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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DDZX13B-13 Diodes Incorporated DDZX13B-13 0.0321
RFQ
 ECAD 5130 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DDZX13 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DDZX13B-13DI EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 10 V 13 V 14 ohmios
BZT52C20-13 Diodes Incorporated BZT52C20-13 -
RFQ
 ECAD 5619 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 14 V 20 V 55 ohmios
MMBD4448HSDW-7 Diodes Incorporated MMBD4448HSDW-7 -
RFQ
 ECAD 8078 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Mmbd4448hs Estándar Sot-363 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 2 Pares 80 V 250 Ma 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 100 na @ 70 V -65 ° C ~ 150 ° C
FLLD258TA Diodes Incorporated FLLD258TA -
RFQ
 ECAD 7225 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FLLD258 Estándar Sot-23-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 250 Ma 1.4 v @ 200 ma 400 ns 3 na @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
DMN2024UFU-7 Diodes Incorporated DMN2024UFU-7 0.1832
RFQ
 ECAD 2440 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Ufdfn Pad Expunesta DMN2024 Mosfet (Óxido de metal) 810MW (TA) U-DFN2030-6 (TUPO B) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN2024UFU-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Fuente Común de Canal N (Dual) 20V 7.5a (TA), 21a (TC) 20.2mohm @ 6.5a, 4.5V 950MV @ 250 µA 14.8nc @ 10V 647pf @ 10V -
DTM3A25P20NFDB-7 Diodes Incorporated Dtm3a25p20nfdb-7 0.4100
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo 25V PNP, 20 Canales N Propósito general Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición Dtm3a25 U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 3A PNP, N-Canal
DDTC124XCA-7-F Diodes Incorporated DDTC124XCA-7-F 0.0386
RFQ
 ECAD 8893 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtc124 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 250 MHz 22 kohms 47 kohms
MJD32CQ-13 Diodes Incorporated MJD32CQ-13 0.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD32 15 W Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 100 V 3 A 1 µA PNP 1.2V @ 375MA, 3A 10 @ 3a, 4v 3MHz
DMT3020LSDQ-13 Diodes Incorporated DMT3020LSDQ-13 0.6400
RFQ
 ECAD 7166 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMT3020 Mosfet (Óxido de metal) 1W (TA) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 16a (TC) 20mohm @ 9a, 10v 2.5V @ 250 µA 7NC @ 10V 393pf @ 15V -
SD103AW-7-F Diodes Incorporated SD103AW-7-F 0.4000
RFQ
 ECAD 172 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 SD103 Schottky SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 600 MV @ 200 Ma 10 ns 5 µA @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C 350 mm 28pf @ 0v, 1 MHz
DMNH15H110SK3-13 Diodes Incorporated DMNH15H110SK3-13 -
RFQ
 ECAD 3794 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMNH15 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMNH15H110SK3-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 150 V 18a (TC) 6V, 10V 97mohm @ 2a, 10v 4V @ 250 µA 25.5 NC @ 10 V ± 20V 987 pf @ 75 V - 2W (TA)
SDT3A45SAF-13 Diodes Incorporated SDT3A45SAF-13 0.4500
RFQ
 ECAD 6164 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Flat Leads Sdt3a45 Schottky SMAF descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 480 MV @ 3 A 280 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
SR502-T-F Diodes Incorporated SR502-TF -
RFQ
 ECAD 4009 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR502 Schottky Do-201ad descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 5 A 1 ma @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C 5A -
SDMP0340LAT-7-F Diodes Incorporated SDMP0340LAT-7-F 0.4500
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-523 Sdmg0340 Schottky SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 40 V 30 mA (DC) 370 MV @ 1 MA 1 µA @ 10 V -40 ° C ~ 125 ° C
DDTC124TCA-7-F Diodes Incorporated DDTC124TCA-7-F 0.0386
RFQ
 ECAD 3718 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtc124 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 22 kohms
ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated Zxmn3a01fta 0.4600
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 1.8a (TA) 4.5V, 10V 120mohm @ 2.5a, 10v 1V @ 250 µA 3.9 NC @ 10 V ± 20V 190 pf @ 25 V - 625MW (TA)
DMT15H017LPS-13 Diodes Incorporated DMT15H017LPS-13 1.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT15 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 150 V 9.4a (TA), 58a (TC) 4.5V, 10V 17.5mohm @ 20a, 10v 2.6V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 20V 3369 pf @ 75 V - 1.3W (TA)
SDM1100LP-7-2477 Diodes Incorporated SDM1100LP-7-2477 -
RFQ
 ECAD 8973 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela La Última Vez Que Compre Montaje en superficie 2-udfn Schottky U-DFN2020-2 - 31-SDM1100LP-7-2477 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 770 MV @ 1 A 350 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 40pf @ 5V, 1 MHz
DMNH4006SK3Q-13 Diodes Incorporated DMNH4006SK3Q-13 0.5880
RFQ
 ECAD 2595 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMNH4006 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 20A (TA), 140A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 86a, 10v 4V @ 250 µA 51 NC @ 10 V ± 20V 2280 pf @ 25 V - 2.2W (TA)
ZVN4206GVTC Diodes Incorporated ZVN4206GVTC -
RFQ
 ECAD 7802 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 V 1a (TA) 5V, 10V 1ohm @ 1.5a, 10v 3V @ 1MA ± 20V 100 pf @ 25 V - 2W (TA)
DMN2015UFDE-7 Diodes Incorporated Dmn2015ufde-7 0.5200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerudfn DMN2015 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO E) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 10.5a (TA) 1.5V, 4.5V 11.6mohm @ 8.5a, 4.5V 1.1V @ 250 µA 45.6 NC @ 10 V ± 12V 1779 pf @ 10 V - 660MW (TA)
UG2002-T Diodes Incorporated UG2002-T -
RFQ
 ECAD 3864 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar Do-15 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 4.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 v @ 2 a 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 30pf @ 4V, 1 MHz
ZVN4306A Diodes Incorporated ZVN4306A 1.5800
RFQ
 ECAD 6786 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) ZVN4306 Mosfet (Óxido de metal) Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados ZVN4306A-NDR EAR99 8541.21.0095 4.000 N-canal 60 V 1.1a (TA) 5V, 10V 330mohm @ 3a, 10v 3V @ 1MA ± 20V 350 pf @ 25 V - 850MW (TA)
ZTX853 Diodes Incorporated ZTX853 1.0200
RFQ
 ECAD 4941 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 ZTX853 1.2 W Línea electálica (compatible con 92) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados ZTX853-NDR EAR99 8541.29.0075 4.000 100 V 4 A 50NA (ICBO) NPN 200 MV @ 400mA, 4A 100 @ 2a, 2v 130MHz
DMP4013LFG-7 Diodes Incorporated DMP4013LFG-7 0.9100
RFQ
 ECAD 102 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP4013 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 40 V 10.3a (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 68.6 NC @ 10 V ± 20V 3426 pf @ 20 V - 1W (TA)
BC846B-7-F Diodes Incorporated BC846B-7-F 0.1800
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 mA 15NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
FZT953TA Diodes Incorporated FZT953TA 0.9900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FZT953 3 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 100 V 5 A 50NA (ICBO) PNP 460mv @ 500 mA, 5A 100 @ 2a, 1v 120MHz
ZVP4424GTC Diodes Incorporated ZVP4424GTC -
RFQ
 ECAD 1913 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 240 V 480MA (TA) 3.5V, 10V 9ohm @ 200ma, 10v 2v @ 1 mapa ± 40V 200 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
ZXMN10A07FTC Diodes Incorporated Zxmn10a07ftc -
RFQ
 ECAD 1928 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 100 V 700 mA (TA) 6V, 10V 700mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250 µA 2.9 NC @ 10 V ± 20V 138 pf @ 50 V - 625MW (TA)
DSS8110Y-7 Diodes Incorporated DSS8110Y-7 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DSS8110 625 MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 100 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 200 MV @ 100 MAPA, 1A 100 @ 500 Ma, 10v 100MHz
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

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    Unidad de producto estándar

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