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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
RS5KP5M-13 Diodes Incorporated Rs5kp5m-13 0.2693
RFQ
 ECAD 4669 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 Estándar Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-RS5KP5M-13TR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.2 v @ 5 a 500 ns 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 65pf @ 4V, 1 MHz
DMP31D1U-13 Diodes Incorporated DMP31D1U-13 0.0264
RFQ
 ECAD 3355 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMP31D1U-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 30 V 620 Ma (TA) 1.8V, 4.5V 1ohm @ 400mA, 4.5V 1.1V @ 250 µA 1.6 NC @ 8 V ± 8V 54 pf @ 15 V - 460MW (TA)
DMTH45M5LFVW-7 Diodes Incorporated DMTH45M5LFVW-7 0.2842
RFQ
 ECAD 5887 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMTH45M5LFVW-7TR EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 18a (TA), 71a (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 25A, 10V 2.3V @ 250 µA 13.9 NC @ 10 V ± 20V 978 pf @ 20 V - 3.5W (TA), 51W (TC)
SDT2U40CP3-7 Diodes Incorporated SDT2U40CP3-7 0.1892
RFQ
 ECAD 4563 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-DFN Schottky X3-DSN1406-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-SDT2U40CP3-7TR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 480 MV @ 2 A 150 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 180pf @ 4V, 1MHz
DSC08C065 Diodes Incorporated DSC08C065 3.4300
RFQ
 ECAD 1950 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO220AC (TUPO WX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DSC08C065 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 650 V 1.7 V @ 8 A 200 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A 272pf @ 100mv, 1 MHz
DMN62D2UQ-7 Diodes Incorporated DMN62D2UQ-7 0.0669
RFQ
 ECAD 7008 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMN62D2UQ-7TR EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 390MA (TA) 1.8V, 5V 2ohm @ 50 mm, 5V 1V @ 250 µA 0.8 NC @ 10 V ± 20V 41 pf @ 30 V - 500MW (TA)
DMP4026LSSQ-13 Diodes Incorporated DMP4026LSSQ-13 0.2597
RFQ
 ECAD 9360 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMP4026LSSQ-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 7.2a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 3a, 10v 1.8V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 2083 pf @ 20 V - 1.5W (TA)
DMP4026LSDQ-13 Diodes Incorporated DMP4026LSDQ-13 0.4078
RFQ
 ECAD 4354 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 1.3W (TA) 8-SO - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMP4026LSDQ-13TR 2.500 2 Canal P 40V 6.5a (TA) 25mohm @ 3a, 10v 1.8V @ 250 µA 45.8nc @ 10V 2064pf @ 20V Estándar
DSC10C065D1-13 Diodes Incorporated DSC10C065D1-13 3.9300
RFQ
 ECAD 2756 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-252 (TUPO WX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 650 V 1.7 V @ 10 A 230 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 348pf @ 100mv, 1 MHz
PDS1045Q-13 Diodes Incorporated PDS1045Q-13 0.3724
RFQ
 ECAD 5486 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 Schottky Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-PDS1045Q-13TR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 510 MV @ 10 A 600 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
PDS1045Q-13D Diodes Incorporated PDS1045Q-13D 0.3724
RFQ
 ECAD 8235 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 Schottky Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-PDS1045Q-13DTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 510 MV @ 10 A 600 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
DMP31D1U-7 Diodes Incorporated Dmp31d1u-7 0.1900
RFQ
 ECAD 8963 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 620 Ma (TA) 1.8V, 4.5V 1ohm @ 400mA, 4.5V 1.1V @ 250 µA 1.6 NC @ 8 V ± 8V 54 pf @ 15 V - 460MW (TA)
DMN16M8UCA6-7 Diodes Incorporated Dmn16m8uca6-7 0.2928
RFQ
 ECAD 3873 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo Mosfet (Óxido de metal) 1.1w X3-DSN2718-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMN16M8UCA6-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canales (dual) Drenaje Común 12V 15.5a (TA) 5.6mohm @ 3a, 4.5V 1.3V @ 1MA 45.4nc @ 6V 2333pf @ 6V Estándar
DMC2400UV Diodes Incorporated Dmc2400uv -
RFQ
 ECAD 1276 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMC2400 Mosfet (Óxido de metal) 450MW (TA) SOT-563 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMC2400UV EAR99 8541.21.0095 1 N y p-canal complementario 20V 1.03A (TA), 700 mA (TA) 480mohm @ 200MA, 5V, 970MOHM @ 100MA, 5V 900MV @ 250 µA, 1V @ 250 µA 0.5nc @ 4.5V, 0.8nc @ 10V 37.1pf @ 10V, 46.1pf @ 10V -
DZ23C2V7-7-F Diodes Incorporated DZ23C2V7-7-F 0.4100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Cátodo Común 2.7 V 83 ohmios
ZXM62N03E6TA Diodes Incorporated Zxm62n03e6ta -
RFQ
 ECAD 9440 0.00000000 Diodos incorporados - Digi-Reel® Obsoleto Montaje en superficie Sot-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 3.2a (TA) 110mohm @ 2.2a, 10v 1V @ 250 µA 9.6 NC @ 10 V 380 pf @ 25 V -
DMN2004VK-7 Diodes Incorporated DMN2004VK-7 0.4300
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN2004 Mosfet (Óxido de metal) 250MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 540ma 550mohm @ 540 mm, 4.5V 1V @ 250 µA - 150pf @ 16V Puerta de Nivel Lógico
AZ23C6V2-7-F Diodes Incorporated AZ23C6V2-7-F 0.3800
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C6V2 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 6.2 V 10 ohmios
ZHCS400TC-52 Diodes Incorporated ZHCS400TC-52 0.1146
RFQ
 ECAD 9290 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 ZHCS400 Schottky Sod-323 descascar 31-ZHCS400TC-52 EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 400 Ma 40 µA @ 30 V - 1A 20pf @ 25V, 1 MHz
DMN3003LCA8-7 Diodes Incorporated DMN3003LCA8-7 -
RFQ
 ECAD 8371 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, sin Plomo DMN3003 Mosfet (Óxido de metal) 1.4w X2-TSN6025-8 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN3003LCA8-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canales (dual) Drenaje Común 30V 25A (TA) 2.6mohm @ 10a, 10v 2.2V @ 1MA 45.5nc @ 4.5V 3722pf @ 15V -
BZX84C36TS-7-F Diodes Incorporated BZX84C36TS-7-F -
RFQ
 ECAD 8505 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BZX84 200 MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 3 Independientes 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 25.2 V 36 V 90 ohmios
MMBZ5248BTS-7-F Diodes Incorporated MMBZ5248BTS-7-F 0.1300
RFQ
 ECAD 7154 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5248 200 MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 3 Independientes 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 14 V 18 V 21 ohmios
DSR8F600P Diodes Incorporated DSR8F600P -
RFQ
 ECAD 2555 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 DSR8F600 Estándar TO20AC (TUPO E) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 31-DSR8F600P EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 3.2 v @ 8 a 30 ns 20 µA @ 600 V 175 ° C (Máximo) 8A 22pf @ 10V, 1 MHz
GBU4005 Diodes Incorporated GBU4005 1.1900
RFQ
 ECAD 5611 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU4005 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 20 1 v @ 2 a 5 µA @ 50 V 4 A Fase única 50 V
DMP1022UWS-13 Diodes Incorporated DMP1022UWS-13 0.2818
RFQ
 ECAD 8132 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-vdfn DMP1022 Mosfet (Óxido de metal) V-DFN3020-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 12 V 7.2a (TA) 1.8V, 4.5V 18mohm @ 9a, 4.5V 1V @ 250 µA 30 NC @ 5 V ± 8V 2847 pf @ 4 V - 900MW (TA)
MMBZ5259BT-7-F Diodes Incorporated MMBZ5259BT-7-F 0.0736
RFQ
 ECAD 2750 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOT-523 MMBZ5259 150 MW SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 30 V 39 V 80 ohmios
DXTP07025BFGQ-7 Diodes Incorporated DXTP07025BFGQ-7 0.5700
RFQ
 ECAD 8406 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn 1.1 W PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 25 V 3 A 20NA (ICBO) PNP 400mv @ 300mA, 3A 100 @ 1a, 2v 160MHz
DMTH4M70SPGWQ-13 Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ-13 3.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-1235 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI8080-5 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 460a (TC) 10V 0.7mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 117.1 NC @ 10 V ± 20V 10053 pf @ 20 V - 5.6W (TA), 428W (TC)
DMTH45M5SFVW-7 Diodes Incorporated DMTH45M5SFVW-7 0.2842
RFQ
 ECAD 8192 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMTH45M5SFVW-7TR EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 18a (TA), 71a (TC) 10V 5.5mohm @ 25A, 10V 3.5V @ 250 µA 13.2 NC @ 10 V ± 20V 1083 pf @ 20 V - 3.5W (TA), 51W (TC)
MMBZ5228BT-7-G Diodes Incorporated MMBZ5228BT-7-G -
RFQ
 ECAD 2797 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MMBZ5228BT-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

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