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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1)
DMN65D7LFR4-7 Diodes Incorporated DMN65D7LFR4-7 0.1139
RFQ
 ECAD 6078 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xdfn DMN65 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN1010-4 (TUPO B) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN65D7LFR4-7TR EAR99 8541.21.0095 5,000 N-canal 60 V 260MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 40mA, 10V 2.5V @ 250 µA 1.04 NC @ 10 V ± 20V 41 pf @ 30 V - 600MW (TA)
DMTH4014LFVWQ-13 Diodes Incorporated DMTH4014LFVWQ-13 0.2279
RFQ
 ECAD 4283 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH4014LFVWQ-13TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 11.5a (TA), 49.8a (TC) 4.5V, 10V 13.7mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 11.2 NC @ 10 V ± 20V 750 pf @ 20 V - 3.1W
ZXTN5551GTA Diodes Incorporated Zxtn5551gta 0.4400
RFQ
 ECAD 1508 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZXTN5551 2 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 160 V 600 mA 50NA (ICBO) NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 80 @ 10mA, 5V 130MHz
ZLLS2000QTC Diodes Incorporated ZLLS2000QTC 0.3242
RFQ
 ECAD 5471 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-23-6 ZLLS2000 Schottky Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-zlls2000qtctr EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 540 MV @ 2 A 6 ns 40 µA @ 30 V 150 ° C 2.2a 65pf @ 30V, 1MHz
DMT12H060LFDF-7 Diodes Incorporated DMT12H060LFDF-7 0.2284
RFQ
 ECAD 5990 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMT12 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DMT12H060LFDF-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 115 V 4.4a (TA) 1.5V, 4.5V 65mohm @ 3a, 4.5V 1.4V @ 250 µA 7.8 NC @ 4.5 V ± 8V 475 pf @ 50 V - 1.1W (TA)
DMN66D0LT-7 Diodes Incorporated DMN66D0LT-7 0.4600
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 DMN66 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 115MA (TA) 5V, 10V 5ohm @ 115mA, 10V 2V @ 250 µA ± 20V 23 pf @ 25 V - 200MW (TA)
DMP31D7LWQ-7 Diodes Incorporated Dmp31d7lwq-7 0.0685
RFQ
 ECAD 5000 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMP31D7LWQ-7TR EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 380MA (TA) 4.5V, 10V 900mohm @ 420 mm, 10V 2.6V @ 250 µA 0.36 NC @ 10 V ± 20V 19 pf @ 15 V - 290MW
SB560-A52 Diodes Incorporated SB560-A52 -
RFQ
 ECAD 1906 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta y Caja (TB) Obsoleto descascar Alcanzar sin afectado 31-SB560-A52TB EAR99 8541.10.0080 1
ZXMN4A06GQTA Diodes Incorporated Zxmn4a06gqta 0.6828
RFQ
 ECAD 1344 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-ZXMN4A06GQTATR EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 5A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.5a, 10V 1V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 746 pf @ 40 V - 2W (TA)
DMN3110SQ-7 Diodes Incorporated DMN3110SQ-7 0.1074
RFQ
 ECAD 2153 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3110 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN3110SQ-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 2.5a (TA) 4.5V, 10V 73mohm @ 3.1a, 10v 3V @ 250 µA 8.6 NC @ 10 V ± 20V 305.8 pf @ 15 V - 740MW (TA)
DMP3036SFVQ-7 Diodes Incorporated DMP3036SFVQ-7 0.2223
RFQ
 ECAD 8272 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP3036 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (Tipo UX) descascar 31-DMP3036SFVQ-7 EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 30 V 8.7a (TA), 30A (TC) 5V, 10V 20mohm @ 8a, 10v 2.5V @ 250 µA 16.5 NC @ 10 V ± 25V 1931 pf @ 15 V - 900MW (TA)
DMTH4004LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH4004LPSQ-13 0.6041
RFQ
 ECAD 1198 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH4004 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMTH4004LPSQ-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 100A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 50A, 10V 3V @ 250 µA 69.6 NC @ 10 V ± 20V 5220 pf @ 20 V - 2.83W (TA), 125W (TC)
DMG4932LSD-13 Diodes Incorporated DMG4932LSD-13 -
RFQ
 ECAD 4035 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Dmg4932lsd Mosfet (Óxido de metal) 1.19W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 9.5a 15mohm @ 9a, 10v 2.4V @ 250 µA 42NC @ 10V 1932pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
SDT8A120P5Q-13D Diodes Incorporated SDT8A120P5Q-13D -
RFQ
 ECAD 7999 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Powerdi ™ 5 Schottky Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 120 V 840 MV @ 8 A 300 µA @ 120 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
DMN4020LFDEQ-13 Diodes Incorporated Dmn4020lfdeq-13 0.1279
RFQ
 ECAD 1808 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerudfn DMN4020 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO E) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN4020LFDEQ-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 40 V 8.6a (TA) 4.5V, 10V 21mohm @ 8a, 10v 2.4V @ 250 µA 25.3 NC @ 10 V ± 20V 1201 pf @ 20 V - 850MW (TA)
DMT3003LFGQ-13 Diodes Incorporated DMT3003LFGQ-13 0.3660
RFQ
 ECAD 2228 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT3003 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMT3003LFGQ-13DI EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 22a (TA), 100a (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 20V 2370 pf @ 15 V - 2.4W (TA), 62W (TC)
DMP4011SK3-13 Diodes Incorporated DMP4011SK3-13 0.5541
RFQ
 ECAD 5032 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMP4011 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMP4011SK3-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 14a (TA), 74A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 20V 2747 pf @ 20 V - 1.8W (TA), 4.2W (TC)
DDTC114TKA-7-F Diodes Incorporated Ddtc114tka-7-f -
RFQ
 ECAD 4915 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtc114 200 MW SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 100 µA, 1 mA 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 10 kohms
BSS138WQ-13-F Diodes Incorporated BSS138WQ-13-F 0.0362
RFQ
 ECAD 1001 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BSS138 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-BSS138WQ-13-FTR EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 50 V 280MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220 mm, 10V 1.5V @ 250 µA 1.5 NC @ 10 V ± 20V 48 pf @ 25 V - 400MW (TA)
DMTH31M7LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH31M7LPSQ-13 0.5820
RFQ
 ECAD 8036 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH31M7LPSQ-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 30A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 16V 5741 pf @ 15 V - 1.3W (TA), 113W (TC)
DMP4025SFG-13-52 Diodes Incorporated DMP4025SFG-13-52 0.1965
RFQ
 ECAD 6169 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP4025 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar 31-DMP4025SFG-13-52 EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 40 V 4.65a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 3a, 10v 1.8V @ 250 µA 33.7 NC @ 10 V ± 20V 1643 pf @ 20 V - 810MW (TA)
DXT5551P5Q-13 Diodes Incorporated DXT5551P5Q-13 0.5900
RFQ
 ECAD 4163 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerdi ™ 5 DXT5551 2.25 W Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 5,000 160 V 600 mA 50NA (ICBO) NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 80 @ 10mA, 5V 130MHz
DMP3056LSSQ-13 Diodes Incorporated DMP3056LSSQ-13 0.5200
RFQ
 ECAD 8875 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMP3056 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 4.9a (TA) 4.5V, 10V 45mohm @ 6a, 10v 2.1V @ 250 µA 17.3 NC @ 10 V ± 20V 969 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
DMP6018LPSQ-13 Diodes Incorporated DMP6018LPSQ-13 1.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 60A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 17a, 10v 2.5V @ 250 µA 13.7 NC @ 10 V ± 20V 3505 pf @ 30 V - 2.6W (TA), 113W (TC)
BZT52C4V3-13-G Diodes Incorporated BZT52C4V3-13-G -
RFQ
 ECAD 8611 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto BZT52 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BZT52C4V3-13-GDI EAR99 8541.10.0050 10,000
DMTH45M5LFVWQ-13 Diodes Incorporated DMTH45M5LFVWQ-13 0.3197
RFQ
 ECAD 7031 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMTH45M5LFVWQ-13TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 18a (TA), 71a (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 25A, 10V 2.3V @ 250 µA 13.9 NC @ 10 V ± 20V 978 pf @ 20 V - 3.5W (TA), 51W (TC)
DMPH33M8SPSW-13 Diodes Incorporated DMPH33M8SPSW-13 0.8078
RFQ
 ECAD 4637 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMPH33 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo Q) - 31-DMPH33M8SPSW-13 EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 100A (TC) 6V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 127 NC @ 10 V ± 20V 3775 pf @ 15 V - 1.7w (TA)
DMN2710UFBQ-7B Diodes Incorporated DMN2710UFBQ-7B -
RFQ
 ECAD 8738 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMN2710UFBQ-7BTR EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 20 V 1.3a (TA) 1.8V, 4.5V 450mohm @ 600mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.6 NC @ 4.5 V ± 6V 42 pf @ 16 V - 720MW (TA)
DMN3066L-7 Diodes Incorporated DMN3066L-7 0.0918
RFQ
 ECAD 9654 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3066 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN3066L-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 3.6a (TA) 2.5V, 4.5V 67mohm @ 2.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 4.1 NC @ 4.5 V ± 12V 353 pf @ 10 V - 810MW (TA)
DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated DMT6004LPS-13 1.5200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT6004 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 22a (TA), 90A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 25A, 10V 3V @ 250 µA 96.3 NC @ 10 V ± 20V 4515 pf @ 30 V - 2.1W (TA), 105W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

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  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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