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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base de Emisor (R2)
ZXM64P02XTC Diodes Incorporated Zxm64p02xtc -
RFQ
 ECAD 4230 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-MSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 20 V 3.5a (TA) 2.7V, 4.5V 90mohm @ 2.4a, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 6.9 NC @ 4.5 V ± 12V 900 pf @ 15 V - 1.1W (TA)
ZXMP6A17GTA Diodes Incorporated Zxmp6a17gta 0.5900
RFQ
 ECAD 2824 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZXMP6A17 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 60 V 3a (TA) 4.5V, 10V 125mohm @ 2.2a, 10v 1V @ 250 µA 17.7 NC @ 10 V ± 20V 637 pf @ 30 V - 2W (TA)
MMBZ5240BS-7 Diodes Incorporated MMBZ5240BS-7 0.2500
RFQ
 ECAD 202 0.00000000 Diodos incorporados * Cinta de Corte (CT) Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1034-mmbz5240bs-7dkr EAR99 8541.10.0050 3.000
SDT15H50P5-7 Diodes Incorporated SDT15H50P5-7 0.2578
RFQ
 ECAD 5386 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 Schottky Powerdi ™ 5 descascar Alcanzar sin afectado 31-SDT15H50P5-7TR EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 470 MV @ 15 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A -
BZT52C10T-7 Diodes Incorporated BZT52C10T-7 0.2100
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52 300 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 200 na @ 7 V 10 V 20 ohmios
DMTH15H017SPS-13 Diodes Incorporated DMTH15H017SPS-13 0.6125
RFQ
 ECAD 7792 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH15 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH15H017SPS-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 150 V 11a (TA), 61a (TC) 8V, 10V 19mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 2344 pf @ 75 V - 1.5W (TA), 107W (TC)
US1M Diodes Incorporated US1M -
RFQ
 ECAD 2601 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA US1M Estándar SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-US1MTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
2DA2018-7 Diodes Incorporated 2DA2018-7 -
RFQ
 ECAD 4998 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 2DA2018 150 MW SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 12 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 250 mv @ 10 ma, 200 ma 270 @ 10mA, 2V 260MHz
DDZ9703-7 Diodes Incorporated DDZ9703-7 0.3400
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 DDZ9703 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 12.1 V 16 V
DMN1014UFDF-13 Diodes Incorporated DMN1014UFDF-13 0.0921
RFQ
 ECAD 2131 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN1014 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 12 V 8a (TA) 2.5V, 4.5V 16mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 250 µA 6.4 NC @ 4.5 V ± 8V 515 pf @ 6 V - 700MW (TA)
ZXT10N20DE6TC Diodes Incorporated ZXT10N20DE6TC -
RFQ
 ECAD 9772 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Zxt10n20d 1.1 W Sot-23-6 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 10,000 20 V 3.5 A 100na NPN 250mv @ 100 mm, 3.5a 200 @ 2a, 2v 140MHz
MBR5H150VPB-E1 Diodes Incorporated MBR5H150VPB-E1 -
RFQ
 ECAD 7441 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero DO-201AA, DO-27, AXIAL Schottky DO-2010 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 920 MV @ 5 A 8 µA @ 150 V 175 ° C (Máximo) 5A -
DMN7022LFG-7 Diodes Incorporated DMN7022LFG-7 0.7600
RFQ
 ECAD 6645 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN7022 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 75 V 7.8a (TA) 4.5V, 10V 22mohm @ 7.2a, 10v 3V @ 250 µA 56.5 NC @ 10 V ± 20V 2737 pf @ 35 V - 900MW (TA)
ZVP4424ZTA Diodes Incorporated ZVP4424ZTA 0.9000
RFQ
 ECAD 4779 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA ZVP4424 Mosfet (Óxido de metal) SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 240 V 200MA (TA) 3.5V, 10V 9ohm @ 200ma, 10v 2v @ 1 mapa ± 40V 200 pf @ 25 V - 1.5W (TA)
DMG4468LFG-7 Diodes Incorporated DMG4468LFG-7 0.3482
RFQ
 ECAD 5407 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powerudfn DMG4468 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN3030-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 7.62a (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 11.6a, 10v 2V @ 250 µA 18.85 NC @ 10 V ± 20V 867 pf @ 10 V - 990MW (TA)
DDTC114GKA-7-F Diodes Incorporated Ddtc114gka-7-f -
RFQ
 ECAD 4300 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtc114 200 MW SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 250 MHz 10 kohms
DMT6012LFDF-7 Diodes Incorporated DMT6012LFDF-7 0.2542
RFQ
 ECAD 9789 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMT6012 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 9.5a (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 8.5a, 10v 2.3V @ 250 µA 13.6 NC @ 10 V ± 20V 785 pf @ 30 V - 900MW (TA), 11W (TC)
B260AF-13 Diodes Incorporated B260AF-13 0.4600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads B260 Schottky SMAF descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 650 MV @ 2 A 200 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 80pf @ 4V, 1 MHz
BZX84C5V6-7-G Diodes Incorporated BZX84C5V6-7-G -
RFQ
 ECAD 9443 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto BZX84 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BZX84C5V6-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3.000
SBR20200CTFP Diodes Incorporated SBR20200CTFP 0.8926
RFQ
 ECAD 2707 0.00000000 Diodos incorporados SBR® Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SBR20200 Super Barrera ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados SBR20200CTFPDI EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 10A 980 MV @ 10 Ma 100 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C
AZ23C9V1-7-F Diodes Incorporated AZ23C9V1-7-F 0.4100
RFQ
 ECAD 9901 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C9V1 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 9.1 V 10 ohmios
DMTH4008LPS-13 Diodes Incorporated DMTH4008LPS-13 0.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH4008 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 14.4a (TA), 64.8a (TC) 5V, 10V 8.8mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 15.3 NC @ 10 V ± 20V 1088 pf @ 20 V - 2.99W (TA), 55.5W (TC)
ZXMP6A13GTA Diodes Incorporated Zxmp6a13gta 0.7400
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZXMP6A13 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 60 V 1.7a (TA) 4.5V, 10V 390mohm @ 900 mA, 10V 1V @ 250 µA 5.9 NC @ 10 V ± 20V 219 pf @ 30 V - 2W (TA)
SBG2040CT-T-F Diodes Incorporated SBG2040CT-TF -
RFQ
 ECAD 3200 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SBG2040CT Schottky To-263ab (d²pak) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 20A 550 MV @ 10 A 1 ma @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C
BZT585B9V1TQ-7 Diodes Incorporated BZT585B9V1TQ-7 0.0806
RFQ
 ECAD 3542 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT585 350 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BZT585B9V1TQ-7DI EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 500 na @ 6 V 9.1 V 10 ohmios
SBR02U100LPQ-7 Diodes Incorporated SBR02U100LPQ-7 0.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0402 (1006 Métrica) SBR02 Super Barrera X1-DFN1006-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 800 MV @ 200 Ma 1 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C 250 Ma -
SBL1650PT Diodes Incorporated SBL1650PT -
RFQ
 ECAD 2901 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 SBL1650 Schottky Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 16A 700 MV @ 8 A 500 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C
BAS20-7 Diodes Incorporated BAS20-7 -
RFQ
 ECAD 4379 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS20 Estándar Sot-23-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 150 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
DMT69M5LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMT69M5LFVWQ-7 0.3567
RFQ
 ECAD 7986 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT69M5LFVWQ-7TR EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 14.8a (TA), 40.6a (TC) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 13.5a, 10v 2.5V @ 250 µA 28.4 NC @ 10 V ± 20V 1406 pf @ 30 V - 2.74W (TA), 20.5W (TC)
BAS40DW-04-7 Diodes Incorporated BAS40DW-04-7 -
RFQ
 ECAD 8082 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAS40 Schottky Sot-363 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 2 Pares 40 V 200MA (DC) 1 V @ 40 Ma 5 ns 200 na @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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AD9208BBPZ-3000

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