZ9691 150 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 5 V 6.2 V
ZV932V2TA Diodes Incorporated ZV932V2TA 0.6900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000
DMP1046UFDB-13 Diodes Incorporated DMP1046UFDB-13 0.4800
RFQ
ECAD 4124 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMP1046 Mosfet (Óxido de metal) 1.4w U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 2 Canal P (Dual) 12V 3.8a 61mohm @ 3.6a, 4.5V 1V @ 250 µA 17.9nc @ 8V 915pf @ 6V -
MBR1060CT Diodes Incorporated MBR1060CT -
RFQ
ECAD 1716 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 MBR106 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 10A 950 MV @ 10 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
DFLS160-7-52 Diodes Incorporated DFLS160-7-52 0.0882
RFQ
ECAD 7067 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo Montaje en superficie PowerDI®123 DFLS160 Schottky PowerDi ™ 123 descascar 31-DFLS160-7-52 EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 500 MV @ 1 A 100 µA @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 67pf @ 10V, 1 MHz
DMT32M4LPSW-13 Diodes Incorporated DMT32M4LPSW-13 0.4693
RFQ
ECAD 3381 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn DMT32 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo UX) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT32M4LPSW-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 100A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 20a, 10v 3V @ 1MA 68 NC @ 10 V ± 20V 3944 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 83W (TC)
FZT491TC Diodes Incorporated FZT491TC -
RFQ
ECAD 3273 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FZT491 2 W SOT-223-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 4.000 60 V 1 A 100na NPN 500mv @ 100 mm, 1a 100 @ 500 mA, 5V 150MHz
ZVP0545GTA Diodes Incorporated ZVP0545GTA 0.8800
RFQ
ECAD 5386 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZVP0545 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 450 V 75MA (TA) 10V 150ohm @ 50 mm, 10v 4.5V @ 1MA ± 20V 120 pf @ 25 V - 2W (TA)
MMBZ5226BTS-7-G Diodes Incorporated MMBZ5226BTS-7-G -
RFQ
ECAD 8971 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MMBZ5226BTS-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3.000
SXTA42TA Diodes Incorporated Sxta42ta 0.4600
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA SXTA42 1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 300 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2 mm, 20 mm 40 @ 30mA, 10V 50MHz
DMN3051LDM-7 Diodes Incorporated Dmn3051ldm-7 0.4100
RFQ
ECAD 3149 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 DMN3051 Mosfet (Óxido de metal) Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 4A (TA) 4.5V, 10V 38mohm @ 6a, 10v 2.2V @ 250 µA 8.6 NC @ 10 V ± 20V 424 pf @ 5 V - 900MW (TA)
B140BQ-13-F Diodes Incorporated B140BQ-13-F 0.4000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB B140 Schottky SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 1 A 500 µA @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
B0540W-7 Diodes Incorporated B0540W-7 -
RFQ
ECAD 1382 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SOD-123 B0540 Schottky SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 510 MV @ 500 Ma 20 µA @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C 500mA 170pf @ 0V, 1 MHz
DMC3036LSD-13 Diodes Incorporated DMC3036LSD-13 -
RFQ
ECAD 4890 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMC3036 Mosfet (Óxido de metal) 1.5w 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 30V 5a, 4.5a 36mohm @ 6.9a, 10v 2.1V @ 250 µA 7.9nc @ 10V 431pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
BCP5616TTA Diodes Incorporated Bcp5616tta 0.4000
RFQ
ECAD 950 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BCP5616 2.5 W SOT-223-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 150MHz
DDC123JU-7-F Diodes Incorporated DDC123JU-7-F 0.4100
RFQ
ECAD 44 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDC123 200MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2 kohms 47 kohms
BAV23A-7 Diodes Incorporated BAV23A-7 -
RFQ
ECAD 9087 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAV23 Estándar Sot-23-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 400 mA (DC) 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C
LBN150B01-7 Diodes Incorporated LBN150B01-7 -
RFQ
ECAD 2670 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 LBN150 300MW Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40V 200 MMA 50NA NPN, PNP 360mv @ 20 mm, 200 mmA / 500mv @ 20 mm, 200 mmA 30 @ 100mA, 1V / 32 @ 100 mA, 1V 250MHz
BCX38C Diodes Incorporated BCX38C 0.7700
RFQ
ECAD 3332 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BCX38 1 W Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 60 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.25V @ 8 Ma, 800 Ma 10000 @ 500 mA, 5V -
SBG2035CT-T-F Diodes Incorporated SBG2035CT-TF 1.3200
RFQ
ECAD 716 0.00000000 Diodos incorporados * Cinta de Corte (CT) Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 800
MBR4035PT Diodes Incorporated MBR4035PT -
RFQ
ECAD 7542 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 MBR4035PT Schottky Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados MBR4035PTDI EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 40A 700 MV @ 20 A 1 ma @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C
SF30HG-T Diodes Incorporated SF30HG-T -
RFQ
ECAD 7651 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1.200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.5 V @ 3 A 50 ns 5 µA @ 500 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZT52C10SQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C10SQ-7-F 0.0359
RFQ
ECAD 7837 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-BZT52C10SQ-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 7 V 10 V 20 ohmios
DDTA123JKA-7-F Diodes Incorporated DDTA123JKA-7-F -
RFQ
ECAD 3620 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddta123 200 MW SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 47 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock