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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
ZTX788ASTZ Diodes Incorporated Ztx788astz -
RFQ
 ECAD 2880 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-línea-3, clientes potenciales formados ZTX788 1 W Línea electálica (compatible con 92) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 15 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 330MV @ 200MA, 3A 300 @ 10mA, 1V 150MHz
DMN61D9UWQ-13 Diodes Incorporated DMN61D9UWQ-13 0.3500
RFQ
 ECAD 212 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN61 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 400 mA (TA) 1.8V, 5V 2ohm @ 50 mm, 5V 1V @ 250 µA 0.4 NC @ 4.5 V ± 20V 28.5 pf @ 30 V - 440MW (TA)
ZXTN25020BFHTA Diodes Incorporated ZXTN25020BFHTA 0.5600
RFQ
 ECAD 5496 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTN25020 1.25 W Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 20 V 4.5 A 50NA (ICBO) NPN 145mv @ 450mA, 4.5a 100 @ 10mA, 2V 185MHz
UMC5NQ-7 Diodes Incorporated UMC5NQ-7 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMC5 290MW Sot-353 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 100mA - 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 kohms 47 kohms
BZX84C3V6-7-F Diodes Incorporated BZX84C3V6-7-F 0.1700
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 V 90 ohmios
ZVP2110ASTOA Diodes Incorporated Zvp2110astoa -
RFQ
 ECAD 5603 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 100 V 230 mA (TA) 10V 8ohm @ 375ma, 10v 3.5V @ 1MA ± 20V 100 pf @ 25 V - 700MW (TA)
ZXTC6717MCTA Diodes Incorporated Zxtc6717mcta 0.3190
RFQ
 ECAD 8790 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn ZXTC6717 1.7w W-DFN3020-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 15V, 12V 4.5a, 4a 100na NPN, PNP 310MV @ 50MA, 4.5A / 310MV @ 150MA, 4A 300 @ 200MA, 2V / 300 @ 100MA, 2V 120MHz, 110MHz
DDTC142TU-7-F Diodes Incorporated DDTC142TU-7-F -
RFQ
 ECAD 7133 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Ddtc142 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 100 @ 1 mapa, 5v 200 MHz 470 ohmios
UF3001 Diodes Incorporated UF3001 -
RFQ
 ECAD 5559 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial UF3001 Estándar Do-201ad descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados Q1796086 EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 v @ 3 a 50 ns 5 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A 75pf @ 4V, 1 MHz
BAS16VA-7 Diodes Incorporated BAS16VA-7 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 BAS16 Estándar SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 3 Independientes 100 V 200MA (DC) 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 500 na @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5223B-7-F Diodes Incorporated MMSZ5223B-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5223 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 75 µA @ 1 V 2.7 V 30 ohmios
FR802 Diodes Incorporated FR802 -
RFQ
 ECAD 7727 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 FR802 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 981-FR802 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 8 A 150 ns 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 8A -
BZX84C3V0S-7 Diodes Incorporated BZX84C3V0S-7 -
RFQ
 ECAD 5061 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BZX84 200 MW Sot-363 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 2 Independientes 900 MV @ 10 Ma 10 µA @ 1 V 3 V 95 ohmios
DMTH8028LFVW-13 Diodes Incorporated DMTH8028LFVW-13 0.2498
RFQ
 ECAD 3629 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH8028LFVW-13TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 80 V 27a (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA 10.4 NC @ 10 V ± 20V 631 pf @ 40 V - 1.5W (TA)
ZXMN3F31DN8TA Diodes Incorporated Zxmn3f31dn8ta 0.8700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMN3 Mosfet (Óxido de metal) 1.8w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 2 Canal N (Dual) 30V 5.7a 24mohm @ 7a, 10v 3V @ 250 µA 12.9nc @ 10V 608pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
DMT32M4LPSW-13 Diodes Incorporated DMT32M4LPSW-13 0.4693
RFQ
 ECAD 3381 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn DMT32 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo UX) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT32M4LPSW-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 100A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 20a, 10v 3V @ 1MA 68 NC @ 10 V ± 20V 3944 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 83W (TC)
FZT491TC Diodes Incorporated FZT491TC -
RFQ
 ECAD 3273 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FZT491 2 W SOT-223-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 4.000 60 V 1 A 100na NPN 500mv @ 100 mm, 1a 100 @ 500 mA, 5V 150MHz
ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated Zxmn3a04dn8ta 1.7300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMN3 Mosfet (Óxido de metal) 1.81W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 2 Canal N (Dual) 30V 6.5a 20mohm @ 12.6a, 10v 1V @ 250 µA (min) 36.8nc @ 10V 1890pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
DMP2200UDW-7 Diodes Incorporated DMP2200UDW-7 0.4100
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMP2200 Mosfet (Óxido de metal) 450MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 900mA 260MOHM @ 880MA, 4.5V 1.2V @ 250 µA 2.1NC @ 4.5V 184pf @ 10V -
AZ23C5V6Q-7-F Diodes Incorporated AZ23C5V6Q-7-F -
RFQ
 ECAD 3804 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 7.14% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C5V6 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 100 na @ 1 V 5.6 V 40 ohmios
SBR12U45LH1-13R Diodes Incorporated SBR12U45LH1-13R 1.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados SBR® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie PowerDi ™ 5SP SBR12 Super Barrera PowerDI5SP ™ descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 45 V 500 MV @ 12 A 300 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C 12A -
MMBZ5242BW-13-F Diodes Incorporated MMBZ5242BW-13-F -
RFQ
 ECAD 4890 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-MMBZ5242BW-13-FTR EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 9.1 V 12 V 30 ohmios
1N4004L-T Diodes Incorporated 1N4004L-T -
RFQ
 ECAD 6330 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4004 Estándar Do-41 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados In4004l-t EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
B190-13 Diodes Incorporated B190-13 -
RFQ
 ECAD 7776 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA B190 Schottky SMA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 790 MV @ 1 A 500 µA @ 90 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 80pf @ 4V, 1 MHz
DFLS160-7-52 Diodes Incorporated DFLS160-7-52 0.0882
RFQ
 ECAD 7067 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo Montaje en superficie PowerDI®123 DFLS160 Schottky PowerDi ™ 123 descascar 31-DFLS160-7-52 EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 500 MV @ 1 A 100 µA @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 67pf @ 10V, 1 MHz
2DA1774QLP-7B Diodes Incorporated 2DA1774QLP-7B 0.0775
RFQ
 ECAD 6809 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN 2DA1774 250 MW X1-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 40 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 200 MV a 5 mm, 50 Ma 120 @ 1 MMA, 6V 100MHz
DMP610DLQ-13 Diodes Incorporated DMP610DLQ-13 0.0406
RFQ
 ECAD 3257 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMP610DLQ-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 60 V 186MA (TA) 5V 10ohm @ 100 mapa, 5V 2v @ 1 mapa 0.5 NC @ 5 V ± 30V 40 pf @ 25 V - 520MW (TA)
DMB54D0UV-7 Diodes Incorporated Dmb54d0uv-7 -
RFQ
 ECAD 9102 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto 45V PNP, 50V N-Canal Propósito general Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMB54 SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 PNP de 100 Ma, 160 Ma N-Canal PNP, N-Canal
RS404L-F Diodes Incorporated RS404L-F -
RFQ
 ECAD 9822 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-4L Rs404 Estándar RS-4L descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado RS404L-FDI EAR99 8541.10.0080 500 1 v @ 3 a 10 µA @ 400 V 4 A Fase única 400 V
MBR1060CT Diodes Incorporated MBR1060CT -
RFQ
 ECAD 1716 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 MBR106 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 10A 950 MV @ 10 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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