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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DMT10H009SPS-13 Diodes Incorporated DMT10H009SPS-13 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 14a (TA), 80a (TC) 10V 8.5mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 2085 pf @ 50 V - 1.3W (TA)
DMT3009UDT-7 Diodes Incorporated DMT3009UDT-7 0.3304
RFQ
 ECAD 2797 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn DMT3009 Mosfet (Óxido de metal) 1.1W (TA), 16W (TC) V-DFN3030-8 (TUPO KS) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT3009UDT-7TR EAR99 8541.29.0095 1.500 2 Fuente Común de Canal N (Dual) 30V 10.6a (TA), 30a (TC) 11.1mohm @ 11a, 10v 1.8V @ 250 µA 14.6nc @ 10V 894pf @ 15V -
DDTC114WUA-7-F Diodes Incorporated DDTC114WUA-7-F 0.2500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Ddtc114 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 24 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 4.7 kohms
DMP2200UDW-13 Diodes Incorporated DMP2200UDW-13 0.4100
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMP2200 Mosfet (Óxido de metal) 450MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal P (Dual) 20V 900mA 260MOHM @ 880MA, 4.5V 1.2V @ 250 µA 2.1NC @ 4.5V 184pf @ 10V -
DDTC114EE-7-F Diodes Incorporated DDTC114EE-7-F 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-523 Ddtc114 150 MW SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
ZTX605STOB Diodes Incorporated Ztx605stob -
RFQ
 ECAD 5160 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-línea-3, clientes potenciales formados ZTX605 1 W Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 120 V 1 A 10 µA NPN - Darlington 1.5V @ 1MA, 1A 2000 @ 1a, 5V 150MHz
BZT52C12TQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C12TQ-7-F 0.2700
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.4% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52 300 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 12 V 25 ohmios
DMN3730UFB4-7B Diodes Incorporated DMN3730UFB4-7B 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN3730 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN1006-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 750 mA (TA) 1.8V, 4.5V 460mohm @ 200Ma, 4.5V 950MV @ 250 µA 1.6 NC @ 4.5 V ± 8V 64.3 pf @ 25 V - 470MW (TA)
DMP2900UWQ-13 Diodes Incorporated DMP2900UWQ-13 0.0500
RFQ
 ECAD 8772 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMP2900UWQ-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 20 V 600 mA (TA) 1.8V, 4.5V 750mohm @ 430mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.7 pc @ 4.5 V ± 6V 49 pf @ 16 V - 300MW
DMT47M2LDVQ-7 Diodes Incorporated DMT47M2LDVQ-7 1.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT47 Mosfet (Óxido de metal) 2.34W (TA), 14.8W (TC) PowerDI3333-8 (TUPO UXC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 2 Canal N (Dual) 40V 11.9a (TA), 30.2a (TC) 10.8mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 250 µA 14nc @ 10V 891pf @ 20V -
ZLLS500TA-79 Diodes Incorporated ZLLS500TA-79 -
RFQ
 ECAD 9965 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Schottky Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-zlls500ta-79tr EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 530 MV @ 500 Ma 3 ns 10 µA @ 30 V 150 ° C 700mA 16pf @ 30V, 1 MHz
DDTC114YCAQ-13-F Diodes Incorporated Ddtc114ycaq-13-f 0.0388
RFQ
 ECAD 9985 0.00000000 Diodos incorporados DDTC (Serie R1 ≠ R2) CA Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtc114 200 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DDTC114YCAQ-13-FTR EAR99 8541.21.0075 10,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 5MA, 5V 250 MHz 10 kohms 47 kohms
DMP1555UFA-7B Diodes Incorporated Dmp155555ufa-7b 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMP1555 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN0806-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 12 V 200MA (TA) 1.5V, 4.5V 800MOHM @ 200MA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.84 NC @ 4.5 V ± 8V 55.4 pf @ 10 V - 360MW (TA)
MMBZ5239B-7-G Diodes Incorporated MMBZ5239B-7-G -
RFQ
 ECAD 5607 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MMBZ5239B-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3.000
BAS16HLPQ-7B Diodes Incorporated BAS16HLPQ-7B 0.3500
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0402 (1006 Métrica) BAS16 Estándar X1-DFN1006-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 500 na @ 80 V -65 ° C ~ 150 ° C 215 Ma 1.5pf @ 0v, 1 MHz
B345BE-13 Diodes Incorporated B345BE-13 -
RFQ
 ECAD 2429 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AA, SMB B345 Schottky SMB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 500 MV @ 3 A 300 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 140pf @ 4V, 1MHz
DMN32D0LVQ-7 Diodes Incorporated DMN32D0LVQ-7 0.4600
RFQ
 ECAD 4321 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN32 Mosfet (Óxido de metal) 480MW (TA) SOT-563 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 680MA (TA) 1.2ohm @ 100 mm, 4V 1.2V @ 250 µA 0.62NC @ 4.5V 44.8pf @ 15V Estándar
S3AB-13 Diodes Incorporated S3AB-13 -
RFQ
 ECAD 9342 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB S3a Estándar SMB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.15 v @ 3 a 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
MMDT5401Q-7-F Diodes Incorporated MMDT5401Q-7-F 0.0900
RFQ
 ECAD 2229 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT5401 200MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 150V 200 MMA 50NA (ICBO) 2 PNP (dual) 500mV @ 5 mm, 50 Ma 60 @ 10mA, 5V 300MHz
B130AE-13 Diodes Incorporated B130AE-13 -
RFQ
 ECAD 7206 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA B130 Schottky SMA descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 1 A 100 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1 MHz
RS2KA-13-F Diodes Incorporated RS2KA-13-F 0.1979
RFQ
 ECAD 2191 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs2k Estándar SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 1.5 A 500 ns 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C 1.5a 30pf @ 4V, 1 MHz
BZT52C27-13-F Diodes Incorporated BZT52C27-13-F -
RFQ
 ECAD 4331 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 18.9 V 27 V 80 ohmios
DDZ13BQ-7 Diodes Incorporated DDZ13BQ-7 -
RFQ
 ECAD 8914 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 DDZ13 310 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 10 V 12.88 V 14 ohmios
BZX84C10-7-F-31 Diodes Incorporated BZX84C10-7-F-31 -
RFQ
 ECAD 4217 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-BZX84C10-7-F-31TR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 200 na @ 7 V 10 V 20 ohmios
DMT3020LFDBQ-13 Diodes Incorporated DMT3020LFDBQ-13 0.1688
RFQ
 ECAD 2389 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMT3020 - 700MW U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT3020LFDBQ-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 30V 7.7a (TA) 20mohm @ 9a, 10v 2.5V @ 250 µA 7NC @ 10V 393pf @ 15V -
DMC67D8UFDBQ-7 Diodes Incorporated DMC67D8UFDBQ-7 0.1279
RFQ
 ECAD 4081 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMC67 Mosfet (Óxido de metal) 580MW (TA) U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMC67D8UFDBQ-7DI EAR99 8541.21.0095 3.000 N y p-canal complementario 60V, 20V 390MA (TA), 2.9A (TA) 4ohm @ 500mA, 10V, 72mohm @ 3.5a, 4.5V 2.5V @ 250 µA, 1.25V @ 250 µA 0.4pc @ 4.5V, 7.3nc @ 4.5V 41pf @ 25V, 443pf @ 16V -
BZT52C3V0S-7 Diodes Incorporated BZT52C3V0S-7 -
RFQ
 ECAD 2699 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW Sod-323 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 10 µA @ 1 V 3 V 95 ohmios
ZHCS400QTA-52 Diodes Incorporated ZHCS400QTA-52 0.1282
RFQ
 ECAD 5253 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 Schottky Sod-323 descascar 31-ZHCS400QTA-52 EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 780 MV @ 1 A 12 ns 40 µA @ 30 V - 1A 20pf @ 25V, 1 MHz
ZVN4306GVTA Diodes Incorporated ZVN4306GVTA 1.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZVN4306 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 2.1a (TA) 5V, 10V 330mohm @ 3a, 10v 3V @ 1MA ± 20V 350 pf @ 25 V - 3W (TA)
DDC122TH-7 Diodes Incorporated Ddc122th-7 -
RFQ
 ECAD 2589 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DDC122 150MW SOT-563 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA - 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 100 @ 1 mapa, 5v 200MHz 220ohms -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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